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公开(公告)号：CN118329552A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410219273.9
申请日：2024-02-28
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 一种表面经激光熔凝处理的钕金属金相制备及组织显示方法，包括以下步骤：步骤(1)：截取表面具有激光熔凝层的钕金属试样，得到一个规定尺寸的平整光滑磨面；步骤(2)：将完成步骤(1)的试样清洗去除其表面油污及杂质；步骤(3)：将完成步骤(2)的试样进行镶样处理；步骤(4)：将完成步骤(3)的试样进行打磨；步骤(5)：将完成步骤(4)的试样超声清洗；步骤(6)：完成步骤(5)的试样清洗后再次进行打磨，并在打磨期间持续添加抛光液；步骤(7)：将完成步骤(6)的试样超声清洗；步骤(8)：将完成步骤(7)的试样进行抛光；步骤(9)：将完成步骤(8)的试样抛光表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN115491646A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211142458.1
申请日：2022-09-20
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 本发明提供一种管材内壁镀膜的溅射靶及其溅射结构、镀膜方法，所述的管材内壁镀膜的溅射靶，包括：靶材、磁块；所述靶材呈中空管状；所述磁块呈柱状，置于所述靶材的内部。本发明所述的管材内壁镀膜的溅射靶，能够有效地控制磁场范围，使电子在更小的范围内运动，大部分电子都会被束缚在磁控溅射镀膜的工作区域内，进而减少电子通过磁场逃逸，增大靶材离化效率，提升靶材利用效率。
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公开(公告)号：CN118957286A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411081233.9
申请日：2024-08-08
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 一种镧系锕系金属中非金属杂质高效净化的装置及方法，包括氩气气源、氢气气源、氢气氩气混合器、炉体；氩气气源、氢气气源分别通过氩气气阀、氢气气阀连接氢气氩气混合器，氢气氩气混合器通过高精度数显气体阀A连接进入炉体中，氩气气源还通过数显气体阀门B直接连接进入到炉体中，炉体上部安装有阴极。本发明通过气体组分设计与熔炼气氛控制，再经过常规的电弧熔炼数次，依靠电弧的超高温度将炉腔气氛中的氢气电离成为氢等离子体，氢等离子体具有极高的反应活性以及良好的导电性，可以有效提高熔体表面温度促进金属中非金属杂质与氢等离子体反应生成相应的氢化物或氢化物基团进入到炉腔气氛。
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公开(公告)号：CN115612980B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211074818.9
申请日：2022-09-02
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 本发明涉及一种表面处理装置，具体涉及一种离子束清洗和离子束溅射镀膜两用的装置，包括离子源、腔室和真空系统；腔室包括样品转移机构和送样门；样品转移机构固定于腔室顶壁，用于转移基材和靶材；送样门开设于腔室侧壁，用于将基材和靶材送入或取出腔室；腔室的侧壁还开设有用于通过离子束的开孔以及抽气孔；离子源通过开孔连通腔室，由离子源引出的离子束经开孔射入腔室内；真空系统通过抽气孔与腔室相连通。与现有技术相比，本装置可用于镀膜工艺前处理和表面放射性金属镀膜。在实际操作时无需破坏真空条件，即可进行离子镀膜和离子清洗，有效的将离子清洗和离子镀膜结合于一体，大大提高了镀膜工艺的处理效率。
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公开(公告)号：CN115389540A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211028345.9
申请日：2022-08-25
申请人： 中核四0四有限公司
IPC分类号： G01N23/2202 , G01N23/2251
摘要： 本发明提供了一种稀土金属镀层扫描电镜截面试样精密磨样装置及方法，包括手套箱和磨样装置，所述磨样装置设置在所述手套箱内部，所述手套箱连接有氩气循环装置。本发明通过将磨样装置集成在手套箱内部，外接流动氩气来代替水的冷却作用而完成试样制备。该制备方法操作较简单、效率高，可有效解决稀土金属镀层在磨样和抛光过程中因水流的冲刷和反应而产生断裂、剥落、氧化及变质等问题，从而全面保留稀土金属镀层微观结构，有助于SEM表征分析。
