公开(公告)号：CN107164740B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201710334072.3

申请日：2017-05-12

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 周霖 ,  冯真 ,  李文君 ,  程云 ,  黎明 ,  单李军 ,  杨兴繁 ,  邓德荣 ,  张鹏 ,  和天慧

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法，属于晶体合成技术领域。该方法中，基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、适合于制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

公开(公告)号：CN107164740A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710334072.3

申请日：2017-05-12

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 周霖 ,  冯真 ,  李文君 ,  程云 ,  黎明 ,  单李军 ,  杨兴繁 ,  邓德荣 ,  张鹏 ,  和天慧

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/274 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/463

Abstract: 本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法，属于晶体合成技术领域。该方法中，基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、适合于制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

公开(公告)号：CN106929828B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201710334592.4

申请日：2017-05-12

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 李文君 ,  周霖 ,  程云 ,  冯真 ,  李春霞 ,  单李军 ,  邓德荣 ,  黎明 ,  杨兴繁

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

公开(公告)号：CN106929828A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710334592.4

申请日：2017-05-12

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 李文君 ,  周霖 ,  程云 ,  冯真 ,  李春霞 ,  单李军 ,  邓德荣 ,  黎明 ,  杨兴繁

IPC: C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4583

Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

公开(公告)号：CN206751920U

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201720527928.4

申请日：2017-05-12

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 李文君 ,  周霖 ,  程云 ,  冯真 ,  李春霞 ,  单李军 ,  邓德荣 ,  黎明 ,  杨兴繁

IPC: C23C16/458

Abstract: 本实用新型公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本实用新型具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利