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公开(公告)号：CN118714909B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411195617.3
申请日：2024-08-29
申请人： 中北大学
IPC分类号： H10N10/851 , H10N10/17 , H10N10/01 , H10N10/80 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J3/28 , G01J5/12 , G01J5/14
摘要： 本发明公开了一种免制冷、宽光谱的硅基集成光热电探测器件及其制备方法，属于光热电探测器件制备技术领域。所述光热电探测器件的结构包括：一侧表面的中间为微纳米黑硅结构的绝缘衬底层、位于所述绝缘衬底层上包围所述微纳米黑硅结构的钝化保护层、所述微纳米黑硅结构表面生长的贵金属纳米粒子层、位于所述钝化保护层上的热电薄膜以及位于所述热电薄膜上的电极。本发明通过在硅基表面形成微纳结构并溅射贵金属纳米颗粒形成等离激元，结合共溅射薄膜制备技术，解决了现有光电探测器结构单一、感知光谱范围有限及集成度低等诸多问题。
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公开(公告)号：CN117311056A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311409253.X
申请日：2023-10-27
申请人： 中北大学
摘要： 本发明涉及硅基光电集成器件领域，具体涉及一种可调控的高非线性硅基石墨烯多模狭缝波导及制备方法，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底上设置有多个平行排列的硅波导，硅波导为截面为矩形的条状，相互之间设置有狭缝间隙形成多模狭缝波导，多模狭缝波导表面设置有两侧均延伸至氧化硅衬底表面的石墨烯薄膜，位于多模狭缝波导两侧的石墨烯薄膜表面分别设置有第一电极和第二电极，氧化硅衬底上未覆石墨烯薄膜的位置设置有第三电极；石墨烯薄膜、氧化硅衬底和各个电极上方均覆盖有离子凝胶层。本发明大幅度提高了器件非线性强度，可以广泛应用于高速光逻辑运算器件及多模光逻辑运算中。
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公开(公告)号：CN118714909A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411195617.3
申请日：2024-08-29
申请人： 中北大学
IPC分类号： H10N10/851 , H10N10/17 , H10N10/01 , H10N10/80 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J3/28 , G01J5/12 , G01J5/14
摘要： 本发明公开了一种免制冷、宽光谱的硅基集成光热电探测器件及其制备方法，属于光热电探测器件制备技术领域。所述光热电探测器件的结构包括：一侧表面的中间为微纳米黑硅结构的绝缘衬底层、位于所述绝缘衬底层上包围所述微纳米黑硅结构的钝化保护层、所述微纳米黑硅结构表面生长的贵金属纳米粒子层、位于所述钝化保护层上的热电薄膜以及位于所述热电薄膜上的电极。本发明通过在硅基表面形成微纳结构并溅射贵金属纳米颗粒形成等离激元，结合共溅射薄膜制备技术，解决了现有光电探测器结构单一、感知光谱范围有限及集成度低等诸多问题。
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公开(公告)号：CN117812985B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410232238.0
申请日：2024-03-01
申请人： 中北大学
IPC分类号： H10N10/17 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本发明属于柔性传感器技术、光热电技术和纳米材料制备技术领域，公开了一种基于喷涂法的柔性光热电探测器件及其制备方法，器件包括依次设置的衬底层、底电极层、光热电敏感层和顶电极层；所述光热电敏感层材料为Ag2Se纳米线与PVP的混合物，通过喷涂法制备在底电极层上。本发明制备方法简单，简单高效无毒，而且，PVP可以保护Ag2Se纳米棒使其不易氧化，使得器件的热电性能在干燥环境中能长时间保持稳定，提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117479809B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311817067.X
申请日：2023-12-27
申请人： 中北大学
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种柔性化的Y型微型热电器件及其制备方法，包括聚酰亚胺衬底层、有机物填充层和设置在中间的热电单元层，热电单元层顶部设置有多个向下延伸至聚酰亚胺衬底层的第一电极柱，底部设置有多个向上延伸至有机物填充层的第二电极柱，第二电极柱与第一电极柱交错设置；热电单元层设置在各个相邻的第二电极柱之间，两个相邻的第二电极柱及其之间的热电单元层和第一电极柱构成Y型热电单元器件；热电单元层包括分别位于第一电极柱的左右两侧的N型热电单元和P型热电单元。本发明不仅热电转化率高，性能优异，而且结构简单，易于扩展，其结合MEMS工艺制备，制备工艺简单、成本低，可广泛应用。
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公开(公告)号：CN118299445A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410729573.1
