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公开(公告)号：CN101399104A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810072970.7
申请日：2008-10-15
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种较为简便的单晶硅正温度系数片式热敏电阻器及其制备方法，该电阻器是以单晶硅为敏感体，采用单片式结构，在敏感体两端制备端电极，端电极由内到外包括镍电极和银电极两层。本发明采用双层电极的方法实现单晶硅材料和金属电极的欧姆接触。先对硅片表面镀镍，制备出镍电极，划片后用沾银机在芯片的两端制备出银电极。内层的镍和单晶硅材料形成欧姆接触，这样借助于中间化学镀镍层实现了硅晶体和电极间比较好的欧姆接触。所制备的正温度系数热敏电阻器温度系数稳定，线性好，可靠性高。本发明制备工艺简单，生产效率高，一致性好，制造成本低，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN101136271A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710180002.3
申请日：2007-10-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数为50Ω－1.2KΩ，材料B值4100－4500K。
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公开(公告)号：CN1610018A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410092027.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。
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公开(公告)号：CN101399106B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810072972.6
申请日：2008-10-15
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中，利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质，制备出负温度系数热敏材料，然后在精密划片机上划片，芯片两端制作电极，其电极采用镍、银两层结构，实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏功能材料以单晶硅半导体为基础，掺杂金和镍金属原子，形成深能级俘获中心，使材料产生热敏特性，经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布，易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件，并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。
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公开(公告)号：CN1727881A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510086189.1
申请日：2005-07-23
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01N23/227 , G01J1/00
Abstract: 本发明涉及一种光致荧光辐射剂量探测技术，该技术利用掺杂两种稀土元素的碱土金属硫化物的光致荧光特性，通过光致荧光剂量片存储辐射剂量，用光电系统内的光源激发，并用灵敏的弱光探测装置读出荧光片中存储的辐射剂量，获得一种新型的辐射剂量测量技术。该技术包括辐射敏感的光致荧光材料(掺杂两种稀土元素的碱土金属硫化物)、光致荧光辐射剂量片和进行辐射剂量测量所使用的探测设备，适用于γ射线、电子束辐射、X射线等的剂量的测量。该技术测量范围宽、灵敏度高；存储的辐射剂量用内部光源照射清除，设备相对简单、体积小、功耗低。此测量仪器很适合空间在线实时辐射剂量探测，另外还可以用于集成电路辐射，取得了良好的应用效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101136271B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710180002.3
申请日：2007-10-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数为50Ω-1.2KΩ，材料B值4100-4500K。
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公开(公告)号：CN101399106A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810072972.6
申请日：2008-10-15
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中，利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质，制备出负温度系数热敏材料，然后在精密划片机上划片，芯片两端制作电极，其电极采用镍、银两层结构，实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏功能材料以单晶硅半导体为基础，掺杂金和镍金属原子，形成深能级俘获中心，使材料产生热敏特性，经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布，易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件，并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。
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公开(公告)号：CN100358060C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200310116749.4
申请日：2003-11-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料电阻率发生变化，从而呈现热敏特性，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数B值和25℃标称电阻的改变。
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公开(公告)号：CN1619717A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200310116749.4
申请日：2003-11-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料电阻率发生变化，从而呈现热敏特性，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数B值和25℃标称电阻的改变。
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公开(公告)号：CN100378873C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410092027.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。
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