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公开(公告)号：CN116580867A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310609919.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor： 刘宇 , 肖德鑫 , 单李军 , 羊奕伟 , 王建新 , 周奎 , 周征 , 张鹏 , 李鹏 , 王汉斌 , 罗星 , 沈旭明 , 任忠国 , 陈立均 , 杨林德 , 吴岱 , 杨兴繁 , 黎明 , 赵剑衡
Abstract: 本发明涉及一种辐射转化靶换靶装置及使用方法，属于中子物理及中子源技术领域，装置包括起吊元件以及托盘，起吊元件与辐射转化靶连接，用于提升或降下辐射转化靶，托盘的上方设有定位台、装靶元件以及卸靶元件，所述定位台用于放置辐射转化靶，所述卸靶元件用于拆卸旧靶体，所述装靶元件用于安装新靶体，且装靶元件以及卸靶元件分别位于定位台的相对侧，本发明利用起吊元件、装靶元件以及卸靶元件实现靶体自动化更换，全程远程操作，避免操作人员近距离接触而受到辐射损伤。
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公开(公告)号：CN107164740A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710334072.3
申请日：2017-05-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/274 , C23C16/4581 , C23C16/463
Abstract: 本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法，属于晶体合成技术领域。该方法中，基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、适合于制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。
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公开(公告)号：CN1220411C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03135490.4
申请日：2003-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H05H9/04
Abstract: 本发明提供了一种驻波电子直线加速器，包括加速腔、耦合腔、电子枪、微波耦合器、鼻锥、钛泵、恒温水套及钨靶。本发明的特点是将鼻锥从加速腔中取消而设置在耦合腔中，每个耦合腔设置两个鼻锥，分别位于耦合腔的前后端面上，鼻锥为圆柱形，鼻锥头部为半圆弧；本发明的加速器降低了加速腔中径向电场强度，增加了加速腔中电场自身的聚焦力，而显著减小加速器出口处电子束的横向尺寸，同时使电子束达到一定的能量和强度，既能满足高能工业CT成像对X射线源的要求，又缩短了加速器的整体长度，且输出剂量率大。
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公开(公告)号：CN112291912B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202011319587.4
申请日：2020-11-23
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor： 李鹏 , 王建新 , 周征 , 胡栋材 , 肖德鑫 , 吴岱 , 黎明 , 杨兴繁 , 王远 , 王孝忠 , 赵剑衡 , 陈门雪 , 鲁燕华 , 王汉斌 , 刘宇 , 单李军 , 沈旭明 , 和天慧 , 徐勇 , 周奎 , 劳成龙 , 罗星 , 白燕 , 闫陇刚 , 邓德荣 , 陈立均 , 刘婕 , 张德敏 , 潘清 , 柏伟 , 陈亚男 , 邓仕钰 , 李文君 , 宋志大 , 张成鑫 , 刘清华 , 李敬 , 李寿涛 , 李世根 , 程云 , 蒲晓媛 , 涂国锋 , 蔡哲 , 陈云斌 , 力涛 , 石正军 , 罗为 , 刘春林 , 张小丽 , 张冬 , 余虹 , 丁玉寿 , 李雷
IPC: H05G2/00 , G01N23/046 , G01B15/00
Abstract: 本发明公开一种高能微焦点X射线生产设备，包括用于生成高能电子束的电子源组件和用于被电子束轰击生成高能X射线的旋转靶设备，电子源组件生成的高能聚焦电子束轰击到旋转靶设备上生成高能微焦点X射线。本申请通过采用特定的电子源和直线加速器相配合，提供长宏脉冲高平均流强的电子束，再通过螺线管和强聚焦四极透镜组的聚焦，将长宏脉冲高平均流强的电子束横向尺寸在打靶位置聚焦到比较小的尺寸，并通过束斑测量组件对电子束横向尺寸进行精确测量控制，将束斑尺寸控制到0.1mm以下，实现高能微焦点X射线输出的目的。
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公开(公告)号：CN116528450A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310609965.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor： 刘宇 , 肖德鑫 , 罗星 , 沈旭明 , 闫陇刚 , 任忠国 , 周征 , 周奎 , 李鹏 , 羊奕伟 , 单李军 , 王建新 , 王汉斌 , 张鹏 , 陈立均 , 杨林德 , 吴岱 , 杨兴繁 , 黎明 , 赵剑衡
Abstract: 本发明涉及一种用于辐射转化靶的冷却系统，属于中子物理及中子源技术领域，包括内壳体以及套设于所述内壳体外部的外壳体，内壳体的顶部与冷却液注入腔连通，其内部为冷却液注入流通腔，辐射转化靶位于冷却液注入流通腔的内部，所述外壳体与所述内壳体间隙配合以形成冷却液注入腔、冷却液输出腔以及冷却液输出流通腔，所述冷却液注入腔与所述冷却液输出腔分隔设置，所述冷却液输出腔通过所述冷却液输出流通腔与所述冷却液注入流通腔连通，本发明中冷却液注入腔、冷却液注入流通腔、冷却液输出流通腔以及冷却液输出腔依次连通形成冷却线路，对辐射转化靶的靶片进行有效散热，提高辐射转化靶的束流耐受能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111642049A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010525459.9
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor： 王建新 , 吴岱 , 肖德鑫 , 罗星 , 黎明 , 杨兴繁 , 单李军 , 李鹏 , 沈旭明 , 和天慧 , 胡栋材 , 徐勇 , 周奎 , 王汉斌 , 劳成龙 , 白燕 , 闫陇刚 , 陈立均 , 刘宇 , 刘婕 , 周征 , 张德敏 , 潘清 , 柏伟 , 陈亚男 , 邓仕钰 , 李文君 , 宋志大
IPC: H05G1/08
Abstract: 本发明公开了一种X射线源，该X射线源包括用于产生长脉冲低能电子束的电子源、用于加速低能电子束的超导直线加速器以及用于通过电子束作用产生X射线的X射线靶，所述电子源通过第一束流传输线与超导直线加速器连接，所述超导直线加速器通过第二束流传输线与X射线靶连接。本发明解决了传统基于常温直线加速器的X射线源无法提供长脉冲的X射线的问题。
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公开(公告)号：CN106929828A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710334592.4
申请日：2017-05-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4583
Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。
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公开(公告)号：CN117439582A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311500592.9
申请日：2023-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的脉冲序列合成电路及方法、电子设备，所述电路包括：控制电路，所述控制电路用于接收并输出脉冲参数调制信号；高重频极窄脉冲序列合成模块，用于根据脉冲参数调制信号输出相应的合成脉冲序列。本发明仅利用单片FPGA，在其内部构造了一个特殊的电路结构，实现了每个脉冲的宽度尽量窄，每个脉冲的时序可调，单个极窄脉冲的重复频率尽量高，同时可以实现多个通道的输出，并且这些输出通道之间是时间关联的，本发明容易地实现多路输出高重频极窄脉冲的合成脉冲序列，不需要复杂的外部电路，使整体的电路结构更简单，并可以基于一片FPGA实现多路信号的时间相关输出。
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公开(公告)号：CN117388903A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311427661.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种平板探测器，属于平板探测器技术领域，包括闪烁晶体，闪烁晶体的两个相对侧面均耦合有光电探测器，其一光电探测器与闪烁晶体对齐设置，另一光电探测器与闪烁晶体错位设置，2个光电探测器的结构相同，本发明能够解决现有技术中存在的受限于像素尺寸，无法显著提升平板探测器固有分辨率的技术问题。
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公开(公告)号：CN106929828B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710334592.4
申请日：2017-05-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。
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