公开(公告)号：CN115241306B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202210795677.3

申请日：2022-07-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 钟绵增 ,  莫长勋 ,  束传存 ,  王丹阳 ,  张芬

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/108 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。

公开(公告)号：CN115241306A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210795677.3

申请日：2022-07-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 钟绵增 ,  莫长勋 ,  束传存 ,  王丹阳 ,  张芬

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/108 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。