公开(公告)号：CN104953226B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510291579.6

申请日：2015-06-01

Applicant: 中北大学

Inventor： 张斌珍 ,  赵锐 ,  南雪莉 ,  孙玉洁 ,  王伟 ,  贾志浩 ,  毛静 ,  崔建利 ,  赵龙 ,  徐苏萍

IPC: H01P5/18

Abstract: 本发明涉及太赫兹波导耦合器的制备技术，具体是一种基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器及其制备方法。本发明解决了现有太赫兹波导耦合器的制备技术制备过程复杂、制备成本高、制备出的太赫兹波导耦合器精度低、表面粗糙度大、损耗大、功率不足的问题。基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器，包括第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片；其中，第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片自下而上依次层叠成一体；第二金属T形片的横向部分表面开设有上下贯通的直形波导腔。本发明适用于雷达成像、材料分析、环境监测、大容量通讯等领域。

公开(公告)号：CN104953226A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510291579.6

申请日：2015-06-01

Applicant: 中北大学

Inventor： 张斌珍 ,  南雪莉 ,  孙玉洁 ,  王伟 ,  贾志浩 ,  毛静 ,  崔建利 ,  赵龙 ,  徐苏萍

IPC: H01P5/18

Abstract: 本发明涉及太赫兹波导耦合器的制备技术，具体是一种基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器及其制备方法。本发明解决了现有太赫兹波导耦合器的制备技术制备过程复杂、制备成本高、制备出的太赫兹波导耦合器精度低、表面粗糙度大、损耗大、功率不足的问题。基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器，包括第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片；其中，第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片自下而上依次层叠成一体；第二金属T形片的横向部分表面开设有上下贯通的直形波导腔。本发明适用于雷达成像、材料分析、环境监测、大容量通讯等领域。