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公开(公告)号:CN119027959A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411110037.X
申请日:2024-08-14
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: G06V30/19 , G06V30/14 , G06V30/18 , G06F30/392 , G06T7/62 , G06T3/40 , G06F111/20
Abstract: 本申请提供一种电子元件几何尺寸数据提取方法、装置、设备及存储介质。涉及计算机辅助设计技术领域。该方法包括:获取电子元件的PDF格式数据手册;基于从PDF格式数据手册中提取的尺寸特征对电子元件的尺寸视图进行定位;基于尺寸视图的定位数据,从PDF格式数据手册中提取出尺寸视图页面数据,根据尺寸视图页面数据获取矢量图形,根据尺寸特征中的尺寸数据对所述矢量图形进行缩放处理,得到全比例的尺寸图形数据,基于全比例的尺寸图形数据,识别出特征元素,利用特征元素确定电子元件几何尺寸数据,并将该电子元件几何尺寸数据提取存储于设定的数据结构中。本申请解决了目前电子元件数据手册中描述封装或几何外形的图形及其关联尺寸信息的提取问题。
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公开(公告)号:CN116487456A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310286612.0
申请日:2023-03-22
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/0264 , H01L31/08 , H01L31/18 , B82Y20/00 , H10K30/60 , H10K85/20 , H10K30/81 , H10K77/10 , H10K71/00
Abstract: 本发明属于光电子技术领域,具体涉及一种基于超短纳米沟道/低维材料的光电探测器及其制备方法。该光电探测器包括硅基衬底、低维材料、纳米沟道、一对金属电极和薄层SiO2;从下到上依次为硅基衬底、薄层SiO2、纳米沟道和低维材料;其中,低维材料位于纳米沟道上方;一对金属电极位于纳米沟道的两侧,分别连接低维材料的两端。本发明通过构筑超短纳米沟道/低维材料混合结构,提供了一种高灵敏光电探测器,该探测器利用超短纳米沟道在增强低维材料光吸收的同时也提升电荷的收集效率,从而实现光电转换效率的提升,在可见光至红外波段范围具有良好的光电响应。
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公开(公告)号:CN106153202B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201610564989.8
申请日:2016-07-18
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种非制冷宽波段红外探测器,其单元器件包括硅基底、支撑层、金属电极、宽波段红外吸收层、热敏感层及悬空孔;热敏感层置于宽波段红外吸收层上方或下方的中间;金属电极置于热敏感层的两旁、宽波段红外吸收层两端的上方;支撑层置于硅基底上方,悬空孔置于硅基底和支撑层的中间,并穿透了硅基底和支撑层,宽波段红外吸收层和热敏感层均置于支撑层上方且完全覆盖支撑层中间的悬空孔的上端开口。本发明的宽波段红外吸收层和热敏感层共同组成红外敏感层,并结合悬空结构,可极大提高探测器的性能。解决了现有非制冷宽波段红外探测器工艺复杂、红外吸收波段窄、红外吸收率低等问题,实现非制冷宽波段、低成本、高灵敏度红外探测。
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公开(公告)号:CN106876608B
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201710206278.8
申请日:2017-03-31
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管领域,具体地涉及一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法,包括分布有纳米凸起结构的柔性透明基底以及位于柔性透明基底之上的多层电极结构,所述多层电极结构自下而上包括:柔性透明基底上的种子层、位于种子层上的超薄金属层、超薄金属层上的减反增透层。因其随机分布纳米结构的存在,有效降低了全反射,耦合出了被局限在OLED结构中的部分波导模式和表面等离子体模式,实现了较无光提取结构OLED器件出光效率大幅度提升,并且提出的纳米结构制作方法兼容于大面积或者精细小面积的制备过程。
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公开(公告)号:CN106115603B
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201610567772.2
申请日:2016-07-19
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于多孔/量子点结构红外探测器,包括基底;所述基底上设置周期性红外探测基元阵列,单个所述红外探测基元包括位于基底上的衬底和生长于衬底上的多孔结构薄膜,所述多孔结构薄膜的孔隙内部为红外敏感材料量子点。将量子点做为桥面结构中的红外吸收层薄膜,多孔结构作为热敏感层薄膜,增强了红外探测焦平面器件的红外吸收率,从而使得非制冷焦平面器件的探测效率得到进一步提升,该制作过程简单可控,稳定性和可重复性高,这对器件的大批量生产有着至关重要的意义。
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公开(公告)号:CN106092334A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610566514.2
申请日:2016-07-19
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/103 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米红外吸收层的红外探测器,包括第一氮化硅层,所述第一氮化硅层向下依次为第一碳纳米红外吸收层,第二氮化硅层,热敏电阻层和第四氮化硅层;所述第一氮化硅层、第一碳纳米红外吸收层和第二氮化硅层构成红外探测器的宽波段红外吸收复合膜;所述第四氮化硅层和金属反射层之间通过支撑桥墩形成红外吸收谐振腔;所述金属反射层位于硅衬底之上。本发明的红外探测器能够实现宽波段红外吸收增强,从而提高器件的探测灵敏度,器件结构简单,兼容MEMS工艺,适合批量生产。
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公开(公告)号:CN105506578A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201510991088.2
申请日:2015-12-24
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: C23C16/30
CPC classification number: C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种大面积MoS2薄膜生长方法,采用化学气相沉积法制备大面积MoS2薄膜,具体步骤如下:1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置,将SiO2基底a、导热层b、瓷片c依次叠放平放在钼源上方,封闭连接管路;2)在封闭的石英管中通入保护气体5-10分钟进行排空,打开炉子加热开关,升温至700-800℃,保温10分钟,关闭加热,冷却至室温,即可获得尺寸范围50-300微米的MoS2薄膜。本发明提供的大面积MoS2薄膜的制备方法,可以大大缩短制备薄膜的反应时间,并且制备出的形貌均匀,所制备的MoS2薄膜可以应用于光电探测器件、逻辑电路、电子元器件等领域。
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公开(公告)号:CN105486414A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510975460.0
申请日:2015-12-23
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯微测辐射热计,所述石墨烯微测辐射热计包括硅基底(101)、悬空孔(102)、悬空支撑层(103)、金属电极引线(104)、石墨烯红外敏感层(105)、石墨烯保护层(106)、悬空支撑层微孔(107)。该微测辐射热计采用石墨烯作为宽波段红外吸收敏感层,采用悬空支撑层微孔结构提高了红外探测灵敏度,结构简单,成本低,且具有优异的非制冷宽波段红外探测性能。
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公开(公告)号:CN118039490A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410214390.6
申请日:2024-02-27
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01L21/36 , H01L31/032 , H01L31/072 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及狄拉克半金属纳米颗粒的制备方法及其产品和在光局域增强型异质结光电探测器中的应用,属于光电材料与器件技术领域。本发明主要通过高温控制金属钯处在一种熔融状态下,在此氛围下钯被敏化合成为二硒化钯或二碲化钯纳米颗粒,其独特的形貌结构与可以实现局域光电子共振增强的性质对其他狄拉克半金属材料的颗粒化应用也有所启示,为多元化的狄拉克半金属材料应用做出贡献。
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公开(公告)号:CN115292961A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202211080234.2
申请日:2022-09-05
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明为一种预测半导体载流子迁移率的方法,通过对目标晶体建模并计算载流子迁移率,建模对目标晶体进行结构扭曲并计算修正值,利用该修正值对载流子迁移率计算结果进行修正。本发明通过对晶体结构进行扭曲,计算修正值,并基于修正值得到目标晶体载流子迁移率,解决了计算预测载流子的迁移率,比实验上测得的载流子迁移率偏高的问题,达到了计算预测的结果更加精确、贴近实际情况的效果。
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