公开(公告)号：CN111295788B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201980005464.2

申请日：2019-07-31

Applicant: 住友化学株式会社 ,  株式会社田中化学研究所

Inventor： 村上桂太 ,  本多祥晃

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/36 ,  H01M4/505

Abstract: 本发明的锂二次电池用正极活性物质是在锂复合金属化合物的表面具备包含锂和铝的金属复合氧化物的包覆层的锂二次电池用正极活性物质，上述锂复合金属化合物由能够掺杂和脱掺杂锂离子的一次颗粒凝聚而成的二次颗粒形成，上述锂二次电池用正极活性物质至少含有镍和铝作为除了锂以外的金属，并且满足全部条件(1)～(2)。

公开(公告)号：CN102084513B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200980126167.X

申请日：2009-07-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上谷保则 ,  本多祥晃 ,  竹中幸子

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其具有阴极和阳极以及位于该阳极和该阴极之间的活性层，所述活性层具有n型半导体和p型半导体，所述n型半导体和p型半导体的pn结的面积为每1μm3活性层100μm2以上。

公开(公告)号：CN117043988A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280023734.4

申请日：2022-02-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 熊谷俊昭 ,  松本慎吾 ,  本多祥晃 ,  松尾祥史

IPC: H01M4/46

Abstract: 本锂二次电池用负极活性物质是在铝相中分散有非铝相的含铝金属，上述含铝金属是沿一个方向轧制而成的轧制材，上述非铝相包含B及Ti中的任一者或两者，在通过图像获取条件中记载的方法所获取的图像中，满足(1)及(2)。

公开(公告)号：CN111295788A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201980005464.2

申请日：2019-07-31

Applicant: 住友化学株式会社 ,  株式会社田中化学研究所

Inventor： 村上桂太 ,  本多祥晃

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/36 ,  H01M4/505

Abstract: 本发明的锂二次电池用正极活性物质是在锂复合金属化合物的表面具备包含锂和铝的金属复合氧化物的包覆层的锂二次电池用正极活性物质，上述锂复合金属化合物由能够掺杂和脱掺杂锂离子的一次颗粒凝聚而成的二次颗粒形成，上述锂二次电池用正极活性物质至少含有镍和铝作为除了锂以外的金属，并且满足全部条件(1)～(2)。

公开(公告)号：CN118743051A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022870.6

申请日：2023-03-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山口泷太郎 ,  松本慎吾 ,  中田优树 ,  本多祥晃 ,  有村孝

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/46 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0568

Abstract: 一种铝负极，其是非水电解液二次电池中使用的铝负极，具有以铝作为材料的负极本体，该铝负极在以规定的测定条件测定的锂化反应中锂化容量为1mAh/cm2时的电阻值为6.5kΩ·cm2以下。

公开(公告)号：CN102084513A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126167.X

申请日：2009-07-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上谷保则 ,  本多祥晃 ,  竹中幸子

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其具有阴极和阳极以及位于该阳极和该阴极之间的活性层，所述活性层具有n型半导体和p型半导体，所述n型半导体和p型半导体的pn结的面积为每1μm3活性层100μm2以上。

公开(公告)号：CN101779273B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880025590.6

申请日：2008-07-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  本多祥晃

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 提供一种半导体器件、半导体器件制造方法、高载流子迁移率晶体管和发光器件。所述半导体器件配置有含N和Ga的半导体层、与所述半导体层欧姆连接的导电层、其中存在于所述半导体层与所述导电层之间的界面处的具有所分布金属的金属分布区，和其中所述金属的原子通过进入所述半导体层中而存在的金属侵入区。

公开(公告)号：CN101779273A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200880025590.6

申请日：2008-07-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  本多祥晃

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 提供一种半导体器件、半导体器件制造方法、高载流子迁移率晶体管和发光器件。所述半导体器件配置有含N和Ga的半导体层、与所述半导体层欧姆连接的导电层、其中存在于所述半导体层与所述导电层之间的界面处的具有所分布金属的金属分布区，和其中所述金属的原子通过进入所述半导体层中而存在的金属侵入区。

公开(公告)号：CN101541684A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780041841.5

申请日：2007-09-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 今成裕一郎 ,  川上义博 ,  本多祥晃 ,  犬饲洋志

IPC: C01G53/00 ,  H01M2/16 ,  H01M4/50 ,  H01M4/52 ,  H01M10/36 ,  H01M10/44

CPC classification number: H01M10/052 ,  C01G45/1228 ,  C01G53/42 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/74 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/40 ,  H01M2/1653 ,  H01M2/1686 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/443 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供锂复合金属氧化物，其含有Li和至少1种过渡金属元素，其特征在于，构成该锂复合金属氧化物的至少一个锂复合金属氧化物粒子同时具有六方晶型的晶体结构和单斜晶型的晶体结构。此外，提供锂复合金属氧化物，其含有Li、Ni和M(其中，M表示选自Mn、Co和Fe中的1种以上过渡金属元素)，其特征在于，在通过以CuKα为辐射源且衍射角2θ的测定范围为10°～90°的粉末X射线衍射测定得到的锂复合金属氧化物的粉末X射线衍射图形中，在2θ为20°～23°的范围具有衍射峰(衍射峰A)。