光电转换元件及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115804259A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180048331.0

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 本发明旨在提高光电转换元件的耐热性。一种光电转换元件,其是包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于阳极与阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10),其中,活性层包含至少一种p型半导体材料和至少2种n型半导体材料,至少一种p型半导体材料的分散能量汉森溶解度参数(δD(P))与至少2种n型半导体材料的第1分散能量汉森溶解度参数δD(Ni)和第2分散能量汉森溶解度参数δD(Nii)满足下述条件(i)和(ii)。条件(i):2.1MPa0.5<|δD(P)‑δD(Ni)|+|δD(Ni)‑δD(Nii)|<4.0MPa0.5;条件(ii):0.8MPa0.5<|δD(P)‑δD(Ni)|且0.2MPa0.5<|δD(Ni)‑δD(Nii)|。

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