一种基于双柱模体的扇束CT扫描平面共面校准方法

    公开(公告)号:CN117517359A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311514847.7

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明涉及一种基于双柱模体的扇束CT扫描平面共面校准方法,属于CT成像技术领域,在旋转平台边缘相间隔的固定两个等高的圆柱体,以旋转平台、X射线源为参照物,建立空间三维坐标系;设置旋转平台的初始位置,使两个圆柱体均脱离扫描平面,开启X射线源进行线扫描,旋转平台匀速升降,线阵探测器采集线扫描投影数据;分别调节X射线源与线阵探测器的相对高度、线阵探测器两个端部的相对高度,直至两个圆柱体在线扫描投影数据中同时出现,视为扇束CT扫描平面共面,本发明能够解决现有技术中扫描平面偏离理论模型影响扇束CT成像精度的技术问题。

    一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台

    公开(公告)号:CN106929828A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710334592.4

    申请日:2017-05-12

    CPC classification number: C23C16/4583

    Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

    一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法

    公开(公告)号:CN107164740B

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201710334072.3

    申请日:2017-05-12

    Abstract: 本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法,属于晶体合成技术领域。该方法中,基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、适合于制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

    一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台

    公开(公告)号:CN106929828B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN201710334592.4

    申请日:2017-05-12

    Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

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