公开(公告)号：CN119312856A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411452321.5

申请日：2024-10-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 王鸣昕 ,  陈华松 ,  谢欣凯 ,  吴俊

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/049

Abstract: 本发明公开了记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络，涉及模拟数字电路技术领域。本发明包括七个晶体管、电容、六个信号输入端及输出端Output，七个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管。本发明的神经电路通过集成长期记忆功能和多模态信号处理能力，能够有效处理光、压力和化学信号，使其适应多种应用场景，突破了传统方案对电信号的依赖，通过直接接收和处理多种类型的输入信号，电路实现了更高的灵活性和适应性，除此之外，该电路模拟了神经元的行为与特征，具备高效的信号处理和记忆功能，通过实现突触可塑性和长时程增强等机制进行长期记忆存储，使信息处理更加稳定和可靠。

公开(公告)号：CN119208378A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411331787.X

申请日：2024-09-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 王鸣昕 ,  吴茂林 ,  谢欣凯 ,  吴俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种栅极全环绕垂直晶体管器件，包括：半导体衬底、第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极和栅极；第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极从上到下依次堆叠在半导体衬底上表面；栅极覆盖在第一源极/漏极上表面、以及环绕在第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极的侧面。与传统水平沟道的晶体管结构相比，本发明器件的沟道电流方向是垂直于衬底方向的，在器件结构设计时，沟道长度膜厚来控制，不受曝光精度的影响；通过垂直结构，源漏接触区的面积更容易控制，能够实现更低的接触电阻，减少寄生效应。同时本方案的栅极结构对沟道全面包围，分布的电场对沟道各个角度覆盖更加全面，增强了沟道的控制能力。

公开(公告)号：CN118591263A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410712720.4

申请日：2024-06-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴俊 ,  谢欣凯 ,  陈品臻

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01

Abstract: 本发明公开了一种基于磁霍尔效应的柔性突触晶体管及其制备方法，晶体管自下向上包括四层；底层为第一层，包括源极、漏极、半导体沟道、下浮栅和两个永磁区；第二层为上浮栅，上浮栅覆盖在半导体沟道表面，且与源极邻近；第三层为绝缘层，绝缘层覆盖在上浮栅、半导体沟道以及两个永磁区的表面；第四层为栅极，栅极位于绝缘层表面，且位置与半导体沟道所在区域对应；两个永磁区在半导体沟道区形成的磁场与半导体沟道中电流方向垂直，晶体管导通后，在霍尔效应的作用下，上浮栅聚集电子，下浮栅聚集空穴，最终实现感存算功能一体化集成的晶体管。