申请日：2024-06-06
申请人： 中北大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H10N10/852 , H10N10/01 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
摘要： 本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种宽光谱响应的自供电光电探测器件及其制备方法。器件包括：P型硅衬底，P型硅衬底底部设置有底电极，顶部设置有SiO2介质层；SiO2介质层上表面中心设置有延伸至P型硅衬底的凹槽，P型硅衬底上与凹槽对应的位置设置有刻蚀形成的硅微纳结构，所述硅微纳结构包括多个二维排列的硅纳米线；SiO2介质层和硅微纳结构表面设置有Ag2Se薄膜层，SiO2介质层表面设置有顶电极。本发明将硅纳米线的光电效应与Ag2Se薄膜层的光热电效应耦合，通过协同效应提高光电探测器的整体性能，使其具有更高的响应度和灵敏度和更宽的光谱响应范围并实现自供电。
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公开(公告)号：CN117812985A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410232238.0
申请日：2024-03-01
申请人： 中北大学
IPC分类号： H10N10/17 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本发明属于柔性传感器技术、光热电技术和纳米材料制备技术领域，公开了一种基于喷涂法的柔性光热电探测器件及其制备方法，器件包括依次设置的衬底层、底电极层、光热电敏感层和顶电极层；所述光热电敏感层材料为Ag2Se纳米线与PVP的混合物，通过喷涂法制备在底电极层上。本发明制备方法简单，简单高效无毒，而且，PVP可以保护Ag2Se纳米棒使其不易氧化，使得器件的热电性能在干燥环境中能长时间保持稳定，提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111009422B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201911255198.7
申请日：2019-12-10
申请人： 中北大学
IPC分类号： H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/48 , H01G11/24 , H01G11/86 , C01G53/00 , C08G73/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种镍基核壳结构NiCo2O4/聚苯胺纳米材料的制备方法，进一步提高NiCo2O4/聚苯胺复合材料在超级电容器电极材料领域的比电容值。本发明方法采用泡沫镍为基底，通过水热法在基底上制备NiCo2O4纳米材料，接着通过原位聚合法，低温下在该材料表面直接聚合苯胺，然后取出材料，洗涤并干燥即得到了本发明所述的镍基核壳结构NiCo2O4/聚苯胺纳米材料。该复合纳米材料制备简单、成本低廉，在超级电容器电极材料应用中性能优异，比电容值在扫描速率为5mA/cm2时，可达14F/cm2。
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公开(公告)号：CN118299445B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410729573.1
申请日：2024-06-06
申请人： 中北大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H10N10/852 , H10N10/01 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
摘要： 本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种宽光谱响应的自供电光电探测器件及其制备方法。器件包括：P型硅衬底，P型硅衬底底部设置有底电极，顶部设置有SiO2介质层；SiO2介质层上表面中心设置有延伸至P型硅衬底的凹槽，P型硅衬底上与凹槽对应的位置设置有刻蚀形成的硅微纳结构，所述硅微纳结构包括多个二维排列的硅纳米线；SiO2介质层和硅微纳结构表面设置有Ag2Se薄膜层，SiO2介质层表面设置有顶电极。本发明将硅纳米线的光电效应与Ag2Se薄膜层的光热电效应耦合，通过协同效应提高光电探测器的整体性能，使其具有更高的响应度和灵敏度和更宽的光谱响应范围并实现自供电。
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公开(公告)号：CN118373004A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410805294.9
申请日：2024-06-21
申请人： 中北大学
IPC分类号： B64U70/50
摘要： 本发明属于水下无人机发射技术领域，为了解决现有技术中筒盖在承压能力和破碎阻力之间难以平衡的问题，公开了一种用于无人机水下发射的筒密封盖结构，包括：下密封盖、上密封盖、易碎片和多个分叶盖；下密封盖和上密封盖中心均设置有中心孔；上密封盖固定设置在下密封盖上，易碎片通过第一密封圈与下密封盖密封连接并位于上密封盖上方；各个分叶盖分别通过一根转轴与上密封盖转动连接，并呈中心对称分布设置在易碎片下方；各个分叶盖与上密封盖连接一侧的侧壁下方与下密封盖的中心孔内壁紧密接触，进而限制分叶盖使其只能向上单向转动。本发明提高了筒盖的抗击外部压力能力，同时降低了冲破阻力，具有较高的内外载荷比。
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