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公开(公告)号：CN109581058A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811358105.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
CPC classification number: G01R27/025 , G01R1/0408
Abstract: 本发明涉及一种绝缘电阻测试装置及绝缘电阻测试方法，所述绝缘电阻测试装置包括：测试箱，设于所述测试箱外壁的供电插座，设于所述测试箱内的溶液盒，以及设于所述测试箱内且位于所述溶液盒上方的测试组件；所述测试组件包括测试基板、设于所述测试基板上的测试座，以及与所述测试座连接的测试电路，所述测试座设于所述测试基板上靠近所述溶液盒一侧，所述测试电路与所述供电插座电连接。本发明无需与空气对流即可满足湿度要求，保证了试验精度，且无需每次试验都进行接线设置，使用操作方便，提高了测试效率，又避免了由于系统的问题导致测试结果异常，提高测试精度。
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公开(公告)号：CN112611507B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011386393.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01L21/30
Abstract: 本发明公开了一种真空电子器件内部真空度检测方法，包括：确定真空电子器件的加电方式和加电参数；将真空电子器件的标准样管与离子流测量系统连接；将标准样管进行抽真空，使标准样管内达到需要对标的真空度；测量标准样管在所对标的真空度下的阳极离子流；测试不同的对标真空度下的离子流，完成离子流与真空度对应关系的标定工作，得到离子流‑真空度标定表或离子流‑真空度量化模型；将真空电子器件的待测样管与离子流测量系统连接；测量待测样管的阳极离子流；对照离子流‑真空度标定表或将所测量的阳极离子流代入离子流‑真空度量化模型，获得待测样管的真空度。本发明能够对真空电子器件内部真空度进行高真空、高测量精度的无损检测。
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公开(公告)号：CN109633294A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811383910.7
申请日：2018-11-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R29/26
CPC classification number: G01R29/26
Abstract: 本申请涉及一种脉间噪声测试方法和系统。在待测器件的后端设置一个放大器，获取放大器的增益，以及频谱分析仪测量脉间噪声放大信号得到的脉间噪声测量结果。其中，脉间噪声放大信号由待测器件发送的脉间测试信号、经过放大器放大后得到。基于增益以及脉间噪声测量结果，得到脉间噪声。在待测器件和频谱分析仪之间设置的放大器，能够提高频谱分析仪测量范围，可适用于噪声谱密度低至‑160dBm/Hz的噪声信号测量，解决传统技术中脉间噪声测试值淹没在频谱分析仪的测量噪底以下，无法准确测试的问题。
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公开(公告)号：CN109257116A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811034717.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供一种用于检测输出端电压驻波比的系统及方法。该用于检测输出端电压驻波比的系统包括：矢量网络分析仪，配置为：向被测件的输入端提供激励信号以使所述被测件处于工作状态；向所述被测件的输出端提供测试信号以使所述测试信号经所述被测件的输出端反射后产生反射信号；以及接收所述反射信号和所述测试信号以根据所述反射信号和所述测试信号获得所述被测件的输出端电压驻波比。本发明通过矢量网络分析仪同时为被测件提供激励信号和反射信号来检测被测件的输出端电压驻波比，能够提高被测件工作状态下的输出端电压驻波比检测的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116130319A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310156875.X
申请日：2023-02-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种行波管的慢波结构。该慢波结构包括：波导、矩形栅和电子注通道：波导包括对应设置的两个周期性波导；各周期性波导之间形成耦合腔体，且各周期性波导的周期相同；矩形栅位于耦合腔体中；矩形栅中矩形块的数量与周期性波导的周期数量对应；电子注通道位于波导与矩形栅之间；波导中电磁波的前进方向、矩形栅中各矩形块的排列方向、以及电子注通道中电子注的传输方向满足相似条件。采用本方法能够提高慢波结构的输入直流电流。
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公开(公告)号：CN109579683B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811306759.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。
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公开(公告)号：CN109579683A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811306759.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。
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公开(公告)号：CN112611507A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011386393.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01L21/30
Abstract: 本发明公开了一种真空电子器件内部真空度检测方法，包括：确定真空电子器件的加电方式和加电参数；将真空电子器件的标准样管与离子流测量系统连接；将标准样管进行抽真空，使标准样管内达到需要对标的真空度；测量标准样管在所对标的真空度下的阳极离子流；测试不同的对标真空度下的离子流，完成离子流与真空度对应关系的标定工作，得到离子流‑真空度标定表或离子流‑真空度量化模型；将真空电子器件的待测样管与离子流测量系统连接；测量待测样管的阳极离子流；对照离子流‑真空度标定表或将所测量的阳极离子流代入离子流‑真空度量化模型，获得待测样管的真空度。本发明能够对真空电子器件内部真空度进行高真空、高测量精度的无损检测。
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公开(公告)号：CN110988512A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911015025.8
申请日：2019-10-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及微波器件测试技术领域，公开了一种微波器件测试系统和微波器件测试方法。包括信号源模块，与所述微波器件连接，用于向所述微波器件提供适用于谐波测试的激励信号以激励所述微波器件输出测试信号；测试模块，用于对所述微波器件输出的测试信号进行分析并获取测试结果；转换模块，分别与所述微波器件和所述测试模块连接，所述转换模块与所述微波器件的输出端口相匹配，用于对所述微波器件和测试模块进行转接。所述以波导为输出接口的微波器件通过转换模块将基波与谐波直接传输至测试模块，保证了所述基波与谐波在测试系统中的有效提取与传输，实现对以波导为输出接口的微波器件进行谐波测试，并获得准确稳定的高次谐波分量测试结果。
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