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公开(公告)号：CN115361512A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210990652.9
申请日：2022-08-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N5/372
摘要： 本发明涉及一种低残留电荷CCD结构，在垂直区和水平区之间的交界区域中设置有垂直区至水平区承接相，所述垂直区至水平区承接相采用收口结构，包括与垂直区连接的开口端、以及与水平区连接的收口端，所述开口端的宽度大于收口端的宽度；所述垂直区的最下端垂直驱动相作为垂直承接相与垂直区至水平区承接相的开口端相接，所述垂直区至水平区承接相的收口端与水平区的一水平驱动相相接，与垂直区至水平区承接相相接的水平驱动相为水平承接相。本发明中，通在水平区和垂直区之间的交界区域中设置了垂直区至水平区承接相，可以使垂直区至水平区承接相不存储电荷信号，从而可以使垂直区的电荷加速转移至水平区，有利于水平电荷信号快速读出。
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公开(公告)号：CN115148754A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210780998.6
申请日：2022-07-04
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148 , H01L21/265
摘要： 本发明涉及一种基于高阻硅衬底的CCD制作方法，包括取一P型高阻硅衬底；在非光敏区区域进行硼注入，使非光敏区区域的硼掺杂浓度高于光敏区区域，在光敏区区域和非光敏区区域之间形成硼浓度差异分布；在P型高阻硅衬底上制作CCD。本发明中，通过对非光敏区区域进行大面积硼注入设计，不仅在光敏区区域保留P型高阻硅特性，而且解决了现有技术中基于P型高阻硅衬底的CCD的耗尽层相比于常规P型低阻硅衬底的CCD更加易于扩展，易导致放大器源漏穿通、放大器直流增益特性退化等问题，改善了基于P型高阻硅衬底制作的CCD的性能。
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公开(公告)号：CN111147775B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010004308.9
申请日：2020-01-03
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明公开了一种单片混合型CCD结构，包括衬底和设在该衬底上的线阵CCD单元、TDICCD单元和TDIEMCCD单元，所述线阵CCD单元包括第一水平寄存器、第一光敏区和第一放大器，所述第一光敏区与所述第一水平寄存器电连接，所述第一水平寄存器与所述第一放大器电连接；所述TDICCD单元包括第二水平寄存器、第二光敏区和第二放大器，所述第二光敏区与所述第二水平寄存器电连接，所述第二水平寄存器与所述第二放大器电连接；所述TDIEMCCD单元包括第三水平寄存器、第三光敏区、第三放大器和倍增寄存器，所述第三光敏区与所述第三水平寄存器电连接，所述第三水平寄存器与所述倍增寄存器电连接，所述倍增寄存器与所述第三放大器电连接。
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公开(公告)号：CN110676279A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910957618.X
申请日：2019-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明涉及电荷耦合器件技术领域，具体涉及一种高量子效率CCD结构，包括：第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组，每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口，所述垂直CCD多晶硅栅包括至少四根多晶硅条，且每根多晶硅条上设置有接触孔；两个蓝光窗口分别位于垂直CCD多晶硅栅的左、右两侧形成双蓝光窗口像元架构；两个蓝光窗口各自按照左右分割的方式均匀分成三个面积等大的区域；不同垂直分组之间通过金属引线连接接触孔实现电学互联。本发明可解决大尺寸像元信号收集问题，可改善大尺寸帧转移CCD以及TDICCD量子效率，同时保证CCD满阱容量、动态范围、转移效率等特性不会退化。
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公开(公告)号：CN115361512B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210990652.9
申请日：2022-08-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N25/71
摘要： 本发明涉及一种低残留电荷CCD结构，在垂直区和水平区之间的交界区域中设置有垂直区至水平区承接相，所述垂直区至水平区承接相采用收口结构，包括与垂直区连接的开口端、以及与水平区连接的收口端，所述开口端的宽度大于收口端的宽度；所述垂直区的最下端垂直驱动相作为垂直承接相与垂直区至水平区承接相的开口端相接，所述垂直区至水平区承接相的收口端与水平区的一水平驱动相相接，与垂直区至水平区承接相相接的水平驱动相为水平承接相。本发明中，通在水平区和垂直区之间的交界区域中设置了垂直区至水平区承接相，可以使垂直区至水平区承接相不存储电荷信号，从而可以使垂直区的电荷加速转移至水平区，有利于水平电荷信号快速读出。
