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公开(公告)号：CN108155279A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711209088.8
申请日：2017-11-27
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L33/32 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02502 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/68 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/3245 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L21/02656 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明的课题在于提供一种能够高效地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。本发明的解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：第一层形成工序，在衬底上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层；退火工序，在非活性气体气氛中对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，在退火工序后的第一层上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，从而由第一层和第二层构成氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN100547734C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200680017368.2
申请日：2006-05-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B29/38 , H01S5/323
Abstract: 本发明提供一种第3-5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3-5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3-5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3-5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。
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公开(公告)号：CN108155278B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201711244180.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。
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公开(公告)号：CN108155279B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201711209088.8
申请日：2017-11-27
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L33/32 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明的课题在于提供一种能够高效地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。本发明的解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：第一层形成工序，在衬底上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层；退火工序，在非活性气体气氛中对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，在退火工序后的第一层上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，从而由第一层和第二层构成氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN108155278A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711244180.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
CPC classification number: H01L21/02502 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/403 , C30B29/68 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/3245 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/0095
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101180710A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017368.2
申请日：2006-05-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B29/38 , H01S5/323
Abstract: 本发明提供一种第3－5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3－5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3－5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3－5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。
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公开(公告)号：CN115064621A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210629148.6
申请日：2016-09-09
Applicant: 国立大学法人三重大学
Inventor： 三宅秀人
IPC: H01L33/12 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L33/00 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B33/02
Abstract: 一种氮化物半导体衬底(1)的制造方法，包括：准备工序(S10)，准备蓝宝石衬底(2)；以及缓冲层形成工序(S16)，在蓝宝石衬底(2)上形成AlN缓冲层(3)，缓冲层形成工序(S16)，包括：III族氮化物半导体形成工序(S16a)，在蓝宝石衬底(2)上形成AlN缓冲层的前驱体(3a)；以及退火工序(S16b)，在由用于抑制从形成后的AlN缓冲层的前驱体(3a)的主面中其成分离解的罩部件(蓝宝石衬底(102)等)覆盖AlN缓冲层的前驱体(3a)的主面的气密状态下，对形成有AlN缓冲层的前驱体(3a)的蓝宝石衬底(2)进行退火。
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公开(公告)号：CN115176049A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202180016240.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 国立大学法人三重大学
Abstract: 氮化物半导体基板(11、21)具备基板(2)和设在基板(2)的上方的含AlN膜(100、200)，含AlN膜(100、200)的膜厚为10000nm以下，含AlN膜(100、200)的贯通位错密度为2×108cm‑2以下。
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公开(公告)号：CN107078030B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201680001953.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 国立大学法人三重大学
Inventor： 三宅秀人
IPC: H01L21/20 , C23C16/18 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: 一种氮化物半导体衬底(1)的制造方法，包括包括如下步骤：将在蓝宝石衬底的表面形成有由AlN的晶粒组成的AlN缓冲层的前驱体而成的半导体衬底，以与所述前驱体的间隙为0.5mm以下的方式与罩部件相对地容纳在退火炉内，以抑制由所述半导体衬底的加热引起的AlN成分的离解；以及使所述退火炉内成为惰性气体的气氛，使所述半导体衬底的温度为1600℃以上1750℃以下进行20分钟以上的退火，退火后的(10－12)面的X射线摇摆曲线的半峰全宽为1000arcsec以下。
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公开(公告)号：CN107078030A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680001953.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 国立大学法人三重大学
Inventor： 三宅秀人
IPC: H01L21/20 , C23C16/18 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02389 , C23C16/18 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/02172 , H01L21/02205 , H01L21/02304 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/3245
Abstract: 一种氮化物半导体衬底(1)的制造方法，包括：准备工序(S10)，准备蓝宝石衬底(2)；以及缓冲层形成工序(S16)，在蓝宝石衬底(2)上形成AlN缓冲层(3)，缓冲层形成工序(S16)，包括：III族氮化物半导体形成工序(S16a)，在蓝宝石衬底(2)上形成AlN缓冲层的前驱体(3a)；以及退火工序(S16b)，在由用于抑制从形成后的AlN缓冲层的前驱体(3a)的主面中其成分离解的罩部件(蓝宝石衬底(102)等)覆盖AlN缓冲层的前驱体(3a)的主面的气密状态下，对形成有AlN缓冲层的前驱体(3a)的蓝宝石衬底(2)进行退火。
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