-
公开(公告)号：CN102646385B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210135947.4
申请日：2012-05-04
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种空间光调制器的驱动电路结构，它包括由下而上依次布置的一块片选芯片、多块数据寄存及数模转换芯片和一块驱动芯片，所述数据寄存及数模装换芯片内集成有多个间隔分布的数模转换器，且每个数模转换器附近均布置有与之紧邻的数据存储单元，每个数模转换器与驱动芯片之间、以及每个数据存储单元与所述片选芯片之间均通过穿透硅通孔电性连接。该驱动电路结构具有极高的集成度，能支撑大量高速信号传输。
-
公开(公告)号：CN102623517B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210103888.2
申请日：2012-04-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种背接触型晶体硅太阳能电池，包括硅基底(10)、n型或p型掺杂的多晶硅层(15)，在所述n型或p型掺杂的多晶硅层(15)和硅基底(10)之间形成第一钝化层(11)。本发明还提供这种背接触型晶体硅太阳能电池的制作方法，通过热氧化法引入第一钝化层(11)。通过这样方法改进的太阳能电池会大大改善电池表面的钝化效果，减少光生载流子的复合，降低电学的损失，从而获得更高的转换效率，实现更大的功率输出。
-
公开(公告)号：CN102683504A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210182173.0
申请日：2012-06-05
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法，通过该方法制作的晶体硅太阳能电池一方面采用离子注入砷形成表面的N型区域，可以同时具备高掺杂和浅结的功能，从而提高开路电压和电池效率，而且相对于磷，退火后高剂量的砷并不会在硅表面引起太多缺陷，也有益于降低硅片的表面态密度，提高少子寿命；另一方面硅片的金属与硅片的欧姆接触仍采用传统的扩散制结的方法，这样本方法就与现在光伏电池制造领域常规的扩散制结和丝网印刷烧结技术完全兼容，无需摸索新的参数，可以实现大规模量产。
-
公开(公告)号：CN118263124A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410573076.7
申请日：2024-05-09
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/36 , H01L29/207 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法。降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法，其特征在于，包括提供外延结构，所述外延结构包括由沟道层和势垒层形成的异质结，所述势垒层与所述沟道层之间的界面形成有载流子沟道；至少除去位于所述外延结构欧姆区域的势垒层，在暴露在欧姆区域的所述沟道层上溅射形成重掺杂的N型半导体接触层，所述重掺杂的N型半导体接触层与所述载流子沟道电连接；在所述重掺杂的N型半导体接触层上制作源极、漏极，所述源极、所述漏极与所述重掺杂的N型半导体接触层形成欧姆接触。本发明利用重掺杂的N+‑GaN与二维电子气直接接触，避免金属电极与2DEG沟道形成接触势垒，因而可以获得较低的接触电阻。
-
公开(公告)号：CN103035752A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201310029855.2
申请日：2013-01-25
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于，所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小。其制备方法是采用斜角入射物理沉积法，通过调整入射角度和沉积材料，生成多层折射率不同的抗反膜。本发明大大优化了硅太阳能电池的光吸收，从而提高了电池效率。这种方法不会损伤硅晶体本身的光伏特性，能够真正将多吸收的光转化为电能。提高光转化效率，将极大地推动太阳能电池产品的发展。
-
公开(公告)号：CN102623517A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210103888.2
申请日：2012-04-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种背接触型晶体硅太阳能电池，包括硅基底(10)、n型或p型掺杂的多晶硅层(15)，在所述n型或p型掺杂的多晶硅层(15)和硅基底(10)之间形成第一钝化层(11)。本发明还提供这种背接触型晶体硅太阳能电池的制作方法，通过热氧化法引入第一钝化层(11)。通过这样方法改进的太阳能电池会大大改善电池表面的钝化效果，减少光生载流子的复合，降低电学的损失，从而获得更高的转换效率，实现更大的功率输出。
-
公开(公告)号：CN102157622A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110054019.0
申请日：2011-03-08
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域，这种制造方法，包括：使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的多结p-n结串联的太阳能电池外延材料；使用光刻技术和刻蚀技术腐蚀出下接触层台面，将腐蚀台面刻蚀到下层隔离层；使用沉积方法在太阳能电池外延材料正面生长钝化绝缘层，并使用光刻和刻蚀技术开出电极窗口和入光窗口；使用光刻和镀膜技术在电极窗口和钝化绝缘层上制备电连接层，通过剥离技术和退火工艺，形成顶接触层和下接触层之间的电连接。这种太阳能电池的特点是高效，高压输出，轻量和柔性。
-
公开(公告)号：CN101694541B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910183937.6
申请日：2009-08-13
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G02B19/00 , G02B27/00 , H01L31/052 , H02N6/00
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 本发明公开了一种曲顶全反射式二次聚光及匀光集成装置，为实心玻璃的V棱镜梯形结构，它的曲顶面镀有增透膜，曲顶底面为光束的入射面，下底面为光束出射面，且曲顶底面的面积大于下底面的面积。光束经过聚光光伏模组的一次聚光器后变为一束会聚光束，这一束大口径的会聚光束进入曲顶全反射式二次聚光及匀光集成装置的入射面，经过入射面的折射和侧壁的多次全反射后，再以小口径光束从出射面折射到太阳能电池上，从而达到二次聚光的目的，而侧壁对光束的多次全反射又可以使强度分布不均的光斑变得更加均匀，从而实现太阳能电池受光表面光斑的均匀化。
-
公开(公告)号：CN102646385A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210135947.4
申请日：2012-05-04
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种空间光调制器的驱动电路结构，它包括由下而上依次布置的一块片选芯片、多块数据寄存及数模转换芯片和一块驱动芯片，所述数据寄存及数模装换芯片内集成有多个间隔分布的数模转换器，且每个数模转换器附近均布置有与之紧邻的数据存储单元，每个数模转换器与驱动芯片之间、以及每个数据存储单元与所述片选芯片之间均通过穿透硅通孔电性连接。该驱动电路结构具有极高的集成度，能支撑大量高速信号传输。
-
公开(公告)号：CN102163547B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110054010.X
申请日：2011-03-08
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16
摘要： 本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
19 条记录 (耗时 0.054 秒)
