一种碳化硅单晶片的镀膜装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116676586A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310781428.3

    申请日:2023-06-29

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及单晶片技术领域,具体涉及一种碳化硅单晶片的镀膜装置,包括筒体,筒体的外侧设有循环控制组件,循环控制组件与外部的气体储存装置和气体回收装置连通,筒体的内侧壁对称的设有备料组件和气体支撑组件;本发明整体结构简单巧妙,通过循环控制组件可以对筒体内部的气体进行回收,降低了镀膜工作中的成本,通过备料组件可实现在同一高度位置对多个碳化硅单晶片进行逐一放置,有利于降低了工人的劳动强度,通过气体支撑组件可以避免碳化硅晶片与石墨支架直接接触,保证碳化硅晶片的镀膜效果;具有较好的应用前景和保护价值,非常适用于碳化硅晶片镀膜时使用。

    一种超声振动辅助抛光装置

    公开(公告)号:CN117484291A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311855119.2

    申请日:2023-12-29

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于碳化硅衬底材料抛光技术领域,解决了现有超声辅助化学机械抛光精度低、且适用性差的问题。提供了一种超声振动辅助抛光装置,超声振动单元通过十字滑台设置在机架的正面,能够相对机架横向、竖向滑动;超声振动单元包括阶梯轴、总套筒、微距调节机构和超声纵向振动机构;总套筒的内壁处设置有多道起限位作用的环形板;微距调节机构和超声纵向振动机构沿阶梯轴的轴向顺次设置;微距调节机构外接有压电陶瓷驱动器,压电陶瓷驱动器能够带动微距调节机构进行微距调节;超声纵向振动机构外接超声波发生器,超声波发生器能够带动超声纵向振动机构实现纵向的正弦振动。本装置能够实现对抛光精度的微米级调控和对不同规格的晶片的稳定吸附。

    一种用于SiC单晶片的超声辅助化学机械抛光加工装置

    公开(公告)号:CN116945033A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202311138598.6

    申请日:2023-09-05

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及抛光加工技术领域,具体涉及一种用于SiC单晶片的超声辅助化学机械抛光加工装置;包括玻璃槽,玻璃槽一侧安装水平的第一转轴,第一转轴的内端安装抛光盘,抛光盘远离第一转轴的一侧设有抛光垫,玻璃槽另一侧设置有水平的第二转轴,第二转轴的内端安装载料盘,载料盘靠近抛光盘的一侧通过导电胶粘结需要进行抛光的SiC单晶片,玻璃内下部装有抛光液,玻璃槽内底面设有不锈钢电极,玻璃槽外侧设有脉冲电源;不锈钢电极连接脉冲电源的负极,载料盘连接脉冲电源的正极;抛光盘、载料盘及SiC单晶片部分浸泡在抛光液中;本发明通过无需外部的泵体对抛光液进行输送,装置整体更加简洁且使用效果凸出,节约电力资源,节能环保。

    一种超声振动辅助抛光装置

    公开(公告)号:CN117484291B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311855119.2

    申请日:2023-12-29

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于碳化硅衬底材料抛光技术领域,解决了现有超声辅助化学机械抛光精度低、且适用性差的问题。提供了一种超声振动辅助抛光装置,超声振动单元通过十字滑台设置在机架的正面,能够相对机架横向、竖向滑动;超声振动单元包括阶梯轴、总套筒、微距调节机构和超声纵向振动机构;总套筒的内壁处设置有多道起限位作用的环形板;微距调节机构和超声纵向振动机构沿阶梯轴的轴向顺次设置;微距调节机构外接有压电陶瓷驱动器,压电陶瓷驱动器能够带动微距调节机构进行微距调节;超声纵向振动机构外接超声波发生器,超声波发生器能够带动超声纵向振动机构实现纵向的正弦振动。本装置能够实现对抛光精度的微米级调控和对不同规格的晶片的稳定吸附。

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