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公开(公告)号：CN103499852B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310470036.1
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海宽带技术及应用工程研究中心
Abstract: 本发明公开了可见光通信用蓝光滤膜，其结构为：在基片上依次为宽通带干涉截止滤光膜、高反射膜和减反膜，它大幅降低了可见照明光和背景辐射进入探测器形成的噪声。同时，本项目蓝光滤膜对蓝光信号透过与可见照明光截止的边界陡峭、准确，使得在最大程度上滤掉可见照明光和近红外干扰时，对蓝光信号的损失最小，显著地提高了可见光通信的效率和信噪比，对可见光通信等领域的发展与应用非常有利。
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公开(公告)号：CN103499852A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310470036.1
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海宽带技术及应用工程研究中心
Abstract: 本发明公开了可见光通信用蓝光滤膜，其结构为：在基片上依次为宽通带干涉截止滤光膜、高反射膜和减反膜，它大幅降低了可见照明光和背景辐射进入探测器形成的噪声。同时，本项目蓝光滤膜对蓝光信号透过与可见照明光截止的边界陡峭、准确，使得在最大程度上滤掉可见照明光和近红外干扰时，对蓝光信号的损失最小，显著地提高了可见光通信的效率和信噪比，对可见光通信等领域的发展与应用非常有利。
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公开(公告)号：CN118888636B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410927375.6
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F71/00 , H10F30/21 , H10F77/1223 , C30B25/10 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，控制腔体内真空低于1×10‑10Torr，将衬底加热至940‑960℃后，保持28‑32min，然后将衬底温度降低至550‑570℃，设置Ga源温度为680‑700℃，调节硅源的电子束流为#imgabs0#打开硅源电子束挡板和Ga源挡板，生长吸收层；在吸收层外延结束后，衬底温度升高80‑100℃，在此期间保持硅源电子束流不变，生长900‑1100s后，停止生长，将外延片送入缓冲腔体，等待生长腔体的真空低于1×10‑10Torr，再送入生长腔体进行阻挡层生长。本发明通过控制生长束流、生长温度、阻挡层的生长方式，实现阻挡杂质带的结构。
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公开(公告)号：CN119789772A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411874405.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于太赫兹光电探测技术领域，提供一种室温太赫兹霍尔整流器及其制备方法。本发明的室温太赫兹霍尔整流器包括基底层、吸收层和仿氧化介质保护层，基底层和吸收层层叠设置；吸收层包括分散设置的钽镍碲层和端金属电极层；端金属电极层的个数为4个；4个端金属电极层按横向和纵向对称分布；钽镍碲层位于4个端金属电极形成的区域的中心。本发明利用钽镍碲的铁电极化表面态相关联的可在室温以上持续存在的非线性霍尔效应，构建了一种无需使用半导体结和偏置电压的、不受热电压阈值和转变时间限制的电流整流器，本发明的整流器具有零阈值电压、快速响应、宽带频率探测的优点，并能实现对微弱电磁波信号的高效收集。
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公开(公告)号：CN110416349B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910618723.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器及其制备方法。器件结构自下而上依次为：第一层是衬底、第二层是石墨烯以及搭在石墨烯上的平面开口环天线和与天线相连的金属电极、第三层是介质层，第四层是栅极。器件制备步骤是采用湿法转移技术将石墨烯转移到衬底上，制备平面开口环天线和金属电极，用氧离子刻蚀对石墨烯图形化作为沟道材料，用原子层沉积工艺生长栅介质层，制备栅极，形成太赫兹探测器。其工作原理是，石墨烯内载流子的浓度和速度受到太赫兹电场的调控，发生分布式电阻自混频，产生直流响应信号。该探测器具有高速、宽频和高响应率等特点，可实现源漏偏压和栅压的双重调控，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545883B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910021599.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。
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公开(公告)号：CN113964235B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202111127775.1
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/075
Abstract: 本发明公开了一种原子层厚度调控二维材料PtSSe掺杂特性的方法。本方法通过机械剥离减薄二维材料PtSSe，随着原子层厚度的减薄，二维原子层材料的掺杂类型从p型转变成i型，继而转变成n型，载流子浓度从1012cm‑2变化到1011cm‑2。可控掺杂关键点是制备不同厚度的二维材料，随着二维材料厚度的变化，材料中发生应力变化，使得二维材料PtSSe点缺陷种类发生变化，实现二维材料掺杂。而且，二维材料PtSSe的厚度仅改变0.8nm，掺杂浓度发生明显变化，实现了二维材料原子层厚度的掺杂。本发明的优点在于简单、无损伤、单原子层可控地实现了二维原子层半导体材料掺杂类型和掺杂浓度的连续变化。
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公开(公告)号：CN114545620B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210123406.3
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。
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公开(公告)号：CN116207166A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310150843.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/112 , H01L31/18 , G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种集成式可配置超高圆偏振消光比光电探测器及制备方法。该器件包括金属反射层、电介质层、电极层以及二维材料层；电极层包括对称设置的分别与源极和漏极集成的互为相反手性的Z型金属光学天线阵列；该器件工作在零偏压状态，光响应来自于源、漏电极与二维材料构成的肖特基结诱导的光伏效应、热电子注入、光热电效应等；通过移动入射光斑配置源、漏电极处两组光学天线阵列接收入射光的强度比，可以在任一特定旋向的旋光照射下，使源、漏极产生大小相等、方向相反的光电流，从而使净输出光电流为零，且噪声下降1到2个量级；而在另一旋向的旋光照射下，稳定输出光电流。本发明在一定的波长范围内都具有超高的圆偏振光分辨能力。
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公开(公告)号：CN111579067B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010440769.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有超宽带外截止的集成窄带分光器件，该器件自下而上由衬底、底层一维光子晶体、第一阶梯状介质层、负介电常数材料层、第二阶梯状介质层、顶层一维光子晶体组成。本发明基于Tamm态诱导透射原理，通过调整负介电常数材料层两侧介质层的厚度，控制分光器件的带通峰位，从而实现不同透射波长的窄带通滤波器在同一块衬底上集成，达到多通道同时分光的目的。本发明的分光器件在实现对不同波长分光的同时，亦具有超宽的截止带，截止范围可从深紫外到远红外，做到分光和带外截止一体化。该器件结构简单、易与探测器集成。
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