公开(公告)号：CN101405850A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009564.X

申请日：2007-03-16

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 佐泽洋幸 ,  清水三聪 ,  八木修一 ,  奥村元

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流滞后特征的氮化镓基的场效应晶体管，其中可以减少正向栅泄漏。在具有栅绝缘膜(108)的氮化镓－基场效应晶体管(100)中，构成栅绝缘膜(108)的材料的一部分或全部是相对介电常数为9－22的介电材料，并且与栅绝缘膜(108)接触的半导体晶体层A(104)和半导体晶体层B(103)构成异质结，所述半导体晶体层B(103)在所述半导体晶体层A(104)附近并且比半导体晶体层A(104)具有更大的电子亲合势。优选至少部分地在构成所述栅绝缘膜(108)的材料中包含铪氧化物诸如HfO2、HfAlO、HfAlON或HfSiO。

公开(公告)号：CN100570872C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN02829215.4

申请日：2002-05-24

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 板谷太郎 ,  八木修一

IPC: H01L27/04 ,  H01P3/02 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01P3/003 ,  H01L27/08

Abstract: 一种电信号传输线，包括形成在半导体衬底(1)上的信号电极部分(2)、接地电极部分(3)和介电部分(4)。信号电极部分(2)具有电信号流过的金属电极(21)、上导电半导体(22)和下导电半导体(23)。接地电极部分(3)具有接地金属电极(31)和导电半导体(32)。在上导电半导体(22)和下导电半导体(23)具有相反的极性的情形下，信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)用半导体PN结连接。介电材料填满和覆盖信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)之间的区域，电力线穿过该区域形成介电部分(4)。在这种结构下，可以提供能够高速电信号传播和用目前的半导体制造方法以稳定质量制造的电信号传输线。

公开(公告)号：CN1630947A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02829215.4

申请日：2002-05-24

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 板谷太郎 ,  八木修一

IPC: H01L27/04 ,  H01P3/02 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01P3/003 ,  H01L27/08

Abstract: 一种电信号传输线，包括形成在半导体衬底(1)上的信号电极部分(2)、接地电极部分(3)和介电部分(4)。信号电极部分(2)具有电信号流过的金属电极(21)、上导电半导体(22)和下导电半导体(23)。接地电极部分(3)具有接地金属电极(31)和导电半导体(32)。在上导电半导体(22)和下导电半导体(23)具有相反的极性的情形下，信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)用半导体PN结连接。介电材料填满和覆盖信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)之间的区域，电力线穿过该区域形成介电部分(4)。在这种结构下，可以提供能够高速电信号传播和用目前的半导体制造方法以稳定质量制造的电信号传输线。