一种提高有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池开路电压的方法

    公开(公告)号:CN112635679B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202011588586.X

    申请日:2020-12-29

    Abstract: 本发明属于提高材料性能的方法,具体涉及一种提高有机‑无机杂化钙钛矿太阳能电池开路电压的方法。在有机‑无机杂化钙钛矿前驱体中加入双官能团聚合物;或,在形成的有机‑无机杂化钙钛矿薄膜后于其表面形成含双官能团聚合物的薄层;其中,双官能团聚合物为侧链同时含有能够钝化正电性缺陷和负电性缺陷的基团的双官能团聚合物。本发明通过在钙钛矿薄膜中引入双官能团聚合物,可有效对钙钛矿多晶薄膜中正电性和负电性的晶界缺陷同时进行钝化,降低深能级缺陷浓度,减少载流子复合几率,提高钙钛矿太阳能电池器件的开路电压。所采用的材料成本较低,在工艺上容易实现。

    一种噻唑靛红类化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN109836439A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201711199999.7

    申请日:2017-11-27

    Abstract: 本发明涉及一种噻唑靛红类化合物及其制备方法。所述噻唑靛红类化合物的结构通式如(I)所示,其制备方法以4-噻唑胺酸盐为原料,经过酰化、偶联、还原、草酰胺化、环化等一系列步骤,成功得到了结构式Ⅰ所示的噻唑靛红类化合物。本发明的化合物可以作为医药中间体的重要结构单元,也可以作为一种重要的受体单元—噻唑异靛蓝的前驱体,在医药和有机光电材料领域具有很好的应用前景。(Ⅰ)。

    一种制备二氮杂环辛四烯的方法

    公开(公告)号:CN102584725B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201110009354.9

    申请日:2011-01-12

    Abstract: 一种制备二氮杂环辛四烯的方法,包括以下步骤:1)以酸酐与芳香化合物为反应原料进行傅克反应,制备取代苯甲酰基苯甲酸化合物;2)用取代苯甲酰基苯甲酸在氯化试剂条件下,制备苯甲酰氯;在-10-50℃,利用叠氮化钠与苯甲酰氯反应,制备苯甲酰叠氮化合物;3)苯甲酰基叠氮化合物在酸性体系下,于20-120℃下合环反应,制备二氮杂环辛四烯。本发明制备二氮杂环辛四烯的方法,使用原料价格低廉,反应条件温和,大大降低了制备二氮杂环辛四烯的成本,使其能够应用于光电材料、医药等领域。

    一种制备二氮杂环辛四烯的方法

    公开(公告)号:CN102584725A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110009354.9

    申请日:2011-01-12

    Abstract: 一种制备二氮杂环辛四烯的方法,包括以下步骤:1)以酸酐与芳香化合物为反应原料进行傅克反应,制备取代苯甲酰基苯甲酸化合物;2)用取代苯甲酰基苯甲酸在氯化试剂条件下,制备苯甲酰氯;在-10-50℃,利用叠氮化钠与苯甲酰氯反应,制备苯甲酰叠氮化合物;3)苯甲酰基叠氮化合物在酸性体系下,于20-120℃下合环反应,制备二氮杂环辛四烯。本发明制备二氮杂环辛四烯的方法,使用原料价格低廉,反应条件温和,大大降低了制备二氮杂环辛四烯的成本,使其能够应用于光电材料、医药等领域。

    一种提高钙钛矿薄膜结晶质量的方法及其应用

    公开(公告)号:CN117693268A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311718328.2

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种提高钙钛矿薄膜结晶质量的方法及其应用。在形成有机‑无机杂化钙钛矿薄膜的前驱液中加入添加剂,于室温下通过添加剂直接诱导形成黑相钙钛矿,进而提高结晶质量;其中,添加剂为RbPb2Br5纳米晶体和/或CsPb2Br5纳米晶体。本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中引入RbPb2Br5纳米晶体和/或CsPb2Br5纳米晶体作为晶种,在室温下直接诱导钙钛矿黑相形成,有效调节室温相变,提高了薄膜的结晶质量,降低了缺陷密度和非辐射复合,提升了器件稳定性;同时,由于RbPb2Br5或CsPb2Br5纳米晶体具有较宽的带隙(>3.1eV),因此作为添加剂可有效调节钙钛矿带隙,提升开路电压,且添加剂的材料成本较低,在工艺上容易实现。

    一种甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法

    公开(公告)号:CN112242490B

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN201910638203.6

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明属于薄膜材料的制备方法,具体涉及一种通过后气体修复方式的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法。在0℃到100℃下,将甲脒基钙钛矿(结构式为ABX3)初始薄膜经氨气、含氨气的混合气体或含氨气的溶液中处理0.1s—30min,进而实现对甲脒基钙钛矿薄膜的均匀性得以提升;或,在形成初始薄膜的前驱体溶液中通入氨气,直接制备高均匀性甲脒基钙钛矿薄膜。本发明工艺比蒸发法和连续沉积法更易操作,成本低廉,适用于大规模生产;与现有的一步溶液法相比,本发明的方法可以实现大面积制备,且具有较高的结晶质量,进而使得获得的膜可胜任多种器件结构,如介孔和平面钙钛矿太阳能电池、二极管和激光器等。

    一种甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法

    公开(公告)号:CN112242490A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201910638203.6

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明属于薄膜材料的制备方法,具体涉及一种通过后气体修复方式的甲脒基钙钛矿薄膜的后修复方法。在0℃到100℃下,将甲脒基钙钛矿(结构式为ABX3)初始薄膜经氨气、含氨气的混合气体或含氨气的溶液中处理0.1s—30min,进而实现对甲脒基钙钛矿薄膜的均匀性得以提升;或,在形成初始薄膜的前驱体溶液中通入氨气,直接制备高均匀性甲脒基钙钛矿薄膜。本发明工艺比蒸发法和连续沉积法更易操作,成本低廉,适用于大规模生产;与现有的一步溶液法相比,本发明的方法可以实现大面积制备,且具有较高的结晶质量,进而使得获得的膜可胜任多种器件结构,如介孔和平面钙钛矿太阳能电池、二极管和激光器等。

    一种用于狭缝涂布设备的涂布模头及其涂布方法

    公开(公告)号:CN119819541A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510208171.1

    申请日:2025-02-25

    Abstract: 本发明属于溶液法薄膜沉积设备技术领域,具体地说是一种用于狭缝涂布设备的涂布模头及其涂布方法,第一模头、垫片及第二模头依次相连,垫片下端设有豁口,进而在第一、二模头的下端之间形成涂布唇口;第一模头朝向垫片的一面为出液端,第一模头的内部分别开设有储液槽及出液通道,出液通道的一端与储液槽连通,另一端与第一模头的出液端连通;第一模头上密封安装有进气盖,通过进气盖向储液槽内泵入气体加压;第一模头上还安装有用于前驱液除泡的超声波发生器。本发明采用低压超声除泡技术,有效减少薄膜中的“针孔”缺陷,同时,通过气体挤压方法减少传统涂布技术中管道、注射泵等设备中残留的前驱液,从而显著降低实验室研究成本。

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