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公开(公告)号：CN119030546A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411029756.9
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Inventor： 刘建高 , 黄霞 , 李和平 , 周俊 , 李侃 , 李强斌 , 孙盼杰 , 哈章 , 沈妮 , 张伟 , 王磊 , 刘江 , 侯官茂 , 武路杰 , 陈森 , 李皓宇 , 邱成忠 , 李永超
Abstract: 本发明涉及大动态采集技术领域，提供一种采集板内dither源的产生电路及方法，所述电路包括FPGA和带通滤波器；其中，所述FPGA中seders的TX作为dither源向带通滤波器输出dither信号；带通滤波器将收到的dither信号滤除被采信号的带内部分，使dither信号只作用在带外，得到窄带dither信号。本发明成本低，体积小，幅度可根据使用AD的INL曲线在线可调。
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公开(公告)号：CN114422045B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111652717.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明涉及射频电路领域，公开了一种相控阵通道幅相校正网络的设计方法及存储介质。该方法包括：将天线互联端口层、带状线射频层以及TR互联端口层各自制作在一个射频基板上，再将多个射频基板进行复合叠层；将所述天线互联端口层采用微小型表贴射频连接器的方式与天线互联，或者将天线做成表贴封装与所述天线互联端口层互联；将所述TR互联端口层采用微小型表贴射频连接器的方式与TR类型的前端组件连接，或者将TR类型的前端组件做成表贴封装与所述TR互联端口层互联；将所述带状线射频层采用集成电阻基板内埋的方式设置。本方法实现了对宽带相控阵射频通道间组件幅相一致性耦合校正和环境变化的幅相一致性校正。
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公开(公告)号：CN110852009B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201911074444.9
申请日：2019-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/126 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了一种基于遗传算法的滤波器耦合矩阵解耦变换方法，对滤波器的完全规范耦合矩阵通过采取旋转消元、初始化处理、编码处理、优化目标函数定义、优化求解等主要环节的处理，实现了利用遗传算法迭代求解微波滤波器耦合矩阵解耦形式的方法。解决了通过相似变换消元方法难以获得耦合矩阵解耦形式的问题，采用该方法获得的矩阵实现了与实际滤波器耦合特性匹配表征，并且针对不同滤波器阶数和拓扑均可适用。
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公开(公告)号：CN110197940B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910508851.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种改进型发夹线滤波器及其操作方法。滤波器包括输入谐振器、输出谐振器，以及设置于输入谐振器和输出谐振器之间的谐振器组，输入谐振器和所述输出谐振器均为直线型设计，在发夹线滤波器的至少两个非相邻谐振器之间，设置有梳线型交叉耦合结构，其中，输入谐振器和输出谐振器接入输入或输出端的馈电位置可调节，梳线型交叉耦合器的梳线长度可调节。其操作方法包括调节输入谐振器和输出谐振器接入馈电位置的步骤和调整交叉耦合结构梳线长度的步骤和接入到输入、输出端的步骤。本发明可将寄生通带向更高频率移动，近乎消除了传统发夹线结构的第一寄生通带，灵活调整传输零点位置，大幅提高滤波器近端带外抑制。
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公开(公告)号：CN112349668A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011038924.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52 , H01L21/768 , H04B1/40 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种射频模板及宽带射频模块封装结构，所述射频母板包括n‑1层高频材料层和n层信号传输层；第1层信号传输层上表面和第n层信号传输层下表面设置有用于焊接BGA封装射频系统的焊盘；还设置有分别连通第1层和第2层信号传输层，以及第n‑1层和第n层信号传输层的过孔一；连通第2层至第n‑1层信号传输层的过孔二；所述过孔一和过孔二在第2层和第n‑1层信号传输层的开口之间设有信号线；过孔一、过孔二和信号线用于实现焊接的BGA封装射频系统之间的信号联通。本发明能够将多个BGA封装射频系统在射频母板两面进行安装，简化了各种连接插头座的设计，将各个模块单元之间的电气互连做到最简，实现了集成度，减少布板面积，实现小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110852009A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911074444.9
申请日：2019-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: G06F30/23 , G06N3/12 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了一种基于遗传算法的滤波器耦合矩阵解耦变换方法，对滤波器的完全规范耦合矩阵通过采取旋转消元、初始化处理、编码处理、优化目标函数定义、优化求解等主要环节的处理，实现了利用遗传算法迭代求解微波滤波器耦合矩阵解耦形式的方法。解决了通过相似变换消元方法难以获得耦合矩阵解耦形式的问题，采用该方法获得的矩阵实现了与实际滤波器耦合特性匹配表征，并且针对不同滤波器阶数和拓扑均可适用。
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公开(公告)号：CN106532204A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611072369.9
申请日：2016-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Inventor： 周俊
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/20381
Abstract: 本发明公开了一种微带伪梳线带通滤波结构，在微带线伪高通滤波器的两个相邻半波长谐振器端面之间设置传输线，使传输线与两个相邻谐振器间通过一个耦合缝分别构成一个等效电容。与现有技术相比，本发明的积极效果是：采用本发明结构带来的滤波器长度比现有的滤波器长度减小约1/4，且提高了通带高端的带外抑制能力。
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公开(公告)号：CN115833783A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211569563.3
申请日：2022-12-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽通带薄膜体声波陷波器结构，涉及微波无源芯片领域，包括：可在中间级串联谐振器处引入外接匹配电感的FBAR陷波器芯片和宽通带匹配电路结构；本发明，在FBAR陷波器芯片的中间级串联谐振器位置，引入2个及以上外接匹配电感，该匹配电感可以在FBAR陷波器的阻带两端分别引入1个及以上的传输极点，同时可以灵活地调整传输极点的位置，不仅能够优化通带远端的插损和驻波特性，更能有效解决阻带抑制与通带插损驻波相互矛盾的问题，大幅提高通带带宽。
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公开(公告)号：CN115622531A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211161781.3
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明提供了一种FBAR陷波器的宽带POC集成结构，包括FBAR陷波器芯片与宽带匹配电路结构，所述宽带匹配电路结构包括一介质基板，介质基板表面设有一用于粘接FBAR器件的金属图形区域、两个射频接口、至少一个接地焊盘以及至少两个二维平面螺旋形式的匹配电感；所述FBAR陷波器芯片安装在金属图形区域，其射频端口分别对应与射频接口连接，其接地端口与接地焊盘连接；所述两个射频接口均分别通过匹配电感接至接地焊盘。本发明有效解决了阻带抑制与通带驻波相互矛盾的问题，还优化了插损驻波特性，大幅提高了通带带宽，实现了小型化、低插损、低驻波、3.5倍频宽通带的FBAR陷波性能。
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公开(公告)号：CN112349668B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011038924.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52 , H01L21/768 , H04B1/40 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种射频模板及宽带射频模块封装结构，所述射频母板包括n‑1层高频材料层和n层信号传输层；第1层信号传输层上表面和第n层信号传输层下表面设置有用于焊接BGA封装射频系统的焊盘；还设置有分别连通第1层和第2层信号传输层，以及第n‑1层和第n层信号传输层的过孔一；连通第2层至第n‑1层信号传输层的过孔二；所述过孔一和过孔二在第2层和第n‑1层信号传输层的开口之间设有信号线；过孔一、过孔二和信号线用于实现焊接的BGA封装射频系统之间的信号联通。本发明能够将多个BGA封装射频系统在射频母板两面进行安装，简化了各种连接插头座的设计，将各个模块单元之间的电气互连做到最简，实现了集成度，减少布板面积，实现小型化。
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