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公开(公告)号：CN104953226B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510291579.6
申请日：2015-06-01
Applicant: 中北大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及太赫兹波导耦合器的制备技术，具体是一种基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器及其制备方法。本发明解决了现有太赫兹波导耦合器的制备技术制备过程复杂、制备成本高、制备出的太赫兹波导耦合器精度低、表面粗糙度大、损耗大、功率不足的问题。基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器，包括第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片；其中，第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片自下而上依次层叠成一体；第二金属T形片的横向部分表面开设有上下贯通的直形波导腔。本发明适用于雷达成像、材料分析、环境监测、大容量通讯等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104638371A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510064213.5
申请日：2015-02-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及喇叭天线的制作方法，具体为基于MEMS工艺的毫米波喇叭天线的制作方法，包括以下步骤：选取基片，基片清洗后旋涂感光胶并紫外光刻，得到喇叭天线阵列的模具；在模具上覆盖一层可固化的柔性材料，待柔性材料固化后揭下模具，得到喇叭天线阵列的主体；在主体正面旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行光刻显影，在主体正面留出喇叭腔体的位置，并在此位置进行金属化；剥离牺牲层，得到金属化的喇叭天线阵列模型；在喇叭天线阵列模型背面制作馈线，得到喇叭天线阵列。本发明中工艺流程，以MEMS工艺为基础，可以做到更小的尺寸；与微带线结构的天线阵列相比，喇叭式的天线阵列有更好的辐射性能，主平面内的波瓣也更容易分别控制。
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公开(公告)号：CN102879845B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210381719.5
申请日：2012-10-10
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及光栅制作技术领域，具体为一种基于PDMS的纳米级光栅制作方法，解决了现有的纳米光栅制作方法所用设备昂贵、工艺条件苛刻复杂、难以控制、制作成本高、周期长的问题。一种基于PDMS的纳米级光栅制作方法，包括如下步骤：a、用光刻技术制作光栅母模版（5）；b、将步骤a中的光栅母模版（5）的光栅图案转移到PDMS薄膜（6）上，制作带有光栅图案的PDMS薄膜（7）；c、将带有光栅图案的PDMS薄膜（7）夹持在电控平移台上。本方法得到的纳米级光栅首先成型在PDMS薄膜上，而PDMS是一种很好的中间模具材料，对此PDMS薄膜再次倒模，便可以制作出其它多种材料的纳米级光栅。
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公开(公告)号：CN104377412B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410613248.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 中北大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明涉及微波通讯领域中的衰减器，具体为基于MEMS开关的程控步进衰减器，包括三组T型网络衰减单元，三组T型网络衰减单元都包括衰减开关和短路开关，T型网络衰减单元还包括衰减模块，通过单片机控制衰减开关和短路开关的通断来对微波信号进行衰减。本发明提供的衰减器，以MEMS工艺为基础，可以做到更小的尺寸，适合更高的工作频段，与通用的IC工艺有着很好的兼容性；以MEMS开关作为切换器件，反应更灵敏，可靠性更高；通过调节波导长度与开关电容尺寸，可以在开关的不同状态下更好的实现特征阻抗的匹配，从而达能够到更高的精度；相比LTCC，工艺更加简单，在高频段器件中有着更好的应用。
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公开(公告)号：CN104377412A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410613248.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 中北大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明涉及微波通讯领域中的衰减器，具体为基于MEMS开关的程控步进衰减器，包括三组T型网络衰减单元，三组T型网络衰减单元都包括衰减开关和短路开关，T型网络衰减单元还包括衰减模块，通过单片机控制衰减开关和短路开关的通断来对微波信号进行衰减。本发明提供的衰减器，以MEMS工艺为基础，可以做到更小的尺寸，适合更高的工作频段，与通用的IC工艺有着很好的兼容性；以MEMS开关作为切换器件，反应更灵敏，可靠性更高；通过调节波导长度与开关电容尺寸，可以在开关的不同状态下更好的实现特征阻抗的匹配，从而达能够到更高的精度；相比LTCC，工艺更加简单，在高频段器件中有着更好的应用。
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公开(公告)号：CN104953226A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510291579.6
申请日：2015-06-01
Applicant: 中北大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及太赫兹波导耦合器的制备技术，具体是一种基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器及其制备方法。本发明解决了现有太赫兹波导耦合器的制备技术制备过程复杂、制备成本高、制备出的太赫兹波导耦合器精度低、表面粗糙度大、损耗大、功率不足的问题。基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器，包括第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片；其中，第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片自下而上依次层叠成一体；第二金属T形片的横向部分表面开设有上下贯通的直形波导腔。本发明适用于雷达成像、材料分析、环境监测、大容量通讯等领域。
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