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公开(公告)号：CN105986270A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610121947.7
申请日：2016-03-03
申请人： 东友精细化工有限公司
摘要： 公开了蚀刻剂组合物、用于液晶显示器的阵列基板的制作方法和阵列基板。根据本发明，在制作阵列基板时，使铜基金属层能够被一步蚀刻，并且，当蚀刻厚金属层时，即使在增加加工片材数时，也能够控制侧面蚀刻并能够保持蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN105820819A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510951854.2
申请日：2015-12-17
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C09K13/08 , G02F1/13 , G02F1/1362
CPC分类号： C09K13/08 , G02F1/1303 , G02F1/136286 , G02F2001/136295
摘要： 本发明涉及氧化铟层蚀刻液组合物和利用其制造液晶显示装置的阵列基板的方法，更具体地说，涉及不包括硫酸盐或乙酸盐、而是包括硝酸、唑类化合物、含氟化合物和水的氧化铟层蚀刻液组合物，以及利用其制造液晶显示装置的阵列基板的方法。
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公开(公告)号：CN103911156A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310656389.0
申请日：2013-12-06
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C09K13/04
摘要： 本发明公开一种用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物。所述用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物包括硝酸、盐酸、无机酸盐和水，所述组合物能够快速且均匀地蚀刻所述金属氧化物层（透明的氧化物半导体），且制备简单、容易控制。
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公开(公告)号：CN107227461B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710157742.9
申请日：2017-03-16
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C23F1/30
摘要： 本发明提供一种蚀刻组合物，其作为铟氧化膜、钼膜、或铟氧化膜与钼膜的多层膜用蚀刻组合物，包含硝酸、环状胺化合物、含氟化合物和有机酸，且相对于组合物的总重量以0.1～5.0重量％的量包含上述有机酸。本发明的蚀刻组合物对于用作液晶显示装置用阵列基板的像素电极的铟氧化膜及钼膜的蚀刻性能优异，能够将对于下部金属的损伤最小化，且能够在蚀刻多层膜时抑制上部尖端产生，从而能够提高液晶显示装置的驱动特性。
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公开(公告)号：CN103911156B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201310656389.0
申请日：2013-12-06
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C09K13/04
摘要： 本发明公开一种用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物。所述用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物包括硝酸、盐酸、无机酸盐和水，所述组合物能够快速且均匀地蚀刻所述金属氧化物层（透明的氧化物半导体），且制备简单、容易控制。
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公开(公告)号：CN107227461A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710157742.9
申请日：2017-03-16
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C23F1/30
摘要： 本发明提供一种蚀刻组合物，其作为铟氧化膜、钼膜、或铟氧化膜与钼膜的多层膜用蚀刻组合物，包含硝酸、环状胺化合物、含氟化合物和有机酸，且相对于组合物的总重量以0.1～5.0重量％的量包含上述有机酸。本发明的蚀刻组合物对于用作液晶显示装置用阵列基板的像素电极的铟氧化膜及钼膜的蚀刻性能优异，能够将对于下部金属的损伤最小化，且能够在蚀刻多层膜时抑制上部尖端产生，从而能够提高液晶显示装置的驱动特性。
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公开(公告)号：CN103107130B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210439379.7
申请日：2012-10-26
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , C09K13/08 , C09K13/00
摘要： 本发明涉及一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，一种形成金属配线的方法，用于金属氧化物半导体层的蚀刻液组合物，以及用于液晶显示器的阵列基板，尤其涉及一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括：a)在基板上形成栅极电极；b)在形成有栅极电极的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成由金属氧化物半导体构成的有源层；d)在由金属氧化物半导体构成的有源层上形成源极/漏极电极；以及e)形成与漏极电极相连接的像素电极，其中c)包括在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层，并使用蚀刻液组合物蚀刻金属氧化物半导体层，所述蚀刻液组合物包括过氧化氢、含氟化合物和水。本发明涉及一种使用所述蚀刻液组合物形成金属配线的方法，涉及所述蚀刻液组合物，以及涉及用于液晶显示器的阵列基板，所述阵列基板使用上述制造阵列基板的方法制造。
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公开(公告)号：CN111755461B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202010231299.7
申请日：2020-03-27
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1362 , C09K13/08 , C09K13/00
摘要： 本发明提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物，上述铜系金属膜蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水，上述液晶显示装置用阵列基板的制造方法是通过利用上述蚀刻液组合物蚀刻铜系金属膜从而形成源电极/漏电极，能够在不损伤氧化物半导体层的情况下将铜系金属膜一并蚀刻。
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公开(公告)号：CN111755461A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010231299.7
申请日：2020-03-27
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1362 , C09K13/08 , C09K13/00
摘要： 本发明提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物，上述铜系金属膜蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水，上述液晶显示装置用阵列基板的制造方法是通过利用上述蚀刻液组合物蚀刻铜系金属膜从而形成源电极/漏电极，能够在不损伤氧化物半导体层的情况下将铜系金属膜一并蚀刻。
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