发明授权
- 专利标题： 封装结构及其形成方法
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申请号： CN201611198710.5申请日： 2016-12-22
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公开(公告)号： CN108231723B公开(公告)日： 2020-08-07
- 发明人: 金立中 , 陆丽辉 , 费春潮 , 江博渊 , 王亚平
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣; 吴敏
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498 ; H01L21/48
摘要：
一种封装结构及其形成方法，其中封装结构包括：基底，所述基底包括焊垫主体区和位于焊垫主体区周围的凹槽区，所述凹槽区和焊垫主体区邻接；主体焊垫，位于焊垫主体区基底上；键合导电线，所述键合导电线的一端与所述主体焊垫连接。所述封装结构能够避免主体焊垫和周围器件发生短路。
公开/授权文献
- CN108231723A 封装结构及其形成方法 公开/授权日：2018-06-29
IPC分类:
