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公开(公告)号：CN102157623B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110054031.1
申请日：2011-03-08
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移技术，其具体步骤如下：首先在硬性衬底上沉积生长出一腐蚀牺牲层；然后在已生长好的腐蚀牺牲层上沉积生长出太阳能电池层；在太阳能电池层上加热黑蜡融化并自然冷凝至常温后固定在太阳能电池层表面形成支撑层，将带有支撑层的太阳能电池层置于选择性腐蚀液在常温下浸泡6-8小时，使太阳能电池层与硬性衬底之间的腐蚀牺牲层被完全腐蚀去除；从硬性衬底中剥离的太阳能电池层在支撑层的作用下，转移并固定至柔性衬底上；最后采用溶解剂把固定于太阳能电池层表面的支撑层溶解去除。本发明实现太阳能电池的轻量化和柔性化，扩大了薄膜太阳能电池的应用范围。
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公开(公告)号：CN102857299A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210301099.X
申请日：2012-08-23
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H04B10/11 , H04B10/071
摘要： 本申请公开了一种光通信系统，包括：信息接收部，其包括光源和探测器，所述光源输出光源信号；信息发送部，其包括一空间光调制器，该空间光调制器接收所述光源信号并对其进行调制，并将反馈信息加载到所述光源信号上后反射至所述信息接收部，所述探测器接收反射回来的光源信号并对其进行解调。本申请还公开了一种光通信方法。本发明的光通信系统，其结合了微波通信与光纤通信的优点，既具有大容量、高速、保密性好和安全可靠的优点，又不需要铺设光纤，应用灵活。
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公开(公告)号：CN102798988A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210315703.4
申请日：2012-08-31
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本申请公开了一种光调制器，该光调制器包括量子阱有源层，所述量子阱有源层由InGaN/GaN材料制成。本发明的光调制器，通过该技术，可以解决红外波段在大气和水下被强烈吸收的问题，实现蓝绿可见光的自由空间光通信。这种通信具有保密性好，低功耗和多点分布式等特点，可以应用在敌我识别，无人机，海上浮标侦测和探矿、搜救等领域。
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公开(公告)号：CN103354494B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310282159.2
申请日：2013-07-05
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明涉及一种基于超晶格混沌同步的通讯系统，包括原始信息发生装置、第一混沌信号发生装置、调制装置、解调装置、第二混沌信号发生装置以及原始信息接收装置。第一混沌信号发生装置、第二混沌信号发生装置均为基于超晶格器件的混沌信号发生电路，且电路参数相互耦合；第一混沌信号发生装置产生第一混沌信号，调制装置根据第一混沌信号对原始信息调制；第二混沌信号发生装置产生第二混沌信号，第二混沌信号与第一混沌信号同步，解调装置对调制信息解调得到解调信号。本发明发送端和接收端的混沌信号发生装置电路参数耦合，可以产生同步的随机数码流，实现发送端和接收端的自动同步；即使第三方知道发送端与接收端的参数也不能破译出原始信息。
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公开(公告)号：CN102569369A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210031598.1
申请日：2012-02-13
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/66
摘要： 本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热激发漏电，可以实现工作在室温环境的高质量、高带宽随机噪声源，带宽达GHz以上。
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公开(公告)号：CN102157622A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110054019.0
申请日：2011-03-08
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域，这种制造方法，包括：使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的多结p-n结串联的太阳能电池外延材料；使用光刻技术和刻蚀技术腐蚀出下接触层台面，将腐蚀台面刻蚀到下层隔离层；使用沉积方法在太阳能电池外延材料正面生长钝化绝缘层，并使用光刻和刻蚀技术开出电极窗口和入光窗口；使用光刻和镀膜技术在电极窗口和钝化绝缘层上制备电连接层，通过剥离技术和退火工艺，形成顶接触层和下接触层之间的电连接。这种太阳能电池的特点是高效，高压输出，轻量和柔性。
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公开(公告)号：CN102609238B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210031761.4
申请日：2012-02-13
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G06F7/58
摘要： 本发明涉及随机数生成系统以及随机数生成方法。其中随机数生成系统包括超晶格噪声源、电源模块、量化编码模块、以及输出模块；超晶格噪声源产生随机噪声模拟信号；电源模块与超晶格噪声源电性相连，提供超晶格噪声源自发混沌振荡所需的偏置电压；量化编码模块与超晶格噪声源以及输出模块分别电性相连，将随机噪声模拟信号进行量化编码后生成随机数码流；输出模块输出随机数码流。本发明能够获得具有真随机性、高质量随机数序列，产生速度可达Gbit/s以上，适于应用在数据加密、密钥管理、安全协议、数字签名、身份认证等领域。
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公开(公告)号：CN102856367B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210301121.0
申请日：2012-08-23
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热激发漏电，可以实现工作在室温环境的高质量、高带宽随机噪声源，带宽达GHz以上。
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公开(公告)号：CN102609238A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210031761.4
申请日：2012-02-13
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G06F7/58
摘要： 本发明涉及随机数生成系统以及随机数生成方法。其中随机数生成系统包括超晶格噪声源、电源模块、量化编码模块、以及输出模块；超晶格噪声源产生随机噪声模拟信号；电源模块与超晶格噪声源电性相连，提供超晶格噪声源自发混沌振荡所需的偏置电压；量化编码模块与超晶格噪声源以及输出模块分别电性相连，将随机噪声模拟信号进行量化编码后生成随机数码流；输出模块输出随机数码流。本发明能够获得具有真随机性、高质量随机数序列，产生速度可达Gbit/s以上，适于应用在数据加密、密钥管理、安全协议、数字签名、身份认证等领域。
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公开(公告)号：CN102157623A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110054031.1
申请日：2011-03-08
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移技术，其具体步骤如下：首先在硬性衬底上沉积生长出一腐蚀牺牲层；然后在已生长好的腐蚀牺牲层上沉积生长出太阳能电池层；在太阳能电池层上加热黑蜡融化并自然冷凝至常温后固定在太阳能电池层表面形成支撑层，将带有支撑层的太阳能电池层置于选择性腐蚀液在常温下浸泡6-8小时，使太阳能电池层与硬性衬底之间的腐蚀牺牲层被完全腐蚀去除；从硬性衬底中剥离的太阳能电池层在支撑层的作用下，转移并固定至柔性衬底上；最后采用溶解剂把固定于太阳能电池层表面的支撑层溶解去除。本发明实现太阳能电池的轻量化和柔性化，扩大了薄膜太阳能电池的应用范围。
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