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公开(公告)号：CN109638465B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201811540026.X
申请日：2018-12-17
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明属于电磁防护领域，涉及一种波导高功率防护器件，所述防护器件包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一个等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片。本发明解决了天线系统的强电磁场防护问题，相对于传统的能量选择表面，效果更好，成本更低。
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公开(公告)号：CN109451718B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811472795.0
申请日：2018-12-04
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本发明属于材料技术领域，具体涉及一种超宽带能量选择表面。所述超宽带能量选择表面包括介质基板、印刷在所述介质基板上表面的第一金属结构和印刷在所述介质基板下表面的第二金属结构；所述第一金属结构为两组相同的轨道式组合形状；所述轨道式组合形状包括两条相互平行的横金属条和连接两条横金属条的若干条相互平行的纵金属条，所述纵金属条等间距设置，每条纵金属条上加载有若干个二极管；所述第二金属结构为金属条组成的网格。本发明的优点在于利用多层金属周期结构和PIN二极管，实现了对入射电磁波的频率选择特性和对电磁能量进行感知的能量选择特性，是一种新型自适应“前门”电磁信号抑制技术。
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公开(公告)号：CN107611622B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201710893962.8
申请日：2017-09-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 针对复杂电磁环境下的隐身及电磁兼容问题，本发明提出了一种通带可控的双边频宽带吸波体。吸波体由多个呈阵列排布的周期性单元结构组成；周期性单元结构包括电控开关屏、周期阻抗层以及泡沫层，周期阻抗层、电控开关屏分别设置在泡沫层的上下侧，所述泡沫层支撑在电控开关屏与周期阻抗层之间将两者分隔开。本发明通过电控开关屏背面的馈电网络控制二极管的工作状态，从而改变电控开关屏的结构，实现带通与全反射之间的切换。本发明能实现对工作频带两侧的探测及干扰信号吸收，并对工作频带内的传输窗口进行电控，使其在正常环境下打开窗口不影响信号收发，而在复杂电磁环境中关闭窗口。
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公开(公告)号：CN109638465A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811540026.X
申请日：2018-12-17
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q15/00
CPC分类号： H01Q15/002 , H01Q15/0026
摘要： 本发明属于电磁防护领域，涉及一种波导高功率防护器件，所述防护器件包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一个等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片。本发明解决了天线系统的强电磁场防护问题，相对于传统的能量选择表面，效果更好，成本更低。
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公开(公告)号：CN108232462A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810037414.X
申请日：2018-01-16
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q15/00
CPC分类号： H01Q15/0086
摘要： 本发明提供了具有调制器和慢光功能的太赫兹超材料，包括金属电极以及超材料本体，所述超材料本体由带绝缘层的衬底以及设置在衬底其绝缘层上的金属谐振单元和石墨烯条组成，通过金属电极对超材料本体外加偏压进而调节石墨烯费米能级能够实现太赫兹电磁波透过率以及慢光效应的调控。本发明解决了超材料中明暗模谐振结构互耦强度调控问题，从而实现太赫兹波空间调制。同时，利用类电磁诱导透明产生的强色散特性，产生电磁波群延时，实现慢光功能，并能够通过外加偏压改变石墨烯的费米能级对慢光效应进行调控。在调制的过程中，主要改变透明峰值频点的透波情况，而不影响其他频点的情况，可以有效避免可能的调制噪声。
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公开(公告)号：CN109586038A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811474981.8
申请日：2018-12-04
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明属于材料技术领域，具体涉及一种基于PIN二极管的超宽带开关式吸波体。所述吸波体从上至下依次为吸波层、开关层和底板层；所述吸波层由第一介质基板和多个周期性附着在第一介质基板上表面的开口谐振环结构组成；所述开关层由第二介质基板、多条周期性附着在第二介质基板上表面的加载二极管的金属横条、多条周期性附着在第二介质基板下表面的加载二极管的金属纵条，所述多条金属横条之间相互平行，所述多条金属纵条之间相互平行，所述金属横条与金属纵条在空间上的方向相互垂直；所述底板层为金属材料层。本发明实现了从S波段到X波段的超宽带吸波，工作频段覆盖宽；且具有部分频段开关特性，馈电方式简单，具有极化无关性。
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公开(公告)号：CN108232462B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810037414.X
申请日：2018-01-16
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明提供了具有调制器和慢光功能的太赫兹超材料，包括金属电极以及超材料本体，所述超材料本体由带绝缘层的衬底以及设置在衬底其绝缘层上的金属谐振单元和石墨烯条组成，通过金属电极对超材料本体外加偏压进而调节石墨烯费米能级能够实现太赫兹电磁波透过率以及慢光效应的调控。本发明解决了超材料中明暗模谐振结构互耦强度调控问题，从而实现太赫兹波空间调制。同时，利用类电磁诱导透明产生的强色散特性，产生电磁波群延时，实现慢光功能，并能够通过外加偏压改变石墨烯的费米能级对慢光效应进行调控。在调制的过程中，主要改变透明峰值频点的透波情况，而不影响其他频点的情况，可以有效避免可能的调制噪声。
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公开(公告)号：CN107404009A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710771007.7
申请日：2017-08-31
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
CPC分类号： H01Q17/008
摘要： 本发明提供一种通带嵌入型频率选择吸波体，通过将通带嵌入于吸波带之间，从而在通带以外的高频段和低频段内均实现显著吸波。
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公开(公告)号：CN109451718A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811472795.0
申请日：2018-12-04
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本发明属于材料技术领域，具体涉及一种超宽带能量选择表面。所述超宽带能量选择表面包括介质基板、印刷在所述介质基板上表面的第一金属结构和印刷在所述介质基板下表面的第二金属结构；所述第一金属结构为两组相同的轨道式组合形状；所述轨道式组合形状包括两条相互平行的横金属条和连接两条横金属条的若干条相互平行的纵金属条，所述纵金属条等间距设置，每条纵金属条上加载有若干个二极管；所述第二金属结构为金属条组成的网格。本发明的优点在于利用多层金属周期结构和PIN二极管，实现了对入射电磁波的频率选择特性和对电磁能量进行感知的能量选择特性，是一种新型自适应“前门”电磁信号抑制技术。
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公开(公告)号：CN107611622A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710893962.8
申请日：2017-09-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 针对复杂电磁环境下的隐身及电磁兼容问题，本发明提出了一种通带可控的双边频宽带吸波体。吸波体由多个呈阵列排布的周期性单元结构组成；周期性单元结构包括电控开关屏、周期阻抗层以及泡沫层，周期阻抗层、电控开关屏分别设置在泡沫层的上下侧，所述泡沫层支撑在电控开关屏与周期阻抗层之间将两者分隔开。本发明通过电控开关屏背面的馈电网络控制二极管的工作状态，从而改变电控开关屏的结构，实现带通与全反射之间的切换。本发明能实现对工作频带两侧的探测及干扰信号吸收，并对工作频带内的传输窗口进行电控，使其在正常环境下打开窗口不影响信号收发，而在复杂电磁环境中关闭窗口。
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