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公开(公告)号：CN113938623B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202111136478.3
申请日：2021-09-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明涉及一种CCD图像传感器结构，特别涉及一种具有类像元曝光控制结构的帧转移CCD，包括在光敏区和存储区之间插入类像元曝光控制结构的方式进行曝光控制，类像元曝光控制结构由垂直转移栅、曝光栅、曝光漏、曝光势垒以及沟阻构成，曝光栅、曝光漏电学连接通过一次接触孔、一次金属、二次接触孔以及二次金属实现；本发明采取在光敏区和存储区之间插入类像元曝光控制结构进行曝光控制，不会挤占光敏区像元面积，确保帧转移CCD灵敏度、势阱容量、动态范围等性能不受到影响。
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公开(公告)号：CN111508858B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010373780.X
申请日：2020-05-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/66 , H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种EMCCD倍增区电极短路的检测方法，将EMCCD倍增区与水平区交界处的弧形区域定义为第四可疑区，并沿第四铝布线依次定义第一可疑区、第二可疑区和第三可疑区，并依次判断各可疑区是否存在短路点；将同一批次的不合格EMCCD器件分成多组，每次判定分别取一组器件，采用局部光刻刻蚀法将该组器件所述需判定的可疑区的第四铝布线截断，逐级判断压缩短路点的位置。本发明中，根据EMCCD倍增区的制作工艺流程划分可疑区，并采用局部光刻刻蚀法截断可疑区的第四铝布线进行判定，从而对各可疑区进行检测判断，找出短路点所在的区域，还能根据需要对短路点所在范围进一步进行压缩，以及判断造成短路的原因，以便于改进。
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公开(公告)号：CN111787247B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010567950.8
申请日：2020-06-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N5/372 , H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L27/148
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种能够提高EMCCD响应线性度的结构，具体涉及倍增寄存器结构以及包括该倍增寄存器结构的EMCCD；所述倍增寄存器结构，包括衬底和位于衬底之上的埋沟；在埋沟上覆盖有栅介质，在栅介质上形成有第一电极Ф1、第二电极Фdc、第三电极Фem和第四电极Ф3；这四个电极依次对应为第一转移相、直流相、倍增相以及第二转移相；将倍增相对应的埋沟划分为倍增埋沟和电荷埋沟，所述倍增埋沟用于电荷倍增；所述电荷埋沟用于存储倍增后的电荷；本发明提供了倍增寄存器结构以及EMCCD，将倍增寄存器分成两部分，一部分用来倍增，一部分用来存储电荷，这样可以有效避免倍增电场的降低。
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公开(公告)号：CN114220827A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111545999.4
申请日：2021-12-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148 , H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法，包括在硅衬底材料的水平CCD区域、哑元区域和输出放大器区域进行硼离子注入工艺和推结，形成深结高掺杂浓度的第一p阱；在硅衬底材料的光敏区区域和存储区区域进行硼离子注入和推结形成第二p阱；对存储区区域的第二p阱进行硼离子注入，形成第三p阱；在硅衬底材料上制作帧转移CCD。本发明中，通过在N型硅衬底材料上的不同区域分别制作p阱结构，能够使帧转移CCD各区域的p阱的掺杂浓度和结深均不相同，从而使帧转移CCD的各区域拥有不同的耗尽电压，能够根据应用需求单独优化光敏区、存储区、水平CCD以及输出放大器等区域的掺杂分布，从而便于提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113992870A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111431001.8
申请日：2021-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N5/372 , H01L27/148
摘要： 本发明涉及一种CCD图像传感器结，特别涉及一种大阵列高帧频面阵CCD，包括M×N阵列规模面阵CCD器件包括从上到下依次级联的上部水平CCD、上部存储区、上部光敏区、下部光敏区、下部存储区以及下部水平CCD，每个区域大小为(M×N)/2,且上部水平CCD和下部水平CCD上分别设置有一组水平驱动以及n个输出放大器，包括每个区域分为4个子区域，每个子区域为未分区前区域阵列规模的1/4且每个子区电容为未分区前电容的1/8，并将上部水平CCD和下部水平CCD上的n个输出放大器每m个输出放大器划分为一组；本发明使得影响光敏区信号转移至存储区的帧转移时间的RC时间常数降低，实现大阵列CCD高帧频特性。
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