公开(公告)号：CN117311056A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311409253.X

申请日：2023-10-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 王永华 ,  王超凡 ,  雷蕾 ,  刘丹 ,  崔丹凤 ,  陈奕 ,  翟聪 ,  薛晨阳

IPC: G02F3/00 ,  G02F1/365 ,  G02F1/35 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明涉及硅基光电集成器件领域，具体涉及一种可调控的高非线性硅基石墨烯多模狭缝波导及制备方法，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底上设置有多个平行排列的硅波导，硅波导为截面为矩形的条状，相互之间设置有狭缝间隙形成多模狭缝波导，多模狭缝波导表面设置有两侧均延伸至氧化硅衬底表面的石墨烯薄膜，位于多模狭缝波导两侧的石墨烯薄膜表面分别设置有第一电极和第二电极，氧化硅衬底上未覆石墨烯薄膜的位置设置有第三电极；石墨烯薄膜、氧化硅衬底和各个电极上方均覆盖有离子凝胶层。本发明大幅度提高了器件非线性强度，可以广泛应用于高速光逻辑运算器件及多模光逻辑运算中。