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公开(公告)号：CN115323342A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211142385.6
申请日：2022-09-20
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 本发明的实施例提供一种基于磁控溅射进行管道镀膜的控制系统及方法，其中，所述控制系统包括：磁控溅射炉体、环设于磁控溅射炉体外的电磁铁、设置于磁控溅射炉体内的待镀膜管道以及贯穿待镀膜管道的靶材；靶材的一端与偏压电源一端电连接，待镀膜管道的一端与偏压电源一端电连接；在进行镀膜时，电磁铁通电在磁控溅射炉体外部形成均匀的磁场，同时偏压电源为靶材供电；在磁场的作用下，靶材表面的原子逸出，溅射到待镀膜管道的管道内壁成膜；通过设置于靶材两端的进气管路与抽气管路，在进行镀膜时控制磁控溅射炉体内镀膜气体的通气量，使得磁控溅射炉体内的气压处于辉光放电需要的气压范围内，以提高镀膜的均匀性，改善镀膜质量。
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公开(公告)号：CN118147632A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410219280.9
申请日：2024-02-28
申请人： 中核四0四有限公司
IPC分类号： C23C24/10
摘要： 一种稀土金属激光熔凝用气氛控制装置，包括控制箱、容器，控制箱连接旋转电机，从而控制旋转电机，旋转电机位于容器内部，且旋转电机连接夹具，夹具夹持工件；容器顶部开有高透光率激光玻璃，容器侧面安装真空接头。一种稀土金属激光熔凝用气氛控制方法，包括以下步骤：S1：打开连接卡扣，用手抓持握把，取下容器顶盖；S2：将工件手动安装在夹具上后，盖上容器顶盖；S3：若需要在真空条件下实施激光熔凝作业，则通过真空接头对容器进行抽真空操作；S4：启动激光器，操纵激光头至容器正上方高透光率激光玻璃位置；S5：打开控制箱电源，调节旋转电机转速。
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公开(公告)号：CN117004863A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310792312.X
申请日：2023-06-30
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 本发明涉及合金材料技术领域，尤其是涉及具有高塑性和高韧性的难熔高熵合金及其制备方法。本发明的难熔高熵合金的组成元素为Hf、Nb和Ti，或，难熔高熵合金的组成元素为Hf、Nb、Ti和X，其中，X选自Ta、Zr、Mo或V中的一种或几种；所述难熔高熵合金具有BCC结构晶面。本发明旨在通过调节不同的难熔金属之间的配比，以获得同时兼具高强度和高断裂韧性的难熔高熵合金。
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公开(公告)号：CN116162889A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211104017.2
申请日：2022-09-09
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其是涉及一种提升管内壁磁控溅射镀膜结合力的方法。本发明首先去除管工件表面锈斑、油渍和灰尘，后处理得到预处理件；然后将预处理件装炉后高真空烘烤去除预处理件表面吸附的气体和残留有机物；最后将高真空烘烤的预处理件经柱靶磁控溅射镀膜后从炉中取出。本发明的一种提升管内壁磁控溅射镀膜结合力的方法通过细化管工件预处理流程，获得了更加洁净的管工件表面，同时在试验前增加管工件高真空烘烤步骤，在预处理的基础上进一步清洁管工件表面，除去了管工件表面吸附的气体及油污，有利于提高薄膜结合力，还提高了镀膜开始前管工件表面的温度，这也有利于溅射的靶材原子与管工件紧密结合。
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公开(公告)号：CN115478253A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211142384.1
申请日：2022-09-20
申请人： 中核四0四有限公司
摘要： 本发明提供一种镀放射性金属薄膜的方法及镀膜管材，所述镀放射性金属薄膜的方法，包括：取待镀膜管材，将磁控溅射镀膜的柱靶置入所述待镀膜管材的管内，在真空度‑10～50Pa下进行磁控溅射镀膜；其中，所述柱靶为放射性金属制成，呈空心管状，且柱靶的外径小于所述待镀膜管材的内径。通过将空心管状的柱靶置于所述待镀膜管材的管内，进行磁控溅射镀膜，可实现在待镀膜管材的内壁上进行镀膜，而待镀膜管材的外壁并不沉积金属，尤其是柱靶的外径小于所述待镀膜管材的内径，能够对各种小孔径的待镀膜管材的内壁进行镀膜，且薄膜均匀、结合力较好。
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