本发明提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构及其制造方法，在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本发明还公开了上述GCT终端结构的制造方法，先预沉积铝，然后在终端区选择性挖槽，腐蚀掉部分高浓度铝杂质，最后进行高温扩散形成。本发明的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。