- 专利标题: 基于模式滤波器的硅基磁光隔离器及制备方法
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申请号: CN201910360248.1申请日: 2019-04-29
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公开(公告)号: CN111856791B公开(公告)日: 2021-10-08
- 发明人: 李明轩 , 李金野 , 于海洋 , 戴双兴 , 刘建国
- 申请人: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号;
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所,中国科学院大学
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所,中国科学院大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号;
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 主分类号: G02F1/095
- IPC分类号: G02F1/095 ; G02B6/122 ; G02B6/126 ; G02B6/132 ; G02B6/13
摘要:
一种基于模式滤波器的硅基磁光隔离器,包括模式滤波器以及法拉第旋光器,模式滤波器采用嵌入透明导电氧化物层的条形硅波导结构,法拉第旋光器采用条形磁光材料结构;正向传输的横电场模的输入信号从模式滤波器输入,在通过模式滤波区之后,进入法拉第旋光器并实现45°的偏振旋转后输出;被反射的反向传输光从法拉第旋光器输入,进入法拉第旋光器沿原方向继续旋转45°,共旋转90°后反向传输光由横电场模变为了横磁场模,进入模式滤波器的滤波区时,被透明导电氧化物层损耗,从而实现了反向传输光的隔离。本发明具有隔离度高,插入损耗低,器件尺寸小,易于CMOS集成等特点。
公开/授权文献
- CN111856791A 基于模式滤波器的硅基磁光隔离器及制备方法 公开/授权日:2020-10-30