公开(公告)号：CN116721685A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310708771.5

申请日：2023-06-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 窦春萌 ,  李智 ,  李伟增 ,  叶望 ,  王琳方 ,  安俊杰 ,  高行行 ,  郭婧蕊 ,  徐丽华 ,  汪令飞 ,  杨冠华 ,  李泠

IPC: G11C16/24 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 本说明书实施例提供了一种2T动态随机存储器单元多值写入电路及方法，其中，电路包括：2T1C存储模块，由多个2T1C动态随机存储器单元组成，用于存储数据；字线输入驱动电路，与2T1C存储模块连接，用于控制写字线WWL或读字线RWL的导通状态；电流写驱动电路，连接在2T1C存储模块之后，用于将写位线WBL和读位线RBL形成二极管形式，向选中的2T1C动态随机存储器单元写入数据；多路选择器，连接在2T1C存储模块之后，用于在读出阶段选择读位线RBL；数据读出电路，连接在多路选择器之后，用于在读出阶段将多路选择器选择的读位线RBL进行电压钳位，读取电流输出；地址和时序控制电路，与字线输入驱动电路、电流写驱动电路、多路选择器及数据读出电路连接。

公开(公告)号：CN116994620A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311039542.5

申请日：2023-08-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 窦春萌 ,  李智 ,  王琳方 ,  徐丽华 ,  杨冠华 ,  汪令飞 ,  耿玓 ,  李泠

IPC: G11C11/4074 ,  G11C11/4096

Abstract: 本公开提供了一种存储单元及其驱动方法、动态随机存取存储器，该存储单元包括：读晶体管和写晶体管；读晶体管至少包括第一顶栅和第一背栅，第一顶栅与写晶体管的第二极连接，用于存储数据，第一背栅用于调整读晶体管的阈值电压；在数据读取阶段和保持阶段，第一背栅上施加第一电压；在数据写入阶段，第一背栅上施加第二电压，第一电压大于第二电压。本公开通过对存储单元中的读晶体管进行背栅的设置，在写入数据过程中对读晶体管的阈值电压进行调节，使读晶体管的第一顶栅电压得到一个高于目标数值的电压，当写晶体管的控制信号下降沿到来时，会衰减读晶体管第一顶栅的电压，实现存储节点电压的补偿效果，避免数据扰动、导致读写错误的问题产生。