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公开(公告)号：CN111916347A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010813864.0
申请日：2020-08-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/228
摘要： 本发明公开了一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，包括在所述SOI片的表面生长一层氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度；去除SOI片表面的二氧化硅保护层；采用液态磷源POCl3在SOI片上进行液态磷扩散掺杂，能够获得较高的掺杂浓度，并且可以有效降低掺杂过程中SOI片表面形成的磷硅玻璃的厚度，避免顶层硅出现龟裂的现象，同时扩散掺杂后对SOI片的表面进行推结工艺处理，使得掺杂后的SOI片具有较高的掺杂浓度和扩散深度。
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公开(公告)号：CN115567791A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210919479.3
申请日：2022-08-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N25/71
摘要： 本发明涉及图像传感器领域，特别涉及一种大阵列高速读出帧转移CCD图像传感器，包括光敏区、存储区、水平区以及输出放大器，存储区的一端与光敏区连接，另一端与水平区连接，水平区与输出放大器连接，光敏区包括一次多晶硅、二次多晶硅和一次金属，一次多晶硅、二次多晶硅通过一次金属过孔与一次金属连接，一次多晶硅和二次多晶硅在轴向交错设置，一次金属径向设置；存储区包括一次金属和二次金属，一次金属和二次金属通过二次金属过孔连接，二次金属轴向设置；所述一次金属内部设置有沟阻；本发明提升光敏区、存储区快态频率，避免常规金属布线设计对于器件响应均匀性的影响，提升水平区信号快速转移。
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公开(公告)号：CN112577612A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011425411.7
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明公开了一种黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上设有支撑层，所述硅衬底的中部设有空气腔，所述支撑层上设有热电偶，所述热电偶的两端各设有一个电极压焊点；所述热端区域覆盖有吸收层；所述吸收层包括黑硅微纳结构和金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒生长在黑硅微纳结构上形成黑硅等离激元，所述黑硅等离激元的表面设有保护钝化层。本发明中，采用黑硅微纳结构和金属等离激元作为热电堆吸收层，吸收率高、吸收光谱范围宽、响应速度快、通用性好；金属等离激元为不连续金属纳米颗粒，提高了光热转化效率，热电堆灵敏度高；材料易于获取，对工艺平台要求低。
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公开(公告)号：CN115663007A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211450852.1
申请日：2022-11-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种集成平面聚焦透镜结构的内线转移CCD及其制作方法，包括提供一制备好的外延片；对所述外延片的上表面执行表面平坦化操作，在所述外延片的上表面形成一平坦化层；在所述平坦化层的上表面制作一平面结构的超表面层，其中，所述超表面层用于对入射光进行聚焦。本发明相比于原有的透镜结构，采用稳定的无机材料替代原有的微透镜采用有机材料制备得到，使得本发明的透镜结构能够适应的工艺温度范围更广，器件的可靠性显著增强，同时采用2D的透镜结构代替3D的微透镜结构，保持了器件表面的平整性，可进一步与其他的片上集成工艺兼容。
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公开(公告)号：CN112577612B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011425411.7
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明公开了一种黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上设有支撑层，所述硅衬底的中部设有空气腔，所述支撑层上设有热电偶，所述热电偶的两端各设有一个电极压焊点；所述热端区域覆盖有吸收层；所述吸收层包括黑硅微纳结构和金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒生长在黑硅微纳结构上形成黑硅等离激元，所述黑硅等离激元的表面设有保护钝化层。本发明中，采用黑硅微纳结构和金属等离激元作为热电堆吸收层，吸收率高、吸收光谱范围宽、响应速度快、通用性好；金属等离激元为不连续金属纳米颗粒，提高了光热转化效率，热电堆灵敏度高；材料易于获取，对工艺平台要求低。
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公开(公告)号：CN115567791B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210919479.3
申请日：2022-08-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N25/71
摘要： 本发明涉及图像传感器领域，特别涉及一种阵列读出帧转移CCD图像传感器，包括光敏区、存储区、水平区以及输出放大器，存储区的一端与光敏区连接，另一端与水平区连接，水平区与输出放大器连接，光敏区包括一次多晶硅、二次多晶硅和一次金属，一次多晶硅、二次多晶硅通过一次接触孔与一次金属连接，一次多晶硅和二次多晶硅在轴向交错设置，一次金属径向设置；存储区包括一次金属和二次金属，一次金属和二次金属通过二次接触孔连接，二次金属轴向设置；所述一次金属内部设置有沟阻；本发明提升光敏区、存储区快态频率，避免常规金属布线设计对于器件响应均匀性的影响，提升水平区信号快速转移。
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公开(公告)号：CN111916347B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010813864.0
申请日：2020-08-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/228
摘要： 本发明公开了一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，包括在所述SOI片的表面生长一层氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度；去除SOI片表面的二氧化硅保护层；采用液态磷源POCl3在SOI片上进行液态磷扩散掺杂，能够获得较高的掺杂浓度，并且可以有效降低掺杂过程中SOI片表面形成的磷硅玻璃的厚度，避免顶层硅出现龟裂的现象，同时扩散掺杂后对SOI片的表面进行推结工艺处理，使得掺杂后的SOI片具有较高的掺杂浓度和扩散深度。
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公开(公告)号：CN115148754A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210780998.6
申请日：2022-07-04
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148 , H01L21/265
摘要： 本发明涉及一种基于高阻硅衬底的CCD制作方法，包括取一P型高阻硅衬底；在非光敏区区域进行硼注入，使非光敏区区域的硼掺杂浓度高于光敏区区域，在光敏区区域和非光敏区区域之间形成硼浓度差异分布；在P型高阻硅衬底上制作CCD。本发明中，通过对非光敏区区域进行大面积硼注入设计，不仅在光敏区区域保留P型高阻硅特性，而且解决了现有技术中基于P型高阻硅衬底的CCD的耗尽层相比于常规P型低阻硅衬底的CCD更加易于扩展，易导致放大器源漏穿通、放大器直流增益特性退化等问题，改善了基于P型高阻硅衬底制作的CCD的性能。
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