公开(公告)号：CN116939438A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210960926.X

申请日：2022-08-11

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 岩尾有佑

IPC: H04R9/06 ,  H04R9/02 ,  B29C65/08

Abstract: 提供一种能够将封堵孔部而配置的被接合件精度良好地接合到基板上的超声波接合喇叭。超声波接合喇叭(1)用于向配置在基板的表面上的被接合件施加超声波振动并且将被接合件接合到基板的表面上的超声波接合处理。在超声波接合喇叭(1)中，在基台(11)的表面上连结接合块(12)，在接合块(12)的前端上设有前端突起(10)。前端突起(10)被设置为具有内部空间(SP1)的圆筒状。前端突起(10)的突起高度h10被设定为0.1mm以上且0.2mm以下，前端突起(10)的突起壁厚t10被设定为0.15mm以上且0.25mm以下。

公开(公告)号：CN115943304A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180044704.7

申请日：2021-06-10

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 岩尾有佑

IPC: G01N27/90

Abstract: 本申请的目的在于提供不与成为检查对象物的电极接触便能够判定电极向基板接合的接合状态的检查方法。使交流电流施加状态的线圈内置探测器(1)沿着作为检查对象物的电极引线(40)的形成方向扫描。扫描时的线圈内置探测器(1)不与电极引线(40)接触，而与电极引线(40)的表面隔开规定距离地位于上方。之后，通过涡电流测定器(3)获得与多个超声波接合部(41)对应的多个检测信号。最后，基于多个检测信号每一个与基准等级的比较结果，来判定电极引线(40)向基板(30)接合的接合状态。即，分别对设于电极引线(40)的多个超声波接合部(41)，判定处于未接合状态、断裂状态以及正常状态中的哪一个状态。

公开(公告)号：CN111868297A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980017252.6

申请日：2019-02-28

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 平松孝浩 ,  织田容征 ,  波户信义 ,  岩尾有佑

IPC: C23C16/455 ,  B05D3/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜装置，能够不使成膜品质、成膜速度降低地在基板上成膜出薄膜，且实现成膜处理的生产率的提高。本发明中，在加热室(H1)的加热空间(91)内执行通过输送机(33)使基板(10)沿着基板移动方向(D1)移动的第一加热处理。然后，执行通过输送机(13)使基板(10)沿着搬运方向(D3)移动的第一搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(11H，11L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。接着，执行基于输送机(43)的第二加热处理。然后，执行基于输送机(23)的第二搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(12H，12L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。

公开(公告)号：CN119361445A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202311416257.0

申请日：2023-10-27

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 岩尾有佑

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/607 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明的目的是得到能够精度良好地进行接合部位的合格与否判定的超声波接合评价方法。在步骤ST11中，对多个接合部位执行超声波振动动作，一起测量多个接合部位各自的接合处理时间。在步骤ST12中，将对于多个接合部位各自的超声波振动动作的处理时间识别为多个接合处理时间。在步骤ST13中，基于多个接合部位各自的接合处理时间与基准处理时间的比较结果，得到多个接合部位各自的接合合格与否结果。具体而言，在多个接合部位各自中，将接合处理时间为基准处理时间以下的接合部位判定为“合格”，将接合处理时间比基准处理时间长的情况下的接合部位判定为“不合格”。

公开(公告)号：CN111868297B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201980017252.6

申请日：2019-02-28

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 平松孝浩 ,  织田容征 ,  波户信义 ,  岩尾有佑

IPC: C23C16/455 ,  B05D3/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜装置，能够不使成膜品质、成膜速度降低地在基板上成膜出薄膜，且实现成膜处理的生产率的提高。本发明中，在加热室(H1)的加热空间(91)内执行通过输送机(33)使基板(10)沿着基板移动方向(D1)移动的第一加热处理。然后，执行通过输送机(13)使基板(10)沿着搬运方向(D3)移动的第一搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(11H，11L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。接着，执行基于输送机(43)的第二加热处理。然后，执行基于输送机(23)的第二搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(12H，12L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。

公开(公告)号：CN111868298A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980017491.1

申请日：2019-02-28

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 织田容征 ,  平松孝浩 ,  波户信义 ,  岩尾有佑

IPC: C23C16/455 ,  B05B13/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜装置，能够不使成膜品质、成膜速度降低地在基板上成膜出薄膜，并且实现成膜处理的生产率的提高。本发明中，沿着基板搬运路径用圆周(M1)配置加热室(H10)及成膜室(F10)。加热室(H10)及成膜室(F10)相互相邻地配置。通过基板搬运装置(8)，沿着基板搬运路径用圆周(M1)，以基板旋转方向(R1)为移动方向同时搬运多个基板(10)。在加热室(H10)内由红外光照射器(2，4)执行了基板(10)的加热处理之后，在成膜室(F10)内由薄膜形成喷嘴(1L，1H)执行对于基板(10)的雾喷射处理而在多个基板(10)的表面上及背面上分别成膜出薄膜。