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公开(公告)号：CN119743157A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510257915.9
申请日：2025-03-05
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H04B1/16
Abstract: 为克服现有技术中针对轻量化电子通信平台，采用传统数据插值方法进行信号波形重构处理时数据量大、波形重构生成效率不高、处理周期偏长的缺陷，本发明提供一种轻量化平台信号波形重构方法、装置、设备及存储介质，所述方法步骤包括：对原始波形进行预处理获得其包络和载波；截取原始波形快速捷变后振幅突变点附近的局部包络，对其进行稀疏采样处理获得局部稀疏包络数据；对局部稀疏包络数据进行部分替换与删除，获取局部包络的插值基准数据；基于所述局部包络的插值基准数据，进行局部包络插值，生成新波形局部包络；利用新波形局部包络，对捷变后的原始波形进行重构。本发明数据量小执行简单、重构生成效率高、处理周期短，且实时性和通用性强。
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公开(公告)号：CN115270218A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210899309.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本申请属于电子信息技术领域，涉及一种类周期阵列结构的快速建模方法，包括：获取类周期阵列结构的建模任务；根据类周期阵列结构，设置基准参考单元和其余阵列单元；对基准参考单元进行表面三角网格剖分，得到离散数据集；离散数据集包括所有离散节点的三维空间直角坐标和所有离散网格的顶点编号；根据类周期阵列结构，选择空间变换坐标系；根据类周期阵列结构、基准参考单元和空间变换坐标系，对所有其余阵列单元相对于基准参考单元进行空间变换，并得到变换参数集；根据所有离散节点的三维空间直角坐标、所有离散网格的顶点编号和变换参数集，完成类周期阵列结构的建模。本申请能够对类周期阵列结构进行快速建模并高效存储。
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公开(公告)号：CN118412663A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410611763.3
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明涉及一种谐振型高频微纳能量选择表面，包括：基板，第一电磁响应结构和第二电磁响应结构；第一电磁响应结构包括：呈矩形阵列且相互连接的多个响应组件；响应组件包括：第一金属件、中间金属件、第二金属件、第一二极管和第二二极管；中间金属件具有第一延伸端和第二延伸端，第一延伸端和第二延伸端相互垂直的设置；第一金属件与第一延伸端具有间隔的相对设置，且第一二极管的正极与第一延伸端相连接，其负极与第一金属件相连接；第二金属件与第二延伸端具有间隔的相对设置，且第二二极管的正极与第二延伸端相连接，其负极与第二金属件相连接；中间金属件为轴对称结构，第一金属件和第二金属件在中间金属件的对称轴的两侧对称分布。
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公开(公告)号：CN114422306B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210044843.6
申请日：2022-01-14
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 电压模预加重均衡电路、SerDes发射机及芯片，该电路采用电压模架构，包括：驱动电路，用于将输入信号输送到信道上；预加重电路，用于在不压缩低频分量的前提下，增强高频分量。本发明采用预加重方案，通过叠加脉冲的方式提升高频分量的绝对幅度，实现了均衡强度与输出摆幅的解耦合，使得高频分量的调整不影响输出摆幅。本发明能够解除去加重均衡中均衡强度对输出摆幅的影响，避免输出摆幅对线性度的制约，降低对尾电流的依赖以降低功耗。
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公开(公告)号：CN117728191B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410119030.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于异质二极管复合的三维能量选择表面，包括：多个单元组件；单元组件包括：介质基板和设置在介质基板上的表面周期单元；在介质基板上，表面周期单元多个规则排布形成阵列；表面周期单元包括：中心旋转对称的贴片金属结构，第一二极管和第二二极管；在贴片金属结构上轴对称的设置有用于安装第一二极管的第一安装缝隙和用于安装第二二极管的第二安装缝隙；第一安装缝隙和第二安装缝隙分别由贴片金属结构的边缘起始，且沿相互靠近的方向延伸设置；第一二极管的导通门限大于第二二极管的导通门限。本发明实现了两种二极管的优势结合，使得能量选择表面具有导通门限低、耐受场强高的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116454638A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310665630.X
申请日：2023-06-07
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种L‑Ku频段的超宽带微纳能量选择表面，包括：第一衬底介质基板、夹层介质基板和第二衬底介质基板；第一衬底介质基板和第二衬底介质基板在夹层介质基板的相对两侧分别设置；第一衬底介质基板远离夹层介质基板的一侧和第二衬底介质基板远离夹层介质基板的一侧分别设置有电磁响应结构；电磁响应结构包括：多个电磁响应组件；电磁响应组件包括：二极管和电极连接件；在第一衬底介质基板的侧面上，二极管采用外延生长和掺杂工艺集成设置，电极连接件采用外延生长和掺杂工艺集成设置；在第二衬底介质基板的侧面上，二极管采用外延生长和掺杂工艺集成设置，电极连接件分别采用外延生长和掺杂工艺集成设置。
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公开(公告)号：CN114422306A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210044843.6
申请日：2022-01-14
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 电压模预加重均衡电路、SerDes发射机及芯片，该电路采用电压模架构，包括：驱动电路，用于将输入信号输送到信道上；预加重电路，用于在不压缩低频分量的前提下，增强高频分量。本发明采用预加重方案，通过叠加脉冲的方式提升高频分量的绝对幅度，实现了均衡强度与输出摆幅的解耦合，使得高频分量的调整不影响输出摆幅。本发明能够解除去加重均衡中均衡强度对输出摆幅的影响，避免输出摆幅对线性度的制约，降低对尾电流的依赖以降低功耗。
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公开(公告)号：CN111478050A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010299929.4
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种柔性电磁散射调控结构，包括柔性介质层和设置在柔性介质层上的导电图案，所述导电图案包括阵列排布的导电单元，纵向相邻的两个导电单元间通过变容二极管相连，横向相邻的两个导电单元间通过横向直流偏置线相连，并在每一横列的两侧设置正负电压供电总线形成供电网络；同一横列设置的变容二极管极性相同，纵向相邻设置的变容二极管极性相反，所有变容二极管并联设置。本发明还提供了该电磁散射调控结构的制作方法。利用该柔性电磁散射调控结构可以实现柔性共形覆盖，在电子对抗中发挥更大的作用，大大降低武器装备被侦测到的概率，提高其生存能力。
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公开(公告)号：CN119786957A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411858745.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明公开了一种同轴馈电型能量选择防护天线，属于无线通讯技术领域。该天线包括同轴馈电探针、上层介质基板和下层介质基板；同轴馈电探针穿过上层介质基板和下层介质基板；下层介质基板上至少敷设有一对金属焊盘贴片；每对金属焊盘贴片包括靠近同轴馈电探针的近端金属焊盘贴片和远离同轴馈电探针的远端金属焊盘贴片；近端金属焊盘贴片与同轴馈电探针紧密连接；近端金属焊盘贴片和对应的远端金属焊盘贴片之间留有用于焊接半导体器件的缝隙；上层介质基板上开设有用于保护半导体器件的介质镂空区域。同轴馈电型能量选择防护天线能够在不影响同轴馈电型天线正常工作的前提下，确保了在高辐照情况下对后端电子信息设备的电磁防护。
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公开(公告)号：CN111310308B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010065718.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开一种曲面共形阵列目标电磁特性分析方法及系统，该方法包括：将目标分解为若干分解部件，对每个分解部件进行表面三角剖分并定义RWG函数、为每个分解部件创建外部等效源；创建多个并行线程，指定主、子线程，分配每个子线程负责的分解部件数量和编号；对于每个子线程，独立构建该子线程负责的所有分解部件的综合函数，并利用综合函数对其自阻抗、互阻抗和激励矩阵进行压缩，将结果上报主线程；根据压缩阻抗矩阵和压缩激励矩阵构建目标整体矩阵方程，求解获得目标上定义的综合函数电流系数，结合综合函数定义获得目标在空间的电磁特性。解决现有技术手段处理效率低等问题，大大提高SBFM的综合处理效率。
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