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公开(公告)号：CN118231254A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410146839.X
申请日：2024-02-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/51 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及一种环形沟道薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有的晶体管器件之间的均一性不理想的问题。该环形沟道薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上形成图案化的栅电极，所述栅电极的图案包括圆环形和与所述圆环形的部分圆弧临接的方形；在所述栅电极和所述衬底上依次生长第一栅介质、第二栅介质、有源层材料；对所述有源层材料进行图案化处理得到有源层，所述有源层的图案为圆环形；对所述方形的栅电极上方的所述第一栅介质和所述第二栅介质进行刻蚀，露出所述方形的栅电极的部分区域；在所述有源层和所述第二栅介质上生长源漏电极材料并对所述源漏电极材料进行图案化处理形成源漏电极之间的环形沟道；以及在所述源漏电极上生长封装材料并对所述封装材料进行刻蚀，露出栅电极和源漏电极。
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公开(公告)号：CN118055666A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410189525.8
申请日：2024-02-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种有机光电晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中缺少高性能的有机红外光电探测器的技术问题。该有机光电晶体管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极之间存在沟道区域；在所述源电极和所述衬底上形成P型有机光电半导体有源层，所述P型有机光电半导体有源层覆盖所述沟道区域中靠近所述源电极的第一部分区域以及与所述第一部分区域邻接的所述源电极的部分区域；在所述漏电极、所述衬底和所述P型有机光电半导体有源层上形成N型有机光电半导体有源层，所述N型有机光电半导体有源层覆盖所述沟道区域中靠近所述漏电极的第二部分区域以及与所述第二部分区域邻接的所述漏电极的部分区域；其中，所述第一部分区域和所述第二部分区域在所述沟道区域中存在交叠。
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公开(公告)号：CN111653613A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010422651.5
申请日：2020-05-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/15 , H01L29/267 , H01L21/334
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种二维材料超晶格器件及制作方法，该方法包括：形成绝缘层衬底；在所述绝缘层衬底上开设阵列槽；形成二维材料异质结，所述二维材料异质结包括由下至上的第一二维材料层、第二二维材料层以及第三二维材料层；将所述二维材料异质结转移至所述绝缘层衬底的所述阵列槽上，阵列槽产生的电势能够影响二维材料异质结的能带特性，而且，将器件的阵列槽与二维材料异质结的制作分开进行，避免在衬底上直接制作二维材料异质结产生的杂质，进而保障电子迁移率，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN111640800B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010366057.9
申请日：2020-04-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：绝缘衬底；由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中半导体器件的性能有待提升的技术问题。提供了一种性能较优的半导体器件。
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公开(公告)号：CN118804607A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310397964.3
申请日：2023-04-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种晶体管及制备方法，在衬底上形成栅极层；所述栅极层包括依次设置的栅电极、栅电介质层；图形化所述栅电介质层，形成连通至所述栅电极的第一通孔；在所述栅极层上依次形成源漏电极、有源层、保护层、封装层；在所述第一通孔的位置处依次图形化所述封装层、所述保护层、所述有源层，形成连通至所述栅电极的第二通孔。本发明通过两次图案化操作，在同一位置处的栅电介质层与有源层上加工出通孔连接通至栅电极，实现了在有源层上进行图案化，减小有机薄膜晶体管的关断漏电流、栅泄漏电流及亚阈值摆幅，提升有机薄膜晶体管电路的开关速度，减少有机薄膜晶体管电路的功耗。
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公开(公告)号：CN111640800A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010366057.9
申请日：2020-04-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：绝缘衬底；由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中半导体器件的性能有待提升的技术问题。提供了一种性能较优的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111640673A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010352885.7
申请日：2020-04-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/34 , H01L21/28 , H01L21/44 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种双栅薄膜晶体管及其制作方法，该双栅薄膜晶体管，包括：衬底、位于所述衬底上的有源层、位于所述有源层上的介质层、位于所述介质层两侧的源电极和漏电极；还包括：并排位于所述介质层上的第一栅电极和第二栅电极，且所述第一栅电极的功函数和所述第二栅电极的功函数间存在功函数差，由于第一栅电极的材料和第二栅电极的材料不同，即存在功函数差，因此，在沟道中形成加速电场，进而有利于增加载流子的迁移率，降低亚阈值摆幅，改善器件的偏置稳定性并减少器件的关态电流，能够在亚阈值区域表现较佳效果。
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