-
公开(公告)号：CN115764317A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211457555.X
申请日：2022-11-21
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低插损能量选择表面，包括：多个条形单元和多个辅助单元；所述条形单元和所述辅助单元均为条状结构，且所述辅助单元和所述条形单元依次交替的设置；所述条形单元包括：多个条形模块；所述辅助单元包括：多个辅助模块；所述条形模块包括：第一介质基板和设置在所述第一介质基板一侧的第一电磁感应组件；所述辅助模块包括：第二介质基板和设置在所述第二介质基板一侧的第二电磁感应组件；所述第一介质基板和所述第二介质基板为相同的；所述第一电磁感应组件与所述第二电磁感应组件相平行的设置，且所述第一电磁感应组件和所述第二电磁感应组件在所述低插损能量选择表面的同侧设置。
-
公开(公告)号：CN112103660B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010978974.2
申请日：2020-09-17
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提出一种C波段宽带能量选择表面，包括介质基板以及贴附在介质基板表面的一层金属结构层。金属结构层为由多个金属单元均匀排列而成的周期阵列结构。金属单元包括两个环形金属贴片，两环形金属贴片纵向相邻且纵向相邻的横向环边之间相隔一定间距，在两环形金属贴片的纵向相邻的横向环边之间加载有集总电容。集总电容的两端分别焊接在两环形金属贴片的纵向相邻的横向环边上。各环形金属贴片的横向环边之间相对设置两条纵向金属贴片且两条纵向金属贴片之间相隔一定间距，在两条纵向金属贴片之间加载有开关二极管。当外界信号能量超过设计阈值时，二极管自动转化成正偏状态，信号通带关闭，强电磁脉冲被屏蔽，从而保护电子设备。
-
公开(公告)号：CN110246956B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910574381.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明属于超材料结构领域，具体涉及一种极化不敏感的可调电磁诱导透明太赫兹器件。所述器件由衬底、石墨烯层、金属层和金属电极构成；所述衬底包括硅层和覆盖在硅层上面的二氧化硅层；所述石墨烯层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述石墨烯层由周期性排列的石墨烯方框结构组成；所述金属层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述金属层由周期性排列的十字型金属单元结构组成；所述金属电极的一个电极设置在石墨烯层的边缘，并与石墨烯层连接，另一个电极设置在硅层边缘，且与硅层连接。本发明能够实现电磁诱导透明特性并产生慢光效应，本发明通过外加偏压能够实现对超材料器件传输特性与慢光效应的调控，有效调节群延时的大小。
-
公开(公告)号：CN109638465A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811540026.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
CPC classification number: H01Q15/002 , H01Q15/0026
Abstract: 本发明属于电磁防护领域，涉及一种波导高功率防护器件，所述防护器件包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一个等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片。本发明解决了天线系统的强电磁场防护问题，相对于传统的能量选择表面，效果更好，成本更低。
-
公开(公告)号：CN117728191A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410119030.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于异质二极管复合的三维能量选择表面，包括：多个单元组件；单元组件包括：介质基板和设置在介质基板上的表面周期单元；在介质基板上，表面周期单元多个规则排布形成阵列；表面周期单元包括：中心旋转对称的贴片金属结构，第一二极管和第二二极管；在贴片金属结构上轴对称的设置有用于安装第一二极管的第一安装缝隙和用于安装第二二极管的第二安装缝隙；第一安装缝隙和第二安装缝隙分别由贴片金属结构的边缘起始，且沿相互靠近的方向延伸设置；第一二极管的导通门限大于第二二极管的导通门限。本发明实现了两种二极管的优势结合，使得能量选择表面具有导通门限低、耐受场强高的特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113314853B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110594488.5
申请日：2021-05-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本申请涉及一种自适应平面反射/散射阵天线。所述天线包括：喇叭天线与平面反射阵，喇叭天线在平面反射阵的中心轴线上，并且喇叭天线与平面反射阵的距离为中心频率的自由空间波长的倍数；平面反射阵包括：金属地板、介质基底和反射阵元；反射阵元由多个不同尺寸的工字型金属单元组成；每个工字型金属单元中间放置二极管单元；工字型金属单元的尺寸由所在反射阵元中的位置确定；二极管单元包括零偏状态和导通状态；当天线正常工作时，二极管单元处于零偏状态，当天线受到强磁辐射时，二极管单元处于导通状态。采用方案可以提高平面反射阵天线的防护能力。
-
公开(公告)号：CN112117546A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010977546.8
申请日：2020-09-17
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 为了使电子系统免受强电磁脉冲威胁，本发明提出了用于强电磁防护的C波段超宽带能量选择表面，包括从下到下依次层叠的第一金属周期结构、第一介质基板、第二金属周期结构、第二介质基板和第三金属周期结构。其中位于正面的第一金属周期结构中和位于背面的第三金属周期结构中均加载PIN二极管。利用多层金属周期结构和PIN二极管，实现了对入射电磁波的频率选择特性和对电磁能量进行感知的能量选择特性。本发明可对任意极化的防护的电磁波进行防护。
-
公开(公告)号：CN110246956A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910574381.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明属于超材料结构领域，具体涉及一种极化不敏感的可调电磁诱导透明太赫兹器件。所述器件由衬底、石墨烯层、金属层和金属电极构成；所述衬底包括硅层和覆盖在硅层上面的二氧化硅层；所述石墨烯层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述石墨烯层由周期性排列的石墨烯方框结构组成；所述金属层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述金属层由周期性排列的十字型金属单元结构组成；所述金属电极的一个电极设置在石墨烯层的边缘，并与石墨烯层连接，另一个电极设置在硅层边缘，且与硅层连接。本发明能够实现电磁诱导透明特性并产生慢光效应，本发明通过外加偏压能够实现对超材料器件传输特性与慢光效应的调控，有效调节群延时的大小。
-
公开(公告)号：CN109451718A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811472795.0
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明属于材料技术领域，具体涉及一种超宽带能量选择表面。所述超宽带能量选择表面包括介质基板、印刷在所述介质基板上表面的第一金属结构和印刷在所述介质基板下表面的第二金属结构；所述第一金属结构为两组相同的轨道式组合形状；所述轨道式组合形状包括两条相互平行的横金属条和连接两条横金属条的若干条相互平行的纵金属条，所述纵金属条等间距设置，每条纵金属条上加载有若干个二极管；所述第二金属结构为金属条组成的网格。本发明的优点在于利用多层金属周期结构和PIN二极管，实现了对入射电磁波的频率选择特性和对电磁能量进行感知的能量选择特性，是一种新型自适应“前门”电磁信号抑制技术。
-
公开(公告)号：CN117728191B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410119030.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于异质二极管复合的三维能量选择表面，包括：多个单元组件；单元组件包括：介质基板和设置在介质基板上的表面周期单元；在介质基板上，表面周期单元多个规则排布形成阵列；表面周期单元包括：中心旋转对称的贴片金属结构，第一二极管和第二二极管；在贴片金属结构上轴对称的设置有用于安装第一二极管的第一安装缝隙和用于安装第二二极管的第二安装缝隙；第一安装缝隙和第二安装缝隙分别由贴片金属结构的边缘起始，且沿相互靠近的方向延伸设置；第一二极管的导通门限大于第二二极管的导通门限。本发明实现了两种二极管的优势结合，使得能量选择表面具有导通门限低、耐受场强高的特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.033 seconds)
