-
公开(公告)号：CN119208378A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411331787.X
申请日：2024-09-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种栅极全环绕垂直晶体管器件，包括：半导体衬底、第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极和栅极；第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极从上到下依次堆叠在半导体衬底上表面；栅极覆盖在第一源极/漏极上表面、以及环绕在第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极的侧面。与传统水平沟道的晶体管结构相比，本发明器件的沟道电流方向是垂直于衬底方向的，在器件结构设计时，沟道长度膜厚来控制，不受曝光精度的影响；通过垂直结构，源漏接触区的面积更容易控制，能够实现更低的接触电阻，减少寄生效应。同时本方案的栅极结构对沟道全面包围，分布的电场对沟道各个角度覆盖更加全面，增强了沟道的控制能力。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
