公开(公告)号：CN114545620A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210123406.3

申请日：2022-02-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王文娟 ,  诸毅诚 ,  陈平平 ,  陆卫 ,  李冠海 ,  陈效双 ,  曲会丹 ,  周敏 ,  孙京华 ,  郭子路 ,  李阳俊 ,  沈学础

IPC: G02B27/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。

公开(公告)号：CN114545620B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202210123406.3

申请日：2022-02-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王文娟 ,  诸毅诚 ,  陈平平 ,  陆卫 ,  李冠海 ,  陈效双 ,  曲会丹 ,  周敏 ,  孙京华 ,  郭子路 ,  李阳俊 ,  沈学础

IPC: G02B27/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。

公开(公告)号：CN113013268A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110100758.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王文娟 ,  诸毅诚 ,  李冠海 ,  陆卫 ,  陈平平 ,  陈效双 ,  曲会丹 ,  高万甜

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器。基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器包括红外焦平面探测器和形成在衬底处的超表面透镜。该超表面透镜由许多亚波长尺度的小圆柱构成，小圆柱的位置和直径大小按照相位规律排布，该超表面可以调制入射光的波前，使其能够聚焦到探测器像元的吸收层上。相比传统的红外焦平面探测器，本发明能够实现亚波长量级的聚焦光斑，可以将像元尺寸减小至波长量级，有利于平面式焦平面器件往更小的像元，更高的像元密度发展。与此同时，能在器件的光响应不变或提高的情况下，降低器件的暗电流，提高信噪比，抑制像元之间的光电串扰。