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公开(公告)号：CN116718887B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310709417.4
申请日：2023-06-15
发明人： 任城林 , 胡雨龙 , 谢桂泉 , 方苏 , 赖桂森 , 郭卫明 , 陈潜 , 周跃宾 , 韩坤 , 刘堃 , 肖晋 , 邵珠柯 , 黄永瑞 , 张磊 , 王国卫 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 罗浩诚
摘要： 本发明涉及晶闸管检测技术领域，具体为一种具有多环境模拟功能的半导体晶闸管导电检测设备，所述半导体晶闸管导电检测设备包括机身、上料输送带和下料输送带，所述上料输送带和下料输送带相对水平设置在机身的两端，本发明相比于目前的半导体晶闸管导电检测设备设置有分隔机构和模拟座，当分隔机构将密封箱内部环境与外界环境分隔开后，通过模拟座内部设置的模拟组件能够改变密封箱内的环境，例如将密封箱内的环境从室温环境变为真空环境、干燥环境、潮湿环境、高温环境和低温环境等，通过分隔机构和模拟组件的配合使得工作人员能够判断出半导体晶闸管在不同环境下的导电性能，以此方便后续对半导体晶闸管的参数进行标定。
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公开(公告)号：CN116718887A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310709417.4
申请日：2023-06-15
发明人： 任城林 , 胡雨龙 , 谢桂泉 , 方苏 , 赖桂森 , 郭卫明 , 陈潜 , 周跃宾 , 韩坤 , 刘堃 , 肖晋 , 邵珠柯 , 黄永瑞 , 张磊 , 王国卫 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 罗浩诚
摘要： 本发明涉及晶闸管检测技术领域，具体为一种具有多环境模拟功能的半导体晶闸管导电检测设备，所述半导体晶闸管导电检测设备包括机身、上料输送带和下料输送带，所述上料输送带和下料输送带相对水平设置在机身的两端，本发明相比于目前的半导体晶闸管导电检测设备设置有分隔机构和模拟座，当分隔机构将密封箱内部环境与外界环境分隔开后，通过模拟座内部设置的模拟组件能够改变密封箱内的环境，例如将密封箱内的环境从室温环境变为真空环境、干燥环境、潮湿环境、高温环境和低温环境等，通过分隔机构和模拟组件的配合使得工作人员能够判断出半导体晶闸管在不同环境下的导电性能，以此方便后续对半导体晶闸管的参数进行标定。
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公开(公告)号：CN109950309A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910274609.0
申请日：2019-04-08
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
摘要： 本发明提供一种多光敏区特高压光控晶闸管，将传统光控晶闸管的一个光敏区和一组放大门极触发结构变换为四个光敏区和四组放大门极组件，集成在同一个半导体芯片内，由单域控制开通变为四域控制开通，主要包括，光敏区、放大门极、放大门极延伸枝条、阳极、阴极面、共用的台面、隔离槽、隔离间距、四层二端四光敏区结构，分别为N2+层、P2+P2+层、P1++P1层、N-层、A端、K端，器件关于x轴、y轴、z轴对称，利用光控晶闸管的触发机制是以非接触和快速导通为特征，利于支路中若干个串并联器件同时开通的特点，显著提高了光控晶闸管开通初期峰值电流能力和di/dt耐量能力。
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公开(公告)号：CN115692489A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211317007.7
申请日：2022-10-26
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本发明提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法，从上往下依次设置有阴极和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区正下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本发明由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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公开(公告)号：CN118472012A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410707484.7
申请日：2024-06-03
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/745 , H01L29/747 , H01L21/332
摘要： 本发明提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构及其制造方法，在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本发明还公开了上述GCT终端结构的制造方法，先预沉积铝，然后在终端区选择性挖槽，腐蚀掉部分高浓度铝杂质，最后进行高温扩散形成。本发明的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。
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公开(公告)号：CN117810270A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311840261.X
申请日：2023-12-29
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种波浪基区结构半导体器件，包括由上至下依次排列的门极p+区、p‑基区和n‑长基区，n‑长基区中心部分向上凸起，p‑基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n‑长基区中心处上凸起的部分相适配，使p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状；本发明的有益效果是：p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状，提高了器件关断时载流子抽取速度，增强了器件关断能力，有利于提升器件安全工作能力，且本工艺采用整面掺杂+局部去除的方式，利于提高径向掺杂参数均匀性，提高产品性能，同时降低技术门槛和生产成本，以较小的技术、经济代价实现设计目的。
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公开(公告)号：CN221239033U
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202323231686.9
申请日：2023-11-29
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/327
摘要： 一种用于测量IGCT驱动输出能力的标准化模块，为了解决IGCT驱动输出能力测试困难、调试难度大、耗时、成本高的问题，本实用新型包括：印制电路板、二极管、铜皮、铜螺柱、铜垫片、铜螺母、门极环、阴极环。模块通过铜螺柱、铜垫片和铜螺母与IGCT驱动电路集成在一起，二极管用于模拟GCT芯片的PN结，铜皮便于连接电流传感器测量IGCT驱动输出值，铜螺柱、铜垫片和铜螺母起连接作用和通电流作用，本实用新型采用标准化模块测量IGCT驱动输出能力，提高了IGCT驱动的调试和生产效率，采用标准化模块代替模拟GCT芯片，可显著减小IGCT整体测试时对GCT芯片损坏率，节省IGCT成本。
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公开(公告)号：CN219760991U
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202321029687.2
申请日：2023-05-04
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/687
摘要： 一种模块化组合式的IGCT门极驱动单元结构，为了解决现有驱动单元空间利用率不高，维修不便且成本大，不利于门极驱动的提升与改进的问题，通过模块化的驱动电路设计，模块化系统包括：控制模块、信号接收及反馈模块、电源模块、门极电流触发及电荷抽取模块、驱动状态检测模块、电容器组模块，控制模块与信号接收及反馈模块、门极电流触发及电荷抽取模块、驱动状态检测模块相连接，进行控制信号发送与接收；电源模块连接控制模块、电容器组模块；本实用新型将IGCT门极驱动电路各部分进行模块化设计，可有效简化安装调试步骤，提升维修替换的便捷性，同时对驱动各模块间互不影响的改造升级提供了便利。
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公开(公告)号：CN218730959U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222845340.7
申请日：2022-10-26
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本实用新型提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本实用新型由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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公开(公告)号：CN209804660U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920459175.7
申请日：2019-04-08
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
摘要： 本实用新型提供一种多光敏区特高压光控晶闸管，将传统光控晶闸管的一个光敏区和一组放大门极触发结构变换为四个光敏区和四组放大门极组件，集成在同一个半导体芯片内，由单域控制开通变为四域控制开通，主要包括，光敏区、放大门极、放大门极延伸枝条、阳极、阴极面、共用的台面、隔离槽、隔离间距、四层二端四光敏区结构，分别为N2+层、P2+P2+层、P1++P1层、N-层、A端、K端，器件关于x轴、y轴、z轴对称，利用光控晶闸管的触发机制是以非接触和快速导通为特征，利于支路中若干个串并联器件同时开通的特点，显著提高了光控晶闸管开通初期峰值电流能力和di/dt耐量能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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