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公开(公告)号：CN111650691A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010594163.2
申请日：2020-06-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种硅基片上集成半导体放大器，包括：模场调控器，采用聚合物材料，其上设计包括载物台和相对于载物台对向设置的至少一组光传输波导，每组光传输波导包括光输入波导和光输出波导；InP基半导体放大器，置于载物台上，并具有光波导通路，光输入波导的光经光波导通路放大后传输至光输出波导；以及模斑变换器，采用聚合物材料，作为光输入波导、光波导通路和光输出波导之间的连接组件。本发明提供的该硅基片上集成半导体放大器，利用混合集成技术实现lnP基半导体放大器与硅基光子芯片之间的异质集成，利用模场调控器完成lnP基波导与硅基波导的光模场匹配、耦合与传输，最终实现低损耗、高增益的硅基片上集成光放大器。
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公开(公告)号：CN111458948B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010309286.7
申请日：2020-04-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G02F1/225
摘要： 一种实现开关消光比提高的电光强度调制器及其应用，该电光强度调制器包括输入光波导；第一耦合器；第一对相位调制臂，其两臂的侧边设有第一对行波电极；多模干涉结构，其包含两个输入光波导、一个多模干涉区和两个输出光波导，用于将经过第一对相位调制臂调制后的两束光经过多模干涉区转换成输出的新的两束光；第二对相位调制臂，其两臂的侧边设有第二对行波电极；第二耦合器以及输出光波导，其用于将第二耦合器合束后的光输出。本发明的结构通过调谐调制器输入端的两分支光功率比，可以补偿由于工艺误差引起的不对称导致的消光比下降，显著提高消光比的同时，增加了工艺容差，提高了生产效率和良品率。
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公开(公告)号：CN111458793A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010309288.6
申请日：2020-04-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种LNOI基脊型光波导端面耦合结构及其应用，该LNOI基脊型光波导端面耦合结构包括衬底；绝缘层；脊型波导区，包括：第一波导芯层平板区、第一波导芯层脊型区、第二波导芯层平板区和第二波导芯层脊型区；以及第三波导芯层。本发明的结构中通过使第二波导芯层脊型区和第二波导芯层平板区分层不同步缩小成楔形结构，使第二波导芯层脊型区楔形尖端不需要尺寸很小即可将光场转换到平板区继续传输，然后在平板区楔形尖端泄露扩展到第三波导芯层继续传输，降低了小尺寸结构的制备工艺难度；本发明的结构能够实现LNOI芯片与光纤的高效率耦合，有利于实现大规模光子集成。
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公开(公告)号：CN116794765A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210259223.4
申请日：2022-03-14
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开涉及了一种光电集成模块及其制备方法，该光电集成模块包括：热沉垫块；薄膜铌酸锂芯片，设置于热沉垫块上并包括第一波导层；氮化硅芯片，设置于热沉垫块上，并包括第二波导层，第二波导层包括：输入波导，与光纤的模场匹配，以接收光纤传输的激光；以及输出波导，与第一波导层的模场相匹配，以将激光输送到薄膜铌酸锂芯片，实现薄膜铌酸锂芯片和光纤的光耦合。
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公开(公告)号：CN114826420A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110065558.8
申请日：2021-01-18
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供一种基于光学频率梳的下变频装置及下变频方法，该装置包括：第一光学频率梳模块和第二光学频率梳模块，第一光学频率梳模块和第二光学频率梳模块分别用于输出第一光学频率梳和第二光学频率梳；强度调制器，用于接收微波信号和第二光学频率梳，并将微波信号调制到第二光学频率梳上，以输出第一光载波；合束器，用于将第一光学频率梳和第一光载波合成一路光信号，以输出第二光载波；光电探测器，用于接收第二光载波，并将微波信号从第二光载波中解调出来，并根据解调出来的信号获取第一信号；可调谐滤波器，用于根据第一信号进行信道选择和切换，以输出变频后的信号。
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公开(公告)号：CN111856791B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910360248.1
申请日：2019-04-29
申请人： 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
摘要： 一种基于模式滤波器的硅基磁光隔离器，包括模式滤波器以及法拉第旋光器，模式滤波器采用嵌入透明导电氧化物层的条形硅波导结构，法拉第旋光器采用条形磁光材料结构；正向传输的横电场模的输入信号从模式滤波器输入，在通过模式滤波区之后，进入法拉第旋光器并实现45°的偏振旋转后输出；被反射的反向传输光从法拉第旋光器输入，进入法拉第旋光器沿原方向继续旋转45°，共旋转90°后反向传输光由横电场模变为了横磁场模，进入模式滤波器的滤波区时，被透明导电氧化物层损耗，从而实现了反向传输光的隔离。本发明具有隔离度高，插入损耗低，器件尺寸小，易于CMOS集成等特点。
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公开(公告)号：CN112698518A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110106883.4
申请日：2021-01-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供一种铌酸锂纵模光隔离器，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；非互易波导包括磁光波导和铌酸锂波导，磁光波导和铌酸锂波导沿高度方向堆叠形成，磁光波导设置于铌酸锂波导的上方。本发明具有对反向传输纵模光的隔离度高，波导耦合效率高，器件尺寸小，易于集成等特点。
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公开(公告)号：CN110401101A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910687036.4
申请日：2019-07-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法，该耦合结构包括激光器单元，其包含有激光器芯片；硅光芯片，其上设有波导；以及刻蚀槽，其设置在硅光芯片的耦合端，用于连接激光器单元和硅光芯片。本发明能够实现半导体激光器芯片与硅光芯片的高效率耦合，有利于为硅光混合集成提供高品质光源，本发明在硅光芯片耦合端面镀了增透膜，同时减小了耦合损耗和激光器的RIN噪声，且在激光器芯片和硅光芯片的缝隙中填充折射率匹配胶，减小了光场散射损耗，进一步减小了耦合损耗。
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公开(公告)号：CN112711147B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110106888.7
申请日：2021-01-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供一种与偏振无关的铌酸锂光隔离器，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；非互易波导包括磁光波导和铌酸锂脊波导，磁光波导位于铌酸锂脊波导的平板波导上方，磁光波导与铌酸锂脊波导的脊沿宽度方向并排形成；第一耦合器(3)及第二耦合器(4)为铌酸锂脊波导，实现同时对横模和纵模的反向输入光的隔离。本发明具有与偏振无关、波导耦合效率高、易于集成等特点。
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公开(公告)号：CN112764247A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110106897.6
申请日：2021-01-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供一种铌酸锂横模光隔离器，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；非互易波导包括磁光波导和铌酸锂波导，磁光波导和铌酸锂波导沿宽度方向并排形成。本发明具有隔离度高，波导耦合效率高，器件尺寸小，易于集成等特点。
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