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公开(公告)号：CN118742158A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310318551.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种低压有机薄膜晶体管的制备方法，通过使用介电常数为6以上的无机氧化物作为电介质，增大了电介质电容，加强了栅电极对于有源层的控制，降低了器件的工作电压，减少了器件的功耗。另外，本发明无需对电介质层进行过度减薄，因而能够避免栅电极泄露电流的增加，从而确保了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN118231254A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410146839.X
申请日：2024-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/51 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种环形沟道薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有的晶体管器件之间的均一性不理想的问题。该环形沟道薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上形成图案化的栅电极，所述栅电极的图案包括圆环形和与所述圆环形的部分圆弧临接的方形；在所述栅电极和所述衬底上依次生长第一栅介质、第二栅介质、有源层材料；对所述有源层材料进行图案化处理得到有源层，所述有源层的图案为圆环形；对所述方形的栅电极上方的所述第一栅介质和所述第二栅介质进行刻蚀，露出所述方形的栅电极的部分区域；在所述有源层和所述第二栅介质上生长源漏电极材料并对所述源漏电极材料进行图案化处理形成源漏电极之间的环形沟道；以及在所述源漏电极上生长封装材料并对所述封装材料进行刻蚀，露出栅电极和源漏电极。
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公开(公告)号：CN118055666A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410189525.8
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种有机光电晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中缺少高性能的有机红外光电探测器的技术问题。该有机光电晶体管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极之间存在沟道区域；在所述源电极和所述衬底上形成P型有机光电半导体有源层，所述P型有机光电半导体有源层覆盖所述沟道区域中靠近所述源电极的第一部分区域以及与所述第一部分区域邻接的所述源电极的部分区域；在所述漏电极、所述衬底和所述P型有机光电半导体有源层上形成N型有机光电半导体有源层，所述N型有机光电半导体有源层覆盖所述沟道区域中靠近所述漏电极的第二部分区域以及与所述第二部分区域邻接的所述漏电极的部分区域；其中，所述第一部分区域和所述第二部分区域在所述沟道区域中存在交叠。
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公开(公告)号：CN112951999A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110284016.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法，单分子层有机半导体层的制备方法包括：提供一衬底；配制聚合物溶液；将衬底在聚合物溶液中进行提拉处理，以制备单分子层有机半导体层。单分子层有机半导体层的制备方法操作简单，成本低，可以实现大面积单分子层有机半导体层的制备。
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公开(公告)号：CN111653613A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010422651.5
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/15 , H01L29/267 , H01L21/334
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种二维材料超晶格器件及制作方法，该方法包括：形成绝缘层衬底；在所述绝缘层衬底上开设阵列槽；形成二维材料异质结，所述二维材料异质结包括由下至上的第一二维材料层、第二二维材料层以及第三二维材料层；将所述二维材料异质结转移至所述绝缘层衬底的所述阵列槽上，阵列槽产生的电势能够影响二维材料异质结的能带特性，而且，将器件的阵列槽与二维材料异质结的制作分开进行，避免在衬底上直接制作二维材料异质结产生的杂质，进而保障电子迁移率，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119808862A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411632695.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种产生尖峰电压脉冲的电路及晶体管的制备方法，涉及集成电路仿生设计领域，以解决现有技术中无法稳定和高效地将复杂生物信息转化为电信号的问题。电路至少包括：相互连接的电容单元，晶体管单元及反相器单元；晶体管单元中包括第一晶体管，反相器单元中包括第一和第二晶体管；第一和第二晶体管分别为基于低温金属氧化物和低温多晶氧化物制备的N型半导体IGZO晶体管和P型半导体LTPS晶体管；电路基于输入的电流信号，利用电容单元、晶体管单元以及反相器单元生成用于表示传感器采集的生物信息的尖峰电压脉冲信号；实现了能够适应生物环境中复杂的机械形变和不规则结构，贴合生物组织，模拟生物系统中电信号的传递过程。
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公开(公告)号：CN119451369A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411513163.X
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种单片三维集成晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以将兼容后端(BEOL)的顶层器件集成在低热预算下，并使单片三维集成晶体管的层与层之间实现逻辑互联。所述单片三维集成晶体管包括：衬底、第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管形成于衬底上；第一晶体管为薄膜晶体管，第一晶体管的有源区材料为氧化铟镓锌；以及形成于第一晶体管上的第二晶体管。第二晶体管为有机薄膜晶体管；第二晶体管和第一晶体管构成三维叠层互补晶体管。所述单片三维集成晶体管的制造方法包括：提供衬底。在衬底上形成第一晶体管；第一晶体管为薄膜晶体管；在第一晶体管上形成第二晶体管；第二晶体管和第一晶体管构成三维叠层互补晶体管。
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公开(公告)号：CN111640800B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010366057.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：绝缘衬底；由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中半导体器件的性能有待提升的技术问题。提供了一种性能较优的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112951999B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110284016.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法，单分子层有机半导体层的制备方法包括：提供一衬底；配制聚合物溶液；将衬底在聚合物溶液中进行提拉处理，以制备单分子层有机半导体层。单分子层有机半导体层的制备方法操作简单，成本低，可以实现大面积单分子层有机半导体层的制备。
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公开(公告)号：CN118804607A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310397964.3
申请日：2023-04-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体管及制备方法，在衬底上形成栅极层；所述栅极层包括依次设置的栅电极、栅电介质层；图形化所述栅电介质层，形成连通至所述栅电极的第一通孔；在所述栅极层上依次形成源漏电极、有源层、保护层、封装层；在所述第一通孔的位置处依次图形化所述封装层、所述保护层、所述有源层，形成连通至所述栅电极的第二通孔。本发明通过两次图案化操作，在同一位置处的栅电介质层与有源层上加工出通孔连接通至栅电极，实现了在有源层上进行图案化，减小有机薄膜晶体管的关断漏电流、栅泄漏电流及亚阈值摆幅，提升有机薄膜晶体管电路的开关速度，减少有机薄膜晶体管电路的功耗。
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