公开(公告)号：CN116432415A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310256827.8

申请日：2023-03-16

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 雷庭 ,  周军连 ,  路艳春 ,  刁斌 ,  杨洪旗 ,  胡宁

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

Abstract: 本申请涉及一种产品可靠性预测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：确定目标产品的关重部位以及非关重部位；对目标产品的非关重部位进行数理统计失效率的预测，获得目标产品的非关重部位的数理统计失效率；建立目标产品的关重部位的故障预测模型，基于故障预测模型对关重部位进行失效物理的预测，确定关重部位各元器件的失效模式、失效机理以及失效寿命；确定关重部位各元器件的失效寿命拟合曲线；确定目标产品的关重部位的失效寿命以及薄弱环节；获得目标产品的可靠性预测结果。采用本方法能够高效进行产品的可靠性预测。

公开(公告)号：CN111291532A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010054107.X

申请日：2020-01-17

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 聂国健 ,  李欣荣 ,  郑丽香 ,  于迪 ,  杨云 ,  雷庭 ,  王浩

IPC: G06F30/398 ,  G06F119/02

Abstract: 本申请涉及一种片上系统互连可靠性仿真方法、装置、设备及存储介质。通过对芯片设计模型进行简化，并根据对应的材料参数和环境试验参数对简化模型进行仿真分析，得到芯片设计模型的可靠性结果。其中，简化模型至少包括关于片外互连结构的电路板简化模型，以及关于片内互连结构的键合线简化模型；仿真分析至少包括热学仿真、振动仿真和寿命仿真。基于此，本申请实施例综合考虑片上系统片外和片内的互连可靠性，且从热学和振动等方面来分析片上系统的失效情况，能够获得更为准确的仿真结果，提高准确性及仿真效率。此外，结合仿真得到的可靠性结果，能够便于设计师及时发现片上系统设计的薄弱环节，进而有针对性的改进设计。

公开(公告)号：CN114595564A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210180998.2

申请日：2022-02-25

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 聂国健 ,  雷庭 ,  于迪 ,  杨洪旗 ,  李欣荣 ,  胡湘洪

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请涉及一种产品可靠性评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：对比待评估产品和在役相似产品，获取待评估产品与在役相似产品的可靠性评估相似数据和可靠性评估差异数据；读取与待评估产品对应的第一修正因子，第一修正因子为在役相似产品对应的在役失效率预计值与在役失效率现场估计值的比值；基于可靠性评估相似数据获取相似初始可靠性评估结果，基于可靠性评估差异数据获取差异可靠性评估结果；根据第一修正因子修正相似初始可靠性评估结果，得到相似目标可靠性评估结果；对差异可靠性评估结果、相似目标可靠性评估结果进行融合，得到待评估产品的可靠性评估结果。采用本方法能够提高可靠性评估结果的精度。

公开(公告)号：CN111291532B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202010054107.X

申请日：2020-01-17

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 聂国健 ,  李欣荣 ,  郑丽香 ,  于迪 ,  杨云 ,  雷庭 ,  王浩

IPC: G06F30/398 ,  G06F119/02

Abstract: 本申请涉及一种片上系统互连可靠性仿真方法、装置、设备及存储介质。通过对芯片设计模型进行简化，并根据对应的材料参数和环境试验参数对简化模型进行仿真分析，得到芯片设计模型的可靠性结果。其中，简化模型至少包括关于片外互连结构的电路板简化模型，以及关于片内互连结构的键合线简化模型；仿真分析至少包括热学仿真、振动仿真和寿命仿真。基于此，本申请实施例综合考虑片上系统片外和片内的互连可靠性，且从热学和振动等方面来分析片上系统的失效情况，能够获得更为准确的仿真结果，提高准确性及仿真效率。此外，结合仿真得到的可靠性结果，能够便于设计师及时发现片上系统设计的薄弱环节，进而有针对性的改进设计。

公开(公告)号：CN117272578A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310312217.5

申请日：2023-03-27

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 雷庭 ,  胡宁 ,  周军连 ,  杨洪旗 ,  路艳春

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请涉及一种IGBT可靠性预测模型构建方法、装置、IGBT可靠性预测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：通过对IGBT器件的可靠性数据进行处理，确定IGBT器件的失效诱发因素表征参数；失效诱发因素表征参数包括IGBT器件在不同失效诱发应力下的基本失效率和加速系数；根据失效诱发因素表征参数和IGBT器件的任务剖面阶段参数，建立IGBT的可靠性预测模型；可靠性预测模型用于对IGBT器件的可靠性进行预测。采用本方法对可靠性预测模型构建过程中，只需要对可靠性数据进行处理，无需仿真等复杂过程，能够大大简化了模型构建过程，利于IGBT可靠性的快速评估，同时降低了对计算机配置的要求，适用性更强。