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公开(公告)号：CN117677064A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211032507.6
申请日：2022-08-26
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 冯明章
摘要： 本发明公开了一种防静电线路板的制备方法，包括：提供一线路板；在所述线路板的表面上沉积Si层；在所述Si层上沉积DLC层，得到防静电线路板。采用本发明实施例，能够制造出具有良好防静电性能和物理机械性能的防静电线路板。
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公开(公告)号：CN117677026A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211032498.0
申请日：2022-08-26
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 冯明章
IPC分类号： H05K1/02
摘要： 本发明公开了一种电路板，包括电路板本体和防静电结构；其中，所述防静电结构包括防静电层和粘合层；所述粘合层设于所述电路板本体的表面；所述防静电层设于所述粘合层的远离所述电路板本体的一面上；所述粘合层的成分包括硅。本发明实施例提供的电路板具有防静电结构，能有效防止静电干扰或损坏。
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公开(公告)号：CN117995700A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211333058.9
申请日：2022-10-28
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 冯明章
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种在芯片上形成识别符号的方法及芯片，该方法包括：提供一芯片；基于预设图形，采用等离子体对所述芯片进行刻蚀，使得所述芯片上形成识别符号；其中，所述识别符号为多边形，所述识别符号的最大边长大于或等于12微米，所述识别符号的最小边长大于或等于6微米，所述识别符号的深度为0.5‑1.0微米。采用本发明实施例能够高效地在芯片上形成识别符号，并且，该识别符号具有高清晰度和高辨识度，从而能够有效提高光学识别准确率。
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公开(公告)号：CN115874146A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111138096.4
申请日：2021-09-27
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 冯明章
摘要： 本发明公开了一种磨轮表面的镀膜方法，包括：对磨轮表面进行清洗以及烘干处理；将烘干后的磨轮置于真空室内，在氩气和氢气环境下，对磨轮表面进行辉光清洗；向真空室内通入硅烷和氩气，并控制气压为200Pa～300Pa，温度为200℃～300℃，向磨轮施加‑1000V～‑800V的负偏压，采用气相沉积法在磨轮表面进行第一次沉积，相应形成结合层；将真空室内的真空度调整为8.0×10‑3Pa，向真空室内通入氩气，以将真空度调整为5Pa；开启石墨靶源，向磨轮施加800V～1000V的偏压，将电流调整为18A～20A，温度调整为80℃～90℃，在结合层的表面进行第二次沉积，相应形成类金刚石镀膜层。本发明的技术方案能够在提高磨轮的硬度、润滑性的同时，解决磨轮表面的镀膜层容易脱落的问题，提高磨轮表面与镀膜层的结合性。
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公开(公告)号：CN116516301A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210080206.4
申请日：2022-01-24
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 冯明章
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种半导体的离子溅射方法，包括：将半导体放置于离子溅射仪的样品台上；向所述离子溅射仪的真空腔内通入工作气体，使得所述真空腔达到预设真空度；将所述离子溅射仪的靶台的方向调整至与所述离子溅射仪的离子源的离子束发射方向平行；启动所述离子溅射仪；在预设时间后，通入反应气体，将所述靶台的方向调整至工作方向，以对所述半导体进行离子溅射。采用本发明实施例，能有效提高镀层质量。
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公开(公告)号：CN116043185A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111259887.2
申请日：2021-10-28
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 冯明章
摘要： 本发明公开了一种金属基板的镀膜方法，包括：对金属基板进行清洗以及烘干处理，金属基板用于封装半导体；将烘干后的金属基板置于真空室内，将真空度调整为8.0×10‑4Pa，向真空室内通入氩气，控制真空度稳定在0.5Pa，开启离子源电源和偏压电源，对金属基板进行离子清洗；在离子清洗完成后，向真空室内通入乙炔，控制真空度稳定在6.0×10‑1Pa，向离子束施加预设直流电压及预设直流电流，向金属基板施加功率为150W～200W的偏压，对金属基板的表面进行沉积镀膜，形成类金刚石涂层。本发明的技术方案通过在金属基板的表面镀DLC涂层，利用DLC涂层散热性好的性能特点，解决使用金属基板封装的半导体的散热性差的问题，从而延长半导体元器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112305860A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910712511.9
申请日：2019-08-02
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 冯明章
摘要： 本发明提供了一种用于半导体的曝光显影方法，包括以下步骤：(1)将光致抗蚀剂均匀涂布于半导体基材的表面上，形成光致抗蚀剂层；(2)将步骤(1)处理后的半导体基材加热至光致抗蚀剂层干燥凝固；(3)在不使用光掩模下，将半导体基材置于第一光源下，进行全面预曝光，曝光剂量为3.5‑5mJ/cm2；(4)在使用光掩模下，将半导体基材上的光致抗蚀剂层置于第二光源下，进行主曝光；(5)对半导体基材上喷涂显影液进行显影。本发明的方法在半导体基材的表面形成光致抗蚀剂层后，通过加热干燥、不使用光掩模的预曝光、使用光掩模的主曝光及其相应的参数设置，使得本发明方法处理的半导体基材的显影缺陷降低，提高了成品率。
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