公开(公告)号：CN117916901A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280060971.8

申请日：2022-09-09

Applicant: 国立大学法人三重大学

Inventor： 上杉谦次郎 ,  三宅秀人 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/16 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: 一种III族氮化物发光器件，具备：模板部件，包括模板层，所述模板层包含(10‑12)面的X射线摇摆曲线的半值宽度为1000arcsec以下的AlXGa1‑XN(X大于0且小于等于1)且内含覆盖支撑体的主面的压缩应变；活性层，在285nm以下的深紫外波长区域上产生具有峰值波长的光，包含内含压缩应变的AlGaN；以及n型III族氮化物半导体区域，设置在模板部件上，该III族氮化物半导体区域包括设置在模板层上的第一n型III族氮化物半导体层及设置在第一n型III族氮化物半导体层上的第二n型III族氮化物半导体层，第一n型III族氮化物半导体层以模板层为基准具有2％以下的晶格弛豫率，第二n型III族氮化物半导体层具有0.4nm以下的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN115176049A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202180016240.9

申请日：2021-02-26

Applicant: 国立大学法人三重大学

Inventor： 三宅秀人 ,  王丁 ,  上杉谦次郎

IPC: C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C30B23/08 ,  C30B33/02 ,  H01L21/20

Abstract: 氮化物半导体基板(11、21)具备基板(2)和设在基板(2)的上方的含AlN膜(100、200)，含AlN膜(100、200)的膜厚为10000nm以下，含AlN膜(100、200)的贯通位错密度为2×108cm‑2以下。