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公开(公告)号：CN109638465B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201811540026.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明属于电磁防护领域，涉及一种波导高功率防护器件，所述防护器件包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一个等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片。本发明解决了天线系统的强电磁场防护问题，相对于传统的能量选择表面，效果更好，成本更低。
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公开(公告)号：CN110246956A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910574381.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明属于超材料结构领域，具体涉及一种极化不敏感的可调电磁诱导透明太赫兹器件。所述器件由衬底、石墨烯层、金属层和金属电极构成；所述衬底包括硅层和覆盖在硅层上面的二氧化硅层；所述石墨烯层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述石墨烯层由周期性排列的石墨烯方框结构组成；所述金属层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述金属层由周期性排列的十字型金属单元结构组成；所述金属电极的一个电极设置在石墨烯层的边缘，并与石墨烯层连接，另一个电极设置在硅层边缘，且与硅层连接。本发明能够实现电磁诱导透明特性并产生慢光效应，本发明通过外加偏压能够实现对超材料器件传输特性与慢光效应的调控，有效调节群延时的大小。
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公开(公告)号：CN110246956B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910574381.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明属于超材料结构领域，具体涉及一种极化不敏感的可调电磁诱导透明太赫兹器件。所述器件由衬底、石墨烯层、金属层和金属电极构成；所述衬底包括硅层和覆盖在硅层上面的二氧化硅层；所述石墨烯层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述石墨烯层由周期性排列的石墨烯方框结构组成；所述金属层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述金属层由周期性排列的十字型金属单元结构组成；所述金属电极的一个电极设置在石墨烯层的边缘，并与石墨烯层连接，另一个电极设置在硅层边缘，且与硅层连接。本发明能够实现电磁诱导透明特性并产生慢光效应，本发明通过外加偏压能够实现对超材料器件传输特性与慢光效应的调控，有效调节群延时的大小。
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公开(公告)号：CN109638465A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811540026.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01Q15/00
CPC classification number: H01Q15/002 , H01Q15/0026
Abstract: 本发明属于电磁防护领域，涉及一种波导高功率防护器件，所述防护器件包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一个等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片。本发明解决了天线系统的强电磁场防护问题，相对于传统的能量选择表面，效果更好，成本更低。
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