-
公开(公告)号：CN108231723B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201611198710.5
申请日：2016-12-22
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 一种封装结构及其形成方法，其中封装结构包括：基底，所述基底包括焊垫主体区和位于焊垫主体区周围的凹槽区，所述凹槽区和焊垫主体区邻接；主体焊垫，位于焊垫主体区基底上；键合导电线，所述键合导电线的一端与所述主体焊垫连接。所述封装结构能够避免主体焊垫和周围器件发生短路。
-
公开(公告)号：CN107680954B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610620291.3
申请日：2016-08-01
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种半导体测试单元及半导体测试结构，所述半导体测试单元包括依次层叠的金属层及位于顶层金属层上方的焊垫，其中，所述金属层及所述焊垫均设有倒角。本发明通过在焊垫及位于其下方的金属层上设置倒角，可以在激光沟道工艺中将产生的微损伤或微裂纹的起始点位置向切割道中心偏移，使其远离了芯片保护结构及芯片，降低了芯片边缘分层发生的概率或严重程度，从而提高了产品的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105097492A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410209548.7
申请日：2014-05-16
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3105
摘要： 本申请提供了一种芯片制造工艺和芯片。芯片制造工艺包括对晶圆钝化层进行平坦化处理。由于对晶圆钝化层进行平坦化处理后，晶圆钝化层的表面更为平坦、凹凸感降低、细小凹槽得以消除，因而使得沉积在晶圆钝化层上的金属层与晶圆钝化层连接更加稳固、均匀，从而避免金属层松动，并解决了金属层沿着晶圆钝化层的凹槽向外延伸与周围金属层导通而导致芯片短路的问题，进而保证了芯片的成品质量和使用可靠性。同时，本申请中的芯片制造工艺具有工艺简单、制造可靠性高的特点。
-
公开(公告)号：CN108962764A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710363969.9
申请日：2017-05-22
摘要： 一种半导体结构的形成方法、一种半导体芯片、一种封装方法及一种封装结构，通过在第二钝化层中形成第三开口，以提高所述第二钝化层的粗糙度。因此在填充所述半导体芯片与布线基板之间的空隙时，增强了填充介质与所述半导体芯片的粘合度，从而使形成的封装结构更加稳定，性能更加优良。
-
公开(公告)号：CN105328804B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410279926.9
申请日：2014-06-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆的切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括器件晶圆和位于所述器件晶圆之上的封盖晶圆，所述器件晶圆上形成有对准图形，所述封盖晶圆包括若干工作区和位于所述工作区之间的分别沿第一方向延伸和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的若干切割道；将所述晶圆固定于切割承载盘上，使所述封盖晶圆位于上方；分别沿所述第一方向和所述第二方向对所述封盖晶圆的每个切割道两侧进行非穿透切割，以在所述切割道的两个边缘各形成一道半切割槽；在所述封盖晶圆表面上形成贴膜；去除贴膜，以移除封盖晶圆上的切割道内的材料。根据本发明的方法，有效避免封盖晶圆切割过程中产生的碎屑对器件晶圆造成的影响，提高了器件的性能和良率。
-
公开(公告)号：CN105328804A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410279926.9
申请日：2014-06-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆的切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括器件晶圆和位于所述器件晶圆之上的封盖晶圆，所述器件晶圆上形成有对准图形，所述封盖晶圆包括若干工作区和位于所述工作区之间的分别沿第一方向延伸和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的若干切割道；将所述晶圆固定于切割承载盘上，使所述封盖晶圆位于上方；分别沿所述第一方向和所述第二方向对所述封盖晶圆的每个切割道两侧进行非穿透切割，以在所述切割道的两个边缘各形成一道半切割槽；在所述封盖晶圆表面上形成贴膜；去除贴膜，以移除封盖晶圆上的切割道内的材料。根据本发明的方法，有效避免封盖晶圆切割过程中产生的碎屑对器件晶圆造成的影响，提高了器件的性能和良率。
-
公开(公告)号：CN105206505A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410307467.0
申请日：2014-06-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种晶圆的清洗方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆具有第一表面，所述第一表面具有多个芯片；提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆具有第二表面，所述第二表面具有与所述器件晶圆中的芯片一一对应的多个凹槽；将所述覆盖晶圆与所述器件晶圆键合，使所述覆盖晶圆的凹槽与所述器件晶圆的芯片对应键合，且形成多个空腔结构；对键合后的所述覆盖晶圆进行切割，使各空腔结构分立；在进行所述切割工艺之后，将所述第一表面朝下设置；对所述空腔结构外表面和朝下设置的所述第一表面进行清洗。所述晶圆的清洗方法能够使得清洗后的晶圆更加干净，提高晶圆上芯片的良率。
-
公开(公告)号：CN108962764B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710363969.9
申请日：2017-05-22
摘要： 一种半导体结构的形成方法、一种半导体芯片、一种封装方法及一种封装结构，通过在第二钝化层中形成第三开口，以提高所述第二钝化层的粗糙度。因此在填充所述半导体芯片与布线基板之间的空隙时，增强了填充介质与所述半导体芯片的粘合度，从而使形成的封装结构更加稳定，性能更加优良。
-
公开(公告)号：CN108321137A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201710035984.0
申请日：2017-01-17
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘，在所述焊盘内形成狭缝，所述狭缝位于所述引线焊球作用力区域中。该半导体器件的制作方法通过在焊盘上待焊接引线焊球的区域形成狭缝，来横向分散引线键合的作用力，从而降低在引线键合过程中金属互连层承受的作用力，避免内部金属互连层由于引线键合断裂而导致器件失效。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
-
公开(公告)号：CN107680954A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201610620291.3
申请日：2016-08-01
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种半导体测试单元及半导体测试结构，所述半导体测试单元包括依次层叠的金属层及位于顶层金属层上方的焊垫，其中，所述金属层及所述焊垫均设有倒角。本发明通过在焊垫及位于其下方的金属层上设置倒角，可以在激光沟道工艺中将产生的微损伤或微裂纹的起始点位置向切割道中心偏移，使其远离了芯片保护结构及芯片，降低了芯片边缘分层发生的概率或严重程度，从而提高了产品的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
24 条记录 (耗时 0.04 秒)
