公开(公告)号：CN100378873C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410092027.4

申请日：2004-11-05

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 巴维真 ,  陈朝阳 ,  丛秀云 ,  蔡志军 ,  崔志明

IPC: H01C7/04

Abstract: 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。

公开(公告)号：CN1610018A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410092027.4

申请日：2004-11-05

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 巴维真 ,  陈朝阳 ,  丛秀云 ,  蔡志军 ,  崔志明

IPC: H01C7/04

Abstract: 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。