无机多孔质担载体、及使用其的核酸的制造方法

    公开(公告)号:CN113677432B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202080024884.8

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 本发明提供在核酸的制造中可进一步提高纯度的无机多孔质担载体、及使用其的核酸的制造方法,所述无机多孔质担载体具有通式(1)表示的连接体,在通过压汞法测定的细孔分布中,众数直径为0.04μm至1μm,并且,通过无机多孔质体表面的图像分析而得到的、具有0.0025μm2以上的开口面积的空隙的密度为12~30个/μm2。式(1)中,标有*的键表示在无机多孔质体的硅烷醇基的氧原子上的键;n表示整数1等;R各自独立地表示可具有烷氧基等取代基的碳原子数为3~10的烷基;L表示单键、碳原子数为1~20的亚烷基、或者作为碳原子数为2~20的亚烷基的、包含在构成该亚烷基的至少一个‑CH2‑CH2‑基团中插入有选自由‑O‑等组成的组中的任一基团Q的基团:‑CH2‑Q‑CH2‑的基团。#imgabs0#

    无机多孔质担载体、及使用其的核酸的制造方法

    公开(公告)号:CN113646083A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202080024915.X

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 本发明提供在核酸的制造中可进一步提高纯度的无机多孔质担载体、及使用其的核酸的制造方法,所述无机多孔质担载体具有通式(1)表示的连接体,并且具有骨残存率(SBR)的值为5.0%以上的无机多孔质体。式(1)中,标有*的键表示在无机多孔质体的硅烷醇基的氧原子上的键;n表示整数1等;R各自独立地表示可具有烷氧基等取代基的碳原子数为3~10的烷基;L表示单键、碳原子数为1~20的亚烷基、或者作为碳原子数为2~20的亚烷基的、包含在构成该亚烷基的至少一个‑CH2‑CH2‑基团中插入有选自由‑O‑等组成的组中的任一基团Q的基团:‑CH2‑Q‑CH2‑的基团。

    光学膜及柔性显示装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112646371A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202011074991.X

    申请日:2020-10-09

    Abstract: 本发明涉及光学膜及柔性显示装置。本发明的课题在于提供具有高化学稳定性的光学膜。本发明的解决手段为下述光学膜,其为包含选自由聚酰亚胺系树脂及聚酰胺系树脂组成的组中的至少1种树脂的光学膜,该光学膜的利用飞行时间型二次离子质谱法得到的、碱金属的离子强度(IA)相对于CH3的离子强度(ICH3)的比例(IA/ICH3)为0.2以上,并且,Si的离子强度(ISi)相对于CH3的离子强度(ICH3)的比例(ISi/ICH3)为0.05以上。

    无机多孔质担载体、及使用其的核酸的制造方法

    公开(公告)号:CN113677432A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202080024884.8

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 本发明提供在核酸的制造中可进一步提高纯度的无机多孔质担载体、及使用其的核酸的制造方法,所述无机多孔质担载体具有通式(1)表示的连接体,在通过压汞法测定的细孔分布中,众数直径为0.04μm至1μm,并且,通过无机多孔质体表面的图像分析而得到的、具有0.0025μm2以上的开口面积的空隙的密度为12~30个/μm2。式(1)中,标有*的键表示在无机多孔质体的硅烷醇基的氧原子上的键;n表示整数1等;R各自独立地表示可具有烷氧基等取代基的碳原子数为3~10的烷基;L表示单键、碳原子数为1~20的亚烷基、或者作为碳原子数为2~20的亚烷基的、包含在构成该亚烷基的至少一个‑CH2‑CH2‑基团中插入有选自由‑O‑等组成的组中的任一基团Q的基团:‑CH2‑Q‑CH2‑的基团。

    光学膜、柔性显示装置及光学膜的制造方法

    公开(公告)号:CN112143227A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202010593954.3

    申请日:2020-06-24

    Abstract: 本发明涉及光学膜、柔性显示装置、及光学膜的制造方法。本发明的课题在于提供具有高耐冲击性的树脂膜。本发明的解决手段为下述光学膜:其为包含选自由聚酰亚胺系树脂及聚酰胺系树脂组成的组中的至少一种树脂的光学膜,该光学膜的利用飞行时间型二次离子质谱法得到的、Na的离子强度(INa)相对于CH3的离子强度(ICH3)的比例(INa/ICH3)为0.2以上,并且,K的离子强度(IK)相对于CH3的离子强度(ICH3)的比例(IK/ICH3)为0.2以上。

    粒子、粉体组合物、固体组合物、液体组合物及成形体

    公开(公告)号:CN115335328B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202180025117.3

    申请日:2021-03-22

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种包含至少一个钛化合物晶粒,且满足要件1和要件2的粒子。要件1:在‑200℃~1200℃中的至少一个温度T1下,所述钛化合物晶粒的|dA(T)/dT|满足10ppm/℃以上。A为(所述钛化合物晶粒的a轴(短轴)的晶格常数)/(所述钛化合物晶粒的c轴(长轴)的晶格常数),所述各晶格常数基于所述钛化合物晶粒的X射线衍射测定而获得。要件2:所述粒子具有细孔,所述粒子的截面中,所述细孔的平均等效圆直径为0.8μm以上30μm以下,所述钛化合物晶粒的平均等效圆直径为1μm以上70μm以下。

    光电转换元件及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115804259A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180048331.0

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 本发明旨在提高光电转换元件的耐热性。一种光电转换元件,其是包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于阳极与阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10),其中,活性层包含至少一种p型半导体材料和至少2种n型半导体材料,至少一种p型半导体材料的分散能量汉森溶解度参数(δD(P))与至少2种n型半导体材料的第1分散能量汉森溶解度参数δD(Ni)和第2分散能量汉森溶解度参数δD(Nii)满足下述条件(i)和(ii)。条件(i):2.1MPa0.5<|δD(P)‑δD(Ni)|+|δD(Ni)‑δD(Nii)|<4.0MPa0.5;条件(ii):0.8MPa0.5<|δD(P)‑δD(Ni)|且0.2MPa0.5<|δD(Ni)‑δD(Nii)|。

Patent Agency Ranking