公开(公告)号：CN115537930A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211203945.4

申请日：2022-09-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 钟绵增 ,  张芬 ,  夏庆林 ,  束传存 ,  何军

IPC: C30B29/48 ,  C30B29/62 ,  C30B25/00 ,  C30B7/10 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B28/04 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0352 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种铋碲硫半导体、制备方法及光电器件。铋碲硫半导体为晶体，铋碲硫半导体的化学结构式为BixTeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3。上述的铋碲硫半导体中，Bi2Te3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Te3中，生长出BixTeySz半导体。相比Bi2Te3半导体，BixTeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。

公开(公告)号：CN115241306A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210795677.3

申请日：2022-07-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 钟绵增 ,  莫长勋 ,  束传存 ,  王丹阳 ,  张芬

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/108 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。

公开(公告)号：CN108400447A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810121243.9

申请日：2018-02-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 王岩 ,  张芬 ,  黄小忠 ,  王强 ,  熊益军

IPC: H01Q17/00 ,  B32B3/00 ,  B32B27/08

Abstract: 本发明公开了一种三维多频雷达吸波材料，由周期阵列结构组成，其周期结构中结构单元由三维介质材料结构和全反射衬板基底构成；三维介质材料结构包括一层或两层介质材料结构；包括一层介质材料结构时，介质材料结构设计为空芯六面体；包括两层介质材料结构时，两层介质材料结构采用相同的介质材料，且下层介质材料结构设计为长方体，上层介质材料结构设计为六面体、圆柱体、空芯六面体或空芯圆柱体；该雷达吸波材料具有较多吸波频点，可以实现较宽频率范围内完美吸收，且其设计简单、成本低，适用于雷达吸波、电磁兼容性保护、电磁谐振器及射频等领域。

公开(公告)号：CN115241306B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202210795677.3

申请日：2022-07-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 钟绵增 ,  莫长勋 ,  束传存 ,  王丹阳 ,  张芬

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/108 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。

公开(公告)号：CN108400447B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810121243.9

申请日：2018-02-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 王岩 ,  张芬 ,  黄小忠 ,  王强 ,  熊益军

IPC: H01Q17/00 ,  B32B3/00 ,  B32B27/08

Abstract: 本发明公开了一种三维多频雷达吸波材料，由周期阵列结构组成，其周期结构中结构单元由三维介质材料结构和全反射衬板基底构成；三维介质材料结构包括一层或两层介质材料结构；包括一层介质材料结构时，介质材料结构设计为空芯六面体；包括两层介质材料结构时，两层介质材料结构采用相同的介质材料，且下层介质材料结构设计为长方体，上层介质材料结构设计为六面体、圆柱体、空芯六面体或空芯圆柱体；该雷达吸波材料具有较多吸波频点，可以实现较宽频率范围内完美吸收，且其设计简单、成本低，适用于雷达吸波、电磁兼容性保护、电磁谐振器及射频等领域。