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公开(公告)号：CN105206505A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410307467.0
申请日：2014-06-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种晶圆的清洗方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆具有第一表面，所述第一表面具有多个芯片；提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆具有第二表面，所述第二表面具有与所述器件晶圆中的芯片一一对应的多个凹槽；将所述覆盖晶圆与所述器件晶圆键合，使所述覆盖晶圆的凹槽与所述器件晶圆的芯片对应键合，且形成多个空腔结构；对键合后的所述覆盖晶圆进行切割，使各空腔结构分立；在进行所述切割工艺之后，将所述第一表面朝下设置；对所述空腔结构外表面和朝下设置的所述第一表面进行清洗。所述晶圆的清洗方法能够使得清洗后的晶圆更加干净，提高晶圆上芯片的良率。
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公开(公告)号：CN104445045B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310439580.X
申请日：2013-09-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种晶振的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿第一表面形成若干硅通孔和真空腔，其中所述硅通孔围绕所述真空腔，且所述硅通孔深度大于真空腔深度；在所述硅通孔内填入填充物形成切割标记；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有振动晶体；将第一衬底与第二衬底键合，所述真空腔正对振动晶体；沿第二表面减薄第一衬底，直至暴露出所述切割标记；沿所述切割标记对所述第一衬底进行切割。本发明实施例提供的晶振形成方法工艺简便，切割精度高。
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公开(公告)号：CN104108139B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310138683.2
申请日：2013-04-18
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种MEMS晶圆的切割方法，包括步骤：1）切割并去除MEMS晶圆覆盖晶圆边缘的部分未键合区域，露出器件晶圆的器件图案；2）于各该MEMS腔体之间的间隔区域中沿第一方向对所述覆盖晶圆进行预切割形成多个切割道，并保留预设厚度的覆盖晶圆；3）沿与第一方向垂直的第二方向对各该MEMS腔体之间的间隔区域进行切割；4）沿第一方向对各该MEMS腔体之间的间隔区域进行切割，使各该MEMS腔体的覆盖晶圆分离。本发明解决了针对表面无图案晶圆的切割难以对准的问题，可以制造出高质量的腔体结构且得到CMOS表面PAD无污染的晶圆，并且解决了设备和刀片容易损坏的问题。本发明所采用的切割设备和切割工艺与传统工艺兼容，方法步骤简单，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN104445045A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310439580.X
申请日：2013-09-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种晶振的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿第一表面形成若干硅通孔和真空腔，其中所述硅通孔围绕所述真空腔，且所述硅通孔深度大于真空腔深度；在所述硅通孔内填入填充物形成切割标记；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有振动晶体；将第一衬底与第二衬底键合，所述真空腔正对振动晶体；沿第二表面减薄第一衬底，直至暴露出所述切割标记；沿所述切割标记对所述第一衬底进行切割。本发明实施例提供的晶振形成方法工艺简便，切割精度高。
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公开(公告)号：CN104108139A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310138683.2
申请日：2013-04-18
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种MEMS晶圆的切割方法，包括步骤：1）切割并去除MEMS晶圆覆盖晶圆边缘的部分未键合区域，露出器件晶圆的器件图案；2）于各该MEMS腔体之间的间隔区域中沿第一方向对所述覆盖晶圆进行预切割形成多个切割道，并保留预设厚度的覆盖晶圆；3）沿与第一方向垂直的第二方向对各该MEMS腔体之间的间隔区域进行切割；4）沿第一方向对各该MEMS腔体之间的间隔区域进行切割，使各该MEMS腔体的覆盖晶圆分离。本发明解决了针对表面无图案晶圆的切割难以对准的问题，可以制造出高质量的腔体结构且得到CMOS表面PAD无污染的晶圆，并且解决了设备和刀片容易损坏的问题。本发明所采用的切割设备和切割工艺与传统工艺兼容，方法步骤简单，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN104467722B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310449899.0
申请日：2013-09-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种晶振的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿第一表面刻蚀第一衬底，形成真空腔和外部开口，其中真空腔的深度小于外部开口深度；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有振动晶体；将第一衬底与第二衬底键合，所述真空腔正对振动晶体；沿第二表面减薄第一衬底，其中，第一衬底厚度减去外部开口深度
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公开(公告)号：CN104973562A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410133505.5
申请日：2014-04-03
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆的切割方法和MEMS晶圆的切割方法，在MEMS晶圆的切割方法中，在沿列方向延伸的切割道内形成沿列方向的第一凹槽；在沿行方向延伸的切割道内形成沿行方向的第二凹槽；形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分别沿所述第一凹槽和第二凹槽继续切割所述第二晶圆，直至切割透所述第二晶圆。上述技术方案中，在形成第二凹槽后，可有效移除部分形成第一凹槽和第二凹槽后，产生的第二晶圆的残留粉末，从而有效减少后续切割透第二晶圆后，散落在第一晶圆上的粉末，降低第一晶圆被残留粉末的污染程度。
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公开(公告)号：CN104752189A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310747513.4
申请日：2013-12-30
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/50 , H01L21/561
摘要： 本发明记载了一种WLCSP晶圆背面减薄工艺，应用于晶圆级芯片尺寸封装工艺中，通过于待减薄晶圆的正面边缘处的表面形成与凸块高度相当的起物理支撑作用的黏合物层，在对该待减薄晶圆进行减薄时，黏合物层可以起到支撑晶圆边缘的作用，还能起到与保护层粘附的作用，并在对该晶圆进行减薄后去除该支撑结构，从而有效避免了在对晶圆背面进行减薄工艺时晶圆边缘发生崩裂的现象，且进一步提高了晶圆减薄的自由度，进而提高了WLCSP封装的效率。
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公开(公告)号：CN104467722A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310449899.0
申请日：2013-09-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种晶振的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿第一表面刻蚀第一衬底，形成真空腔和外部开口，其中真空腔的深度小于外部开口深度；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有振动晶体；将第一衬底与第二衬底键合，所述真空腔正对振动晶体；沿第二表面减薄第一衬底，其中，第一衬底厚度减去外部开口深度
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