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    液晶显示器用阵列基板的制造方法
    3.
    发明授权
    液晶显示器用阵列基板的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN104614907B

    公开(公告)日：2020-04-10

    申请号：CN201410505056.2

    申请日：2014-09-26

    申请人： 东友精细化工有限公司

    发明人： 权五柄 ,  李恩远 ,  李智娟 ,  曺京花

    IPC分类号： C23F1/18 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77

    摘要： 本发明涉及一种制造液晶显示器用阵列基板的方法，包括：a)在基板上形成栅线；b)在具有栅线的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成半导体层；d)在半导体层上形成源极和漏极；以及e)形成与漏极连接的像素电极，其中a)或d)步骤包括：在基板或半导体层上形成Cu基金属膜，和使用蚀刻剂组合物蚀刻Cu基金属膜来形成栅线或源极和漏极，并且蚀刻剂组合物是用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，基于组合物总重量，包括：5～25重量％的过氧化氢(H2O2)；0.1～5重量％的亚磷酸；0.01～1.0重量％的含氟化合物；0.1～5重量％的唑化合物；0.1～5重量％的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1～5重量％的硫酸盐化合物；以及余量的水，以使得组合物总重量为100重量％。

    蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法
    4.
    发明授权
    蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法 有权 许可

    公开(公告)号：CN104419930B

    公开(公告)日：2018-03-27

    申请号：CN201410412157.5

    申请日：2014-08-20

    申请人： 东友精细化工有限公司

    发明人： 李恩远 ,  李智娟 ,  权五柄 ,  崔容硕

    IPC分类号： C23F1/14 ,  H01L21/77

    摘要： 本发明涉及蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法，该方法包括步骤：在基板形成栅极配线；在包含栅极配线的基板形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层形成半导体层；在半导体层形成源极和漏极；形成与漏极连接的像素电极，还包括蚀刻包含钼类金属膜或铜类金属膜的膜而形成电极的步骤，钼合金膜为铌或钨中的一种以上与钼的合金，蚀刻液组合物包括：组合物总重量中百分比为过氧化氢5.0～25.0％；氟化合物0.01～1.0％；唑类化合物0.1～5％；在分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0％；磷酸盐化合物0.1～5.0％；多元醇类表面活性剂0.001～5.0％；水剩余量，此外，不含有/无机酸或其盐、脂环族胺。

    液晶显示器用阵列基板的制造方法
    6.
    发明公开
    液晶显示器用阵列基板的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN104614907A

    公开(公告)日：2015-05-13

    申请号：CN201410505056.2

    申请日：2014-09-26

    申请人： 东友精细化工有限公司

    发明人： 权五柄 ,  李恩远 ,  李智娟 ,  曺京花

    IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77

    摘要： 本发明涉及一种制造液晶显示器用阵列基板的方法，包括：a)在基板上形成栅线；b)在具有栅线的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成半导体层；d)在半导体层上形成源极和漏极；以及e)形成与漏极连接的像素电极，其中a)或d)步骤包括：在基板或半导体层上形成Cu基金属膜，和使用蚀刻剂组合物蚀刻Cu基金属膜来形成栅线或源极和漏极，并且蚀刻剂组合物是用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，基于组合物总重量，包括：5～25重量％的过氧化氢(H2O2)；0.1～5重量％的亚磷酸；0.01～1.0重量％的含氟化合物；0.1～5重量％的唑化合物；0.1～5重量％的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1～5重量％的硫酸盐化合物；以及余量的水，以使得组合物总重量为100重量％。