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公开(公告)号：CN1610018A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410092027.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。
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公开(公告)号：CN1727881A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510086189.1
申请日：2005-07-23
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01N23/227 , G01J1/00
Abstract: 本发明涉及一种光致荧光辐射剂量探测技术，该技术利用掺杂两种稀土元素的碱土金属硫化物的光致荧光特性，通过光致荧光剂量片存储辐射剂量，用光电系统内的光源激发，并用灵敏的弱光探测装置读出荧光片中存储的辐射剂量，获得一种新型的辐射剂量测量技术。该技术包括辐射敏感的光致荧光材料(掺杂两种稀土元素的碱土金属硫化物)、光致荧光辐射剂量片和进行辐射剂量测量所使用的探测设备，适用于γ射线、电子束辐射、X射线等的剂量的测量。该技术测量范围宽、灵敏度高；存储的辐射剂量用内部光源照射清除，设备相对简单、体积小、功耗低。此测量仪器很适合空间在线实时辐射剂量探测，另外还可以用于集成电路辐射，取得了良好的应用效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100358060C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200310116749.4
申请日：2003-11-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料电阻率发生变化，从而呈现热敏特性，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数B值和25℃标称电阻的改变。
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公开(公告)号：CN1619717A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200310116749.4
申请日：2003-11-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料电阻率发生变化，从而呈现热敏特性，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数B值和25℃标称电阻的改变。
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公开(公告)号：CN100378873C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410092027.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。
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公开(公告)号：CN100334181C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510079360.6
申请日：2005-07-08
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: C09K11/77
Abstract: 本发明涉及一种用微波加热法一步合成稀土掺杂光致荧光材料，该光致荧光材料是以碱土金属硫化物作为基质材料，同时掺杂二种稀土金属离子即可。这种加热方式不同于一般常规的电阻炉加热方式，常规电阻炉加热是以电阻发热体为热源，通过热辐射和传导由表及里对材料加热，而微波加热是利用电磁场在材料中的介电损耗而产生的材料整体均匀加热。用此方法加热是在反应物内部各点同时均匀加热，使整个反应物在很短时间内即可提高到一个很高的均匀温度，使反应得以快速均匀地进行。微波加热替代传统的电阻炉加热，可大大提高加热速率和固相反应速率。
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公开(公告)号：CN1702143A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510079360.6
申请日：2005-07-08
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: C09K11/77
Abstract: 本发明涉及一种用微波加热法一步合成稀土掺杂光致荧光材料，该光致荧光材料是以碱土金属硫化物作为基质材料，同时掺杂二种稀土金属离子即可。这种加热方式不同于一般常规的电阻炉加热方式，常规电阻炉加热是以电阻发热体为热源，通过热辐射和传导由表及里对材料加热，而微波加热是利用电磁场在材料中的介电损耗而产生的材料整体均匀加热。用此方法加热是在反应物内部各点同时均匀加热，使整个反应物在很短时间内即可提高到一个很高的均匀温度，使反应得以快速均匀地进行。微波加热替代传统的电阻炉加热，可大大提高加热速率和固相反应速率